电致发光器件及其发光层和应用制造技术

本发明专利技术涉及一种电致发光器件的发光层，包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种镧系稀土金属Tb配合物发光材料；其中，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的发射峰值波长比所述纳米晶体半导体材料短。本发明专利技术创新性地采用镧系稀土金属Tb配合物发光材料与纳米晶体半导体材料相配合，有利于能量从Tb配合物发光材料转移至纳米晶体半导体材料。同时，镧系稀土金属Tb配合物发光材料中的稀土元素Tb为重金属，具有较强的自旋‑轨道耦合效应，可以高效率地同时利用电致发光器件中的单线态与三线态能量，从而有效提高电致发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件及其发光层和应用
本专利技术涉及发光器件
，特别是涉及一种电致发光器件及其发光层和应用。
技术介绍
纳米晶体半导体材料，又称纳米晶，由有限数目的原子组成，至少两个维度尺寸均在纳米数量级，外观似一极小的点状物或棒状物/线状物，其内部电子运动在二维空间都受到了限制，量子限域效应特别显著。纳米晶体半导体材料受到光或电的激发，会发出半峰宽很窄的光谱(通常半峰宽小于40nm)，发光颜色主要由粒子大小决定，发光具有光色纯度高、发光量子效率高、性能稳定等特点。纳米晶体半导体材料由于其发光效率高，发光颜色可控，以及色纯度高等优点，在下一代显示技术中具有巨大的应用潜力。激发方式通常有光致发光和电致发光两种方式。光致发光方式主要是以蓝光LED作为激发光源，应用在照明领域和LCD显示的背光模组等。电致发光器件可以应用于照明和显示领域，尤其显示应用前景更为宽广。以纳米晶体半导体材料制作的电致发光器件作为一种新兴的发光器件，近年来受到了广泛的关注。由于量子限域效应的特征，以纳米晶体半导体材料制备的电致发光二极管，也被称为QLED(Q代表量子的含义，具体发光材料可包括点状、棒状或线状的材料)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光器件的发光层，其特征在于，包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种镧系稀土金属Tb配合物发光材料；其中，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的发射峰值波长比所述纳米晶体半导体材料短。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件的发光层，其特征在于，包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种镧系稀土金属Tb配合物发光材料；其中，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的发射峰值波长比所述纳米晶体半导体材料短。2.根据权利要求1所述的电致发光器件的发光层，其特征在于，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的配体种类包括：以O为配位原子的单齿或多齿配体，以N为配位原子的单齿或多齿配体，以S为配位原子的单齿或多齿配体中的至少一种。3.根据权利要求2所述的电致发光器件的发光层，其特征在于，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的配体种类包括：以O为配位原子的单齿或多齿配体，以N为配位原子的单齿或多齿配体中的至少一种。4.根据权利要求2所述的电致发光器件的发光层，其特征在于，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的配体种类包括：含有取代基或不含取代基的氧膦基，含有取代基或不含取代基的苯氧基，含有取代基或不含取代基的苯硫基，含有取代基或不含取代基的羰基，含有取代基或不含取代基的苯并噻唑，含有取代基或不含取代基的苯并咪唑，含有取代基或不含取代基的苯并噁唑，含有取代基或不含取代基的噻唑，含有取代基或不含取代基的咪唑，含有取代基或不含取代基的噁唑，含有取代基或不含取代基的喹啉，含有取代基或不含取代基的邻菲罗啉，含有取代基或不含取代基的吡啶，含有取代基或不含取代基的硝基，含有取代基或不含取代基的冠醚中的至少一种。5.根据权利要求1-4任一项所述的电致发光器件的发光层，其特征在于，所述纳米晶体半导体材料任选自II-VI族纳米晶体半导体材料、III-V族纳米晶体半导体材料、IV-VI族纳米晶体半导体材料、具有钙钛矿晶体类型的纳米晶体半导体材料、由单一或多种碳族元素组成的纳米晶体半导体材料中的一种或多种。6.根据权利要求5所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲，谢相伟，宋晶尧，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44