阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器制造技术

本发明专利技术适用于显示技术领域，提供了一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器，阵列基板包括衬底基层，衬底基层上设有显示区和非显示区，非显示区包括多条设于衬底基层上的覆晶薄膜连接走线，覆晶薄膜连接走线包括设于衬底基层上的第一金属层、设于第一金属层上的绝缘层、设于绝缘层上的第二金属层，以及设于第二金属层上的钝化层；钝化层的表面具有疏水层。本发明专利技术通过在覆晶薄膜连接走线的钝化层上形成疏水层，疏水层能够有效阻止水汽侵入钝化层下方的第二金属层，进而防止了非显示区的覆晶薄膜连接走线被腐蚀以及防止水汽进一步侵入显示区，保证了阵列基板的显示区的显示效果，进而保证了液晶显示面板和液晶显示器的显示品质，提高使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
本专利技术属于显示
，特别涉及一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特性，因此广泛受到用户青睐。目前的液晶显示装置主要是以薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)液晶显示器(TFT-LCD)为主。现有的液晶显示器主要包括液晶显示面板及背光模组。其中，液晶显示面板主要由一薄膜晶体管基板(ThinFilmTransistorSubstrate，TFT基板)、一彩色滤光基板(ColorFilterSubstrate，CF基板)，以及夹设于两基板之间的一液晶层。在对盒组装(Cell)制程中，会在两基板的四周涂布框胶并于框胶内注入液晶层，将框胶进行固化后得到一液晶显示面板结构。薄膜晶体管基板(TFT基板)，也即阵列基板100’通常由显示区10’及显示区10’外围的非显示区11’构成。显示区10’内设有多条扫描线113’和多条数据线114’，数据线114’和扫描线113’的交叉设置限定多个像素区域，用于向数据线114’提供数据信号和向扫描线113’提供扫描信号的时序控制器(TCON)110’设置在非显示区11’，并通过若干个覆晶薄膜111’(ChiponFilm,COF)将数据信号和扫描信号传输至显示区10’，如图1所示。WOA(WireonArray)走线112’用于两COF111’之间传递信号。为了减小WOA走线112’的阻值，以防止在两个COF之间产生扫描电压的降低，一般采用双层金属互叠设计布线，并且双层金属边切齐。如图3中所示，WOA走线112’设于衬底12’上，由第一金属层1120’和第二金属层1122’构成，第一金属层1120’和第二金属层1122’之间为绝缘层1121’，第二金属层1122’上还覆盖有钝化层(Passivationlayer，PV)1123’，双层金属层的互叠区边缘高度差大，致使沉积于第二金属层1122’上的钝化层1123’在该处成膜偏薄。并且，为了能够从阵列基板100’一侧对框胶进行UV光照射使液晶显示面板四周的框胶固化，WOA走线112’与框胶重叠的部分要有一定的透光率，因此，WOA走线112’设置为镂空的形式，形成多个孔115’，如图2所示，钝化层1123’在孔115’与孔115’之间多次被抬升和降低，钝化层1123’成膜偏薄的区域增多，整体成膜质量降低，很容易因为环境变化而使水汽攻入第二金属层1122’，水汽进入阵列基板100’内部产生气泡，使WOA走线112’进而阵列基板100’受到严重腐蚀，影响面板显示品质。基于以上所述，有必要提供一种能够防止水汽侵入WOA走线处的金属层的阵列基板结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板，旨在解决现有技术中WOA走线容易受水汽侵入而被腐蚀的技术问题。本专利技术是这样实现的，一种阵列基板，包括衬底基层，所述衬底基层上设有显示区和非显示区，所述非显示区包括多条设于所述衬底基层上的覆晶薄膜连接走线；所述覆晶薄膜连接走线包括设于所述衬底基层上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的第二金属层，以及设于所述第二金属层上的钝化层；所述钝化层的表面具有疏水层。所述钝化层的厚度为200-230纳米。所述钝化层的厚度为400-460纳米。所述钝化层的材料为氧化硅或氮化硅中的至少一种。所述钝化层包括设于所述第二金属层上的第一子钝化层以及设于所述第一子钝化层上的第二子钝化层，所述疏水层设于所述第二子钝化层的表面。所述第一子钝化层的厚度为200-230纳米，所述第二子钝化层的厚度为200-230纳米。所述第一子钝化层的材料为氧化硅或氮化硅中的至少一种，所述第二子钝化层的材料为有机光阻材料。所述覆晶薄膜连接走线的宽度为20-30微米，所述覆晶薄膜连接走线上设有多个供紫外光照射通过的通孔。本专利技术的另一目的在于提供一种液晶显示面板，包括上述所说的阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间设有位于所述非显示区且对应所述覆晶薄膜连接走线的框胶。本专利技术的又一目的在于提供一种液晶显示器，包括上述所说的液晶显示面板以及设于所述阵列基板一侧的背光模组。本专利技术的阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器相对于现有技术的有益效果在于，非显示区的覆晶薄膜连接走线包括设于所述衬底基层上的第一金属层、设于第一金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的第二金属层，以及设于所述第二金属层上的钝化层，所述钝化层的表面为疏水层，疏水层能够有效阻止水汽侵入钝化层下方的第二金属层，进而防止了非显示区的覆晶薄膜连接走线被腐蚀以及防止水汽进一步侵入显示区，保证了阵列基板的显示区的显示效果，进而保证了液晶显示面板和液晶显示器的显示品质，提高使用寿命。附图说明图1是范例性的阵列基板的结构图；图2是图1中的虚线框内的覆晶薄膜连接走线的结构的放大图；图3是图2中的覆晶薄膜连接走线沿A-A线的剖面图；图4是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；图5是图4的阵列基板沿B-B线的剖面结构示意图；图6是本专利技术第二实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图；图7是本专利技术第三实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图；图8是本专利技术第四实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。图中标记的含义为：阵列基板100’，显示区10’，非显示区11’，时序控制器110’，覆晶薄膜111’，WOA走线112’，扫描线113’，数据线114’，孔115’，衬底12’，第一金属层1120’，绝缘层1121’，第二金属层1122’，钝化层1123’；阵列基板100，显示区1，非显示区2，时序控制器21，覆晶薄膜22，覆晶薄膜连接走线23，扫描线11，数据线12，衬底基层10，第一金属层231，绝缘层232，第二金属层233，钝化层234，疏水层2340，第一子钝化层2341，第二子钝化层2342；液晶显示面板60，彩膜基板200，液晶层300，框胶400。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。为了说明本专利技术所述的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。请参阅图4和图5，本专利技术提供一种阵列基板100，包括衬底基层10，衬底基层10上包括显示区1和设于显示区1外围的非显示区2，显示区1内设有多条数据线12和多条扫描线11，多条数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基层，所述衬底基层上设有显示区和非显示区，所述非显示区包括多条设于所述衬底基层上的覆晶薄膜连接走线；所述覆晶薄膜连接走线包括设于所述衬底基层上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的第二金属层，以及设于所述第二金属层上的钝化层；所述钝化层的表面具有疏水层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基层，所述衬底基层上设有显示区和非显示区，所述非显示区包括多条设于所述衬底基层上的覆晶薄膜连接走线；所述覆晶薄膜连接走线包括设于所述衬底基层上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的第二金属层，以及设于所述第二金属层上的钝化层；所述钝化层的表面具有疏水层。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的厚度为200-230纳米。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的厚度为400-460纳米。4.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材料为氧化硅或氮化硅中的至少一种。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括设于所述第二金属层上的第一子钝化层以及设于所述第一子钝化层上的第二子钝化层，所述疏水层设于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨艳娜，
申请(专利权)人：重庆惠科金渝光电科技有限公司，惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50