一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上的静电传输信号线，以及位于衬底基板的非显示区域的第一发光器件；所述第一发光器件至少包括：阳极层、发光层和阴极层；所述第一发光器件的阳极层与所述静电传输信号线相连，所述静电传输信号线传输的静电通过所述阴极层进行释放。通过在阵列基板的非显示区域设置第一发光器件，并将位于显示区域的静电传输信号线与第一发光器件的阳极层相连，从而将显示区域所产生的静电传输给第一发光器件的阳极，并利用第一发光器件自身的结构将静电传输给第一发光器件的阴极层，并在阴极层对静电进行释放，从而缓解了由于静电的累积带来的危害。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicLightEmittingDisplay，简称OLED)作为新型的平板显示器与液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)相比，具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点。OLED正是由于具有其他显示器不可比拟的优势以及美好的应用前景得到了产业界和科学界的极大关注。在电致发光显示面板中，发光器件至少包括阳极层、有机发光层和阴极层，在各膜层的交界面处容易产生静电，并且加上对显示区域的晶体管的时序的控制，电致发光显示面板的显示区域内产生静电的几率较大，现有技术中通过设置静电释放电路将产生的静电与接地的信号线相连，对电致发光显示面板内产生的静电进行释放。但是，通过上述方式释放静电时，静电的积累量需要达到静电释放电路中的薄膜晶体管的阈值电压才能通过静电释放电路进行释放，较小静电的积累并不能得到很好的释放。因此，如何对电致发光显示面板内所产生的静电进行释放是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置，用以解决现有技术中电致发光显示面板中所产生的静电不能很好的释放的技术问题。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的静电传输信号线，以及位于所述衬底基板的非显示区域的第一发光器件；所述第一发光器件至少包括：依次位于所述衬底基板上的阳极层、发光层和阴极层；所述第一发光器件的阳极层与所述静电传输信号线相连，所述静电传输信号线传输的静电通过所述第一发光器件的阴极层进行释放。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述非显示区域还包括：静电释放器件和静电释放信号线；所述静电释放器件与所述静电传输信号线相连，将所述静电传输信号线传输的静电通过所述静电释放器件传输至所述静电释放信号线进行释放。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述静电释放器件包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层，其中，所述源漏电极层包括分别与所述有源层相连的源电极和漏电极；所述第一晶体管的栅极层和所述第一晶体管的源电极均与所述静电传输信号线相连，所述第一晶体管的漏电极与所述静电释放信号线相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述第一发光器件的阳极层位于所述第一晶体管的源漏电极层背向所述衬底基板一侧，且所述第一发光器件的阳极层通过第一过孔与所述第一晶体管的源电极相连，所述第一发光器件的阳极层通过第二过孔与所述第一晶体管的栅极层相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述第一发光器件的阳极层与所述第一晶体管的源漏电极层之间的平坦化层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述衬底基板的非显示区域的第二发光器件，所述第二发光器件至少包括：依次位于在所述衬底基板上的阳极层、发光层和阴极层；所述第二发光器件的阳极层与所述静电释放信号线相连，所述第二发光器件的阴极层产生的静电通过所述静电释放信号线释放。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述静电释放器件还包括：第二晶体管，所述第二晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层，其中，所述源漏电极层包括分别与所述有源层相连的源电极和漏电极；所述第二晶体管的源电极和所述第二晶体管的栅极层均与所述第二发光器件的阳极层相连，所述第二晶体管的漏电极与所述静电传输信号线相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述衬底基板的显示区域的第三发光器件，所述第三发光器件至少包括：阳极层、发光层和阴极层；所述第一发光器件和所述第三发光器件均还包括：位于所述发光层与所述阴极层之间的电子传输层；所述第一发光器件的电子传输层的厚度大于所述第三发光器件的电子传输层的厚度。相应地，本专利技术实施例还提供了一种电致发光显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种的阵列基板、对向基板以及位于所述对向基板面向所述阵列基板一侧的公共电极层；所述公共电极层复用为所有所述发光器件的阴极层。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种的电致发光显示面板。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供了一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上的静电传输信号线，以及位于衬底基板的非显示区域的第一发光器件；所述第一发光器件至少包括：阳极层、发光层和阴极层；所述第一发光器件的阳极层与所述静电传输信号线相连，所述静电传输信号线传输的静电通过所述阴极层进行释放。通过在阵列基板的非显示区域设置第一发光器件，并将位于显示区域的静电传输信号线与第一发光器件的阳极层相连，从而将显示区域所产生的静电传输给第一发光器件的阳极，并利用第一发光器件自身的结构将静电传输给第一发光器件的阴极层，并在阴极层对静电进行释放，从而缓解了由于静电的累积带来的危害。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之一；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之二；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之三；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种电致发光显示面板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式针对现有技术中的电致发光显示面板存在的不能对显示区域内的静电进行很好的释放的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置。为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。具体地，如图1所示，本专利技术提供一种阵列基板，包括：衬底基板1，位于衬底基板1上的静电传输信号线2，以及位于衬底基板1的非显示区域B的第一发光器件；第一发光器件至少包括：阳极层31、发光层41和阴极层51；第一发光器件的阳极层31与静电传输信号线2相连，静电传输信号线2传输的静电通过第一发光器件的阴极层51进行释放。本专利技术实施例提供了一种阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上的静电传输信号线，以及位于衬底基板的非显示区域的第一发光器件；第一发光器件至少包括：阳极层、发光层和阴极层；第一发光器件的阳极层与静电传输信号线相连，静电传输信号线传输的静电通过阴极层进行释放。通过在阵列基板的非显示区域设置第一发光器件，并将位于显示区域的静电传输信号线与第一发光器件的阳极层相连，从而将显示区域所产生的静电传输给第一发光器件的阳极，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的静电传输信号线，以及位于所述衬底基板的非显示区域的第一发光器件；所述第一发光器件至少包括：依次位于所述衬底基板上的阳极层、发光层和阴极层；所述第一发光器件的阳极层与所述静电传输信号线相连，所述静电传输信号线传输的静电通过所述第一发光器件的阴极层进行释放。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的静电传输信号线，以及位于所述衬底基板的非显示区域的第一发光器件；所述第一发光器件至少包括：依次位于所述衬底基板上的阳极层、发光层和阴极层；所述第一发光器件的阳极层与所述静电传输信号线相连，所述静电传输信号线传输的静电通过所述第一发光器件的阴极层进行释放。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区域还包括：静电释放器件和静电释放信号线；所述静电释放器件与所述静电传输信号线相连，将所述静电传输信号线传输的静电通过所述静电释放器件传输至所述静电释放信号线进行释放。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述静电释放器件包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层，其中，所述源漏电极层包括分别与所述有源层相连的源电极和漏电极；所述第一晶体管的栅极层和所述第一晶体管的源电极均与所述静电传输信号线相连，所述第一晶体管的漏电极与所述静电释放信号线相连。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一发光器件的阳极层位于所述第一晶体管的源漏电极层背向所述衬底基板一侧，且所述第一发光器件的阳极层通过第一过孔与所述第一晶体管的源电极相连，所述第一发光器件的阳极层通过第二过孔与所述第一晶体管的栅极层相连。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述第一发光器件的阳极层与所述第一晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海峰，马文锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11