一种烷基取代的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术属于有机电致发光材料领域，公开了一种烷基取代的化合物及其在有机电致发光器件中的应用。本发明专利技术所公开的化合物具有式(I)所示的结构。申请人发现，式(I)中的烷基取代基数目不多于五个时，其性能比无烷基取代的化合物更佳；此外，化合物的化学稳定性、热稳定性和成膜性也较好。采用本发明专利技术所提供的烷基取代的化合物作为器件的主体材料，器件的发光效率得到显著提高。

【技术实现步骤摘要】
一种烷基取代的化合物及其应用
本专利技术属于有机电致发光材料领域，特别涉及一种烷基取代的化合物及其在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
在有机电致发光器件
，可通过不同的方式实现高效、高寿命的发光，对于发射光谱的发光层，其中一种方式就是采用主客体掺杂的形式进行效率和寿命的提升。主体材料接收能量并传递给客体，客体材料接收能量后发射相应的光谱；不同的主体和客体材料，可以实现不同颜色的发光。此外，为了更好地提升器件的效率和寿命，可以进一步引入不发光的功能层，如空穴传输层。为了实现高效率的发光，避免能量从客体材料向主体材料的逆向能量回传，同时将三重态激子限定在发光层，主体材料的三重态能级应该大于掺杂材料的三重态能级。当主体材料的三重态能级小于掺杂材料的三重态能量时，将会发生从掺杂材料至主体材料能级反跃迁的现象，从而导致发光效率降低。因此，对于发光材料层，需要高热稳定性和高于掺杂材料三重态能量的主体材料。现有技术中，大部分主体材料是空穴传输型主体材料或电子传输型主体材料。由于载流子传输性能的不平衡，这种单极性的主体材料容易形成不利的窄的复合区域，加快三重态－三重态湮灭过程，从而导致发光效率下降。为了避免这种效应，业内通常采用的策略是：(1)使用两个发光层，其中一层使用空穴传输型主体材料，另一个发光层使用电子传输型主体材料；(2)将空穴传输型和电子传输型主体材料混合置于单个发光层中。然而，这两种策略使得器件的制备变得复杂，且混合的主体材料会导致相分离的问题。此外，对于荧光主体材料，还存在热稳定性和结晶性能的改良要求。因此，为了达到高效的电致发光效果，亟待开发出具有高发光效率、高热稳定性和优良成膜性的主体材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种烷基取代的化合物以及该种化合物在有机电致发光器件中的应用。本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物，其具有式(I)所示的结构：其中，L1、L2各自独立地表示式(II)所示的结构：式(II)中，R1、R2各自独立地表示C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷砜基或C1-C12烷亚砜基；M为C6-C36芳基、C6-C36芳氧基、C6-C36芳硫基、C6-C36芳胺基、C6-C36芳硅基、C3-C36杂芳基、C3-C36杂芳氧基、C3-C36杂芳硫基、C3-C36杂芳胺基或C3-C36杂芳硅基；且M含有零个或一个烷基取代基。可选地，L1与L2为相同取代基，且M与L1为不同取代基。可选地，本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物，具有通式(III)所示的结构：其中，R3选自C1-C6烷基，N11-N18各自独立地表示N原子或CRx，所述Rx为氢原子、氘原子、卤素取代基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷砜基、C6-C36芳基、C6-C36芳氧基、C6-C36芳硫基、C6-C36芳胺基、C6-C36芳硅基、C3-C36杂芳基、C3-C36杂芳氧基、C3-C36杂芳硫基、C3-C36杂芳胺基或C3-C36杂芳硅基；所述N11-N18为CRx时，相邻的取代基不相连或通过化学键相连。可选地，本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物，具有通式(IV)所示的结构：其中，R4选自C1-C6烷基；所述烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基中的一种，所述烷基包括环烷基，N21-N30表示N原子或CRy，所述Ry为氢原子、氘原子、卤素取代基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷砜基、C6-C36芳基、C6-C36芳氧基、C6-C36芳硫基、C6-C36芳胺基、C6-C36芳硅基、C3-C36杂芳基、C3-C36杂芳氧基、C3-C36杂芳硫基、C3-C36杂芳胺基或C3-C36杂芳硅基；所述N21-N30为CRy时，相邻的取代基不相连或通过化学键相连。可选地，本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物，具有通式(V)所示的结构：其中，R5选自C1-C6烷基；所述烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基中的一种，所述烷基包括环烷基，N41-N48表示N原子或CRz，X表示-CH2-CH2-、-CH＝CH-、氧原子、硫原子、NRo、CRmRn、SiRpRq，所述Rz为氢原子、氘原子、卤素取代基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷砜基、C6-C36芳基、C6-C36芳氧基、C6-C36芳硫基、C6-C36芳胺基、C6-C36芳硅基、C3-C36杂芳基、C3-C36杂芳氧基、C3-C36杂芳硫基、C3-C36杂芳胺基或C3-C36杂芳硅基；所述N41-N48为CRz时，相邻的取代基不相连或通过化学键相连；所述Ro、Rm、Rn、Rp、Rq各自独立地为氢原子、氘原子、卤素取代基、C1-C12烷基或C3-C36芳基。可选地，上述R1、R2、R3、R4、R5各自独立地为叔丁基。可选地，本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物，具有选自如下之一的结构：可选地，本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物，具有选自如下之一的结构：可选地，本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物，具有选自如下之一的结构：本专利技术的实施方式还提供上述烷基取代的化合物在有机电致发光器件中的应用。申请人经深入研究发现，式(I)中的烷基取代基数目不多于五个时，其性能比无烷基取代化合物更佳。由于咔唑三位和六位的氢取代基是相对活泼的，三位和六位的氢被烷基取代后，活性位点消失，化学稳定性增加。此外，由于引入了烷基取代基，化合物的热稳定性和成膜性也均有明显改善。根据器件性能检测结果显示，采用本专利技术的实施方式所提供的烷基取代的化合物作为器件的主体材料，器件的发光效率得到显著提高。附图说明图1是本专利技术具体实施方式中实施例1制备的化合物H1的氢谱；图2是本专利技术具体实施方式中实施例2制备的化合物H2的氢谱；图3是本专利技术具体实施方式中实施例3制备的化合物H3的氢谱；图4是本专利技术具体实施方式中实施例4制备的化合物H4的氢谱。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例对本专利技术的各具体实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本专利技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本专利技术各权利要求所要求保护的技术方案。化合物在本专利技术的一些具体实施方式中，提供了一种烷基取代的化合物，其具有通式(I)所示的结构：其中，L1、L2各自独立地表示式(II)所示的结构：式(II)中，R1、R2各自独立地表示C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷砜基或C1-C12烷亚砜基；M为C6-C36芳基、C6-C36芳氧基、C6-C36芳硫基、C6-C36芳胺基、C6-C36芳硅基、C3-C36杂芳基、C3-C36杂芳氧基、C3-C36杂芳硫基、C3-C36杂芳胺基或C3-C36杂芳硅基；且M含有零个或一个烷基取代基。在本专利技术的一些具体实施方式中，L1与L2为相同取代基，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种烷基取代的化合物，其具有通式(I)所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种烷基取代的化合物，其具有通式(I)所示的结构：其中，L1、L2各自独立地表示式(II)所示的结构：式(II)中，R1、R2各自独立地表示C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷砜基或C1-C12烷亚砜基；M为C6-C36芳基、C6-C36芳氧基、C6-C36芳硫基、C6-C36芳胺基、C6-C36芳硅基、C3-C36杂芳基、C3-C36杂芳氧基、C3-C36杂芳硫基、C3-C36杂芳胺基或C3-C36杂芳硅基；且M含有零个或一个烷基取代基。2.根据权利要求1所述的烷基取代的化合物，其特征在于，L1与L2为相同取代基，且M与L1为不同取代基。3.根据权利要求2所述的烷基取代的化合物，其特征在于，具有通式(III)所示的结构：其中，R3选自C1-C6烷基，N11-N18各自独立地表示N原子或CRx，所述Rx为氢原子、氘原子、卤素取代基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12烷砜基、C6-C36芳基、C6-C36芳氧基、C6-C36芳硫基、C6-C36芳胺基、C6-C36芳硅基、C3-C36杂芳基、C3-C36杂芳氧基、C3-C36杂芳硫基、C3-C36杂芳胺基或C3-C36杂芳硅基；所述N11-N18为CRx时，相邻的取代基不相连或通过化学键相连。4.根据权利要求2所述的烷基取代的化合物，其特征在于，具有通式(IV)所示的结构：其中，R4选自C1-C6烷基；所述烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基中的一种，所述烷基包括环烷基，N21-N30表示N原子或CRy，所述Ry为氢原子、氘原子、卤素取代基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C1-C12烷硫基、C1-C12烷胺基、C1-C12...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小军，马腾达，黄达，陈少海，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32