【技术实现步骤摘要】
一种阵列天线近场电磁兼容精确预报方法
本专利技术属于舰船电磁兼容
,具体涉及一种阵列天线近场电磁兼容精确预报方法,解决大型平台上阵列天线间隔离度的精确预报问题。
技术介绍
阵面天线(平面阵列天线)在工程上得到越来越广泛的应用。各种阵面天线可以安装于船舶等系统平台上。在船舶上设置多部阵面天线时,由于距离相对较近,不同天线间会存在近场电磁耦合,耦合的结果可能会带来电磁干扰,即影响了电磁兼容性。在船舶平台上,为实现最优化布局,需要对阵面天线间的电磁兼容进行精确预测。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是,针对现有阵面天线间的电磁兼容存在的上述不足,提供一种阵列天线近场电磁兼容精确预报方法,精确预测阵列天线间的耦合和干扰,尤其涉及船舶上平面阵列天线间的电磁兼容精确预测模型,较传统的一致性绕射理论,最终的隔离度结果的预报精度显著提高。本专利技术为解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种阵列天线近场电磁兼容精确预报方法,已知两个阵列天线的典型物理参数,包括频率、阵元样式、阵元排列方式、功率,以及阵列天线在某平台(如船舶)上的布局情况(即相互的空间关系),方法包括如下步骤:(1)求解两个平面阵列天线间的阵元耦合及其叠加:基于互阻抗原理,两个阵列天线的耦合求解表征为一个阵列天线端口的激励电压在另一个阵列天线端口产生的响应电流的求解过程,设定其中一个阵列天线为发射阵列天线,另一个阵列天线为被干扰阵列天线,互阻抗矩阵用来描述多端口网络的端口间的耦合,根据互阻抗矩阵求出两个阵列天线间的耦合参数;(2)求解激励电压:根据发射阵列天线的发射功率求解发射阵列天线的端口激励电压 ...
【技术保护点】
1.一种阵列天线近场电磁兼容精确预报方法,已知两个阵列天线的典型物理参数,包括频率、阵元样式、阵元排列方式、功率,以及阵列天线在某平台上的布局情况,其特征在于,方法包括如下步骤:(1)求解两个平面阵列天线间的阵元耦合及其叠加:基于互阻抗原理,两个阵列天线的耦合求解表征为一个阵列天线端口的激励电压在另一个阵列天线端口产生的响应电流的求解过程,设定其中一个阵列天线为发射阵列天线,另一个阵列天线为被干扰阵列天线,互阻抗矩阵用来描述多端口网络的端口间的耦合,根据互阻抗矩阵求出两个阵列天线间的耦合参数;(2)求解激励电压:根据发射阵列天线的发射功率求解发射阵列天线的端口激励电压,根据被干扰阵列天线的端口响应电流Ir以及被干扰阵列天线的阵元天线的内阻Zg求解被干扰阵列天线的端口激励电压Vr=-IrZg;(3)求解阻抗矩阵:根据发射阵列天线、被干扰阵列天线的阵元天线独立存在时的表面电流、端口电流,结合典型绕射的测试结果进行输入计算,求解两阵元天线的阻抗,最终预测两个阵列天线间的隔离度。
【技术特征摘要】
1.一种阵列天线近场电磁兼容精确预报方法,已知两个阵列天线的典型物理参数,包括频率、阵元样式、阵元排列方式、功率,以及阵列天线在某平台上的布局情况,其特征在于,方法包括如下步骤:(1)求解两个平面阵列天线间的阵元耦合及其叠加:基于互阻抗原理,两个阵列天线的耦合求解表征为一个阵列天线端口的激励电压在另一个阵列天线端口产生的响应电流的求解过程,设定其中一个阵列天线为发射阵列天线,另一个阵列天线为被干扰阵列天线,互阻抗矩阵用来描述多端口网络的端口间的耦合,根据互阻抗矩阵求出两个阵列天线间的耦合参数;(2)求解激励电压:根据发射阵列天线的发射功率求解发射阵列天线的端口激励电压,根据被干扰阵列天线的端口响应电流Ir以及被干扰阵列天线的阵元天线的内阻Zg求解被干扰阵列天线的端口激励电压Vr=-IrZg;(3)求解阻抗矩阵:根据发射阵列天线、被干扰阵列天线的阵元天线独立存在时的表面电流、端口电流,结合典型绕射的测试结果进行输入计算,求解两阵元天线的阻抗,最终预测两个阵列天线间的隔离度。2.如权利要求1所述的一种阵列天线近场电磁兼容精确预报方法,其特征在于,所述步骤(1)具体为:11)首先求出发射阵列天线的端口电流;对两个平面阵列天线,发射阵列天线阵元数为N,被干扰阵列天线阵元数为N′,将发射阵列天线和被干扰阵列天线构成的整个系统视为N+N′个端口的线性网络,激励电压和响应电流满足V=ZI(1)式中,V、I、Z分别为两个阵列天线端口的激励电压、响应电流、互阻抗矩阵,V、I、Z又表示为Ve和Vr分别为发射阵列天线、被干扰阵列天线端口的激励电压矩阵,Ie和Ir分别为发射阵列天线、被干扰阵列天线端口的响应电流矩阵,Zee和Zrr分别为发射阵列天线、被干扰阵列天线的阻抗矩阵,Zer、Zre分别为发射阵列天线、被干扰阵列天线的互阻抗矩阵,由于阵列间的互易性,有Zer=Zre;将式(2)代入式(1),有上式中Ir为待求量,Z通过后述式(6)~式(9)求出,V为两阵列天线的端口激励电压,为已知量;根据发射阵列天线包括N个阵元,则Ve和Ie为V1、V2、…VN为阵元1、2、…、N的端口激励电压,I1、I2、…IN为阵元1、2、…N的端口响应电流;根据被干扰阵列天线包括N′个阵元,则Vr和Ir为V1′、V2′、…VN′为阵元1′、2′、…N′的端口激励电压,I1′、I2′、…IN′为阵元1′、2′、…N′的端口响应电流;Zee、Zrr、Zer、Zre分别为Zij为阵元i与阵元j的互阻抗,式(6)中,i=1,…,N,j=1,…,N;式(7)中,i=1′,…,N′,j=1′,…,N′;式(8)中,i=1,…,N,j=1′,…,N′;式(9)中,i=1′,…,N′,j=1,…,N;根据式(3),Ve满足Ve=ZeeIe+ZerIr(10)由于Zer<<Zee和Ier<<Ie,式(10)变为Ve≈ZeeIe(11)从而有这样就获得了发射阵列天线端口的响应电流Ie;12)再根据发射阵列天线端口的响应电流Ie,以及发射阵列天线、被干扰阵列天线间互阻抗矩阵求解被干...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐青,方重华,陈亮,刘其凤,王春,陶理,
申请(专利权)人:中国舰船研究设计中心,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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