量子点发光二极管及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种量子点发光二极管及其应用。所述量子点发光二极管包括电子传输层；所述电子传输层的材料包括质量比为100:1～100:50的金属氧化物颗粒与苝酰亚胺类衍生物。该量子点发光二极管一方面可以实现电子迁移率的连续调节，另一方面可以减少由于金属氧化物颗粒部分聚集造成的缺陷，改善电子传输层的成膜质量，从而降低器件的漏电流，综合提升QLED器件性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其应用
本专利技术涉及发光器件，特别是涉及一种量子点发光二极管及其应用。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)是指以量子点材料为发光层的一类发光二极管，由于其具有色彩饱和度高、发光颜色可调、光致发光效率高，以及可溶液加工(旋涂、喷墨打印)等优点，在大面积显示方面有着广阔的应用前景而受到人们的广泛关注。而量子点材料在合成过程中，表面会有许多悬挂键以及表面缺陷态存在，造成其光稳定性差。因此，在量子点发光二极管中应用的量子点材料一般是通过在量子点核的外层生长宽带隙的无机半导体壳层或者是在表面添加表面活性剂等有机配体进行钝化，提高其量子效率和光稳定性。目前，基于Cd的II-VI族的量子点材料在量子点发光二极管的发光效率、色纯度和发光光谱可调性等方面的性能表现最为突出，相关的发光器件研究的也最多。但是量子点发光二极管的器件性能仍有待提高。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种量子点发光二极管，能够实现电子迁移率的连续调节且漏电流较低，器件性能优异。一种量子点发光二极管，包括电子传输层；所述电子传输层的材料包括质量比为100:1～100:50的金属氧化物颗粒与苝酰亚胺类衍生物。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括电子传输层；所述电子传输层的材料包括质量比为100:1～100:50的金属氧化物颗粒与苝酰亚胺类衍生物。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括电子传输层；所述电子传输层的材料包括质量比为100:1～100:50的金属氧化物颗粒与苝酰亚胺类衍生物。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述苝酰亚胺类衍生物的电子迁移率为10-4～10-5cm2/v.s；所述金属氧化物颗粒的电子迁移率为10-3～10-4cm2/v.s。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述苝酰亚胺类衍生物选自：中的至少一种。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属氧化物颗粒选自TiO2、ZrO2、ZnO和HfO2中的至少一种。5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属氧化物颗粒的粒径为3～5nm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：余磊，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44