读写SRAM的电路及SRAM数据访问方法技术

本发明专利技术涉及一种读写SRAM的电路及SRAM数据访问方法。该电路包括：地址/数据控制模块、地址移位链、数据移位链及SRAM存储器阵列，地址/数据控制模块接收时钟信号和串行数据，用于在时钟信号内对串行数据进行译码并输出移位指令；地址移位链连接至地址/数据控制模块，用于接收地址/数据控制模块的移位指令进行地址移位操作；数据移位链连接至地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号进行数据移位操作或用于传输SRAM存储器的串行数据；SRAM存储器阵列分别连接至地址移位链和数据移位链。本发明专利技术的读写控制信号的产生是通过指令译码完成，电路中采用同一时钟域多级寄存器流水的方式实现，提高电路工作频率。

【技术实现步骤摘要】
读写SRAM的电路及SRAM数据访问方法
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种读写SRAM的电路及SRAM数据访问方法。
技术介绍
FPGA(Field-ProgrammableGateArray，现场可编程门阵列)是在PAL(ProgrammableArrayLogic，可编程阵列逻辑)、GAL(GenericArrayLogic，通用阵列逻辑)、CPLD(ComplexProgrammableLogicDevice，复杂可编程逻辑器件)等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC，ApplicationSpecificIntegratedCircuit)领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存储器)具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容的优点，其广泛应用于PC、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。目前，SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统中。专利文献CN200710076827.0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读写SRAM的电路，其特征在于，包括：地址/数据控制模块、地址移位链、数据移位链及SRAM存储器阵列，其中，所述地址/数据控制模块接收时钟信号和串行数据，用于在所述时钟信号内对所述串行数据进行译码并输出移位使能信号；所述地址移位链连接至所述地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号进行地址移位操作；所述数据移位链连接至所述地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号或用于传输SRAM存储器的所述串行数据，进行数据移位操作；所述SRAM存储器阵列分别连接至所述地址移位链和所述数据移位链，用于根据所述地址移位链的地址及所述数据移位链的移位指令读写数据。

【技术特征摘要】
1.一种读写SRAM的电路，其特征在于，包括：地址/数据控制模块、地址移位链、数据移位链及SRAM存储器阵列，其中，所述地址/数据控制模块接收时钟信号和串行数据，用于在所述时钟信号内对所述串行数据进行译码并输出移位使能信号；所述地址移位链连接至所述地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号进行地址移位操作；所述数据移位链连接至所述地址/数据控制模块，用于接收所述地址/数据控制模块的移位使能信号或用于传输SRAM存储器的所述串行数据，进行数据移位操作；所述SRAM存储器阵列分别连接至所述地址移位链和所述数据移位链，用于根据所述地址移位链的地址及所述数据移位链的移位指令读写数据。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述地址/数据控制模块具体用于向所述地址移位链传输时钟信号、地址递增使能信号、初始地址移位使能信号和数据移位位宽选择信号。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述地址/数据控制模块具体用于向所述数据移位链传输时钟信号和数据移位位宽选择信号。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述地址移位链具体用于通过地址移位总线向所述SRAM存储器阵列进行地址移位操作。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王黎明，古生霖，贾红，韦嶔，程显志，陈维新，
申请(专利权)人：西安智多晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61