一种基于FinFET的单端读写存储单元制造技术

本发明专利技术公开了一种基于FinFET的单端读写存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、位线、字线，写字线、写上字线、写下字线和虚地线，第一FinFET管和第二FinFET管均为P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管均为N型FinFET管；优点是在保证读操作稳定性的基础上，可以得到较高的写噪声容限，存储值结果稳定，电路功能稳定，且漏功耗较小，同时延时也较小，利于快速稳定存取数据。

A single ended read / write storage unit based on FinFET

The invention discloses a single-end read-write memory unit based on FinFET, which comprises a first FinFET tube, a second FinFET tube, a third FinFET tube, a fourth FinFET tube, a fifth FinFET tube, a sixth FinFET tube, a seventh FinFET tube, a bit line, a word line, a writing line, a writing line, a writing line, a writing line and a dotted ground line, a first FinFET tube and a second FinFET tube. T-tubes are all P-type FinFET tubes, the third FinFET tube, the fourth FinFET tube, the fifth FinFET tube, the sixth FinFET tube and the seventh FinFET tube are all N-type FinFET tubes; the advantage is that on the basis of guaranteeing the stability of reading operation, higher write noise tolerance can be obtained, the storage value is stable, the circuit function is stable, and the leakage power consumption is small. Delay is also small, which facilitates fast and stable access to data.

【技术实现步骤摘要】
一种基于FinFET的单端读写存储单元
本专利技术涉及一种单端读写存储单元，尤其是涉及一种基于FinFET的单端读写存储单元。
技术介绍
随着工艺尺寸进入纳米级，功耗成为集成电路设计者不得不关注的问题。在大部分的数字系统中存储器的功耗占据总电路功耗的比例越来越大。静态随机存取存储器(SRAM，StaticRandomAccessMemory)，在存储器中是一个重要的组成部分，因而设计高稳定性低功耗SRAM具有重要的研究意义。静态随机存取存储器主要由存储阵列及其他外围电路构成，而存储阵列由存储单元构成，存储单元是静态随机存取存储器的核心，存储单元的性能直接决定静态随机存取存储器的性能。随着晶体管尺寸的不断缩小，受短沟道效应和当前制造工艺的限制，普通的CMOS晶体管尺寸降低的空间极度缩小。当普通CMOS晶体管的尺寸缩小到20nm以下时，器件的漏电流会急剧加大，造成较大的电路漏功耗。并且，电路短沟道效应变得更加明显，器件变得相当不稳定，极大的限制了电路性能的提高。FinFET管(鳍式场效晶体管，FinField-EffectTransistor)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于FinFET的单端读写存储单元，其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、位线、字线，写字线、写上字线、写下字线和虚地线，所述的第一FinFET管和第二FinFET管均为P型FinFET管，所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管均为N型FinFET管，所述的第一FinFET管和所述的第三FinFET管分别为高阈值FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第四FinFET管、所述...

【技术特征摘要】
1.一种基于FinFET的单端读写存储单元，其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、位线、字线，写字线、写上字线、写下字线和虚地线，所述的第一FinFET管和第二FinFET管均为P型FinFET管，所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管均为N型FinFET管，所述的第一FinFET管和所述的第三FinFET管分别为高阈值FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管分别为低阈值FinFET管，所述的第一FinFET管鳍的数量为1，所述的第二FinFET管鳍的数量为1，所述的第三FinFET管鳍的数量为1，所述的第四FinFET管鳍的数量为1，所述的第五FinFET管鳍的数量为1，所述的第六FinFET管鳍的数量为1，所述的第七FinFET管鳍的数量为1；所述的第一FinFET管的背栅和所述的上写字线连接，所述的第一FinFET管的源极、所述的第二FinFET管的源极和所述的第二FinFET管的背栅均接入电源，所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的前栅、所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡建平，杨会山，徐萧萧，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33