一种基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器，包括转子基体和定子基体，转子基体下表面设有感应电极Ⅰ、感应电极Ⅱ，定子基体上表面设有激励电极Ⅰ和激励电极Ⅱ，激励电极Ⅰ、Ⅱ的四个激励相分别连接四路激励信号，感应电极Ⅰ输出第一路差动正弦行波信号Uo1，感应电极Ⅱ输出第二路差动正弦行波信号Uo2，利用第一路差动正弦行波信号Uo1与第二路差动正弦行波信号Uo2的相位差计算粗测对极定位值，利用第一路差动正弦行波信号Uo1或者第二路差动正弦行波信号Uo2计算精测角位移值，将精测角位移值与粗测对极定位值相结合得到绝对角位移值。该传感器能实现高精度的绝对角位移测量。

【技术实现步骤摘要】
一种基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器
本技术涉及精密角位移传感器，具体涉及一种基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器。
技术介绍
角位移传感器分为增量式和绝对式两种。相比增量式，绝对式角位移传感器具有开机无需复位，立刻获得绝对角度信息和无累计误差等优势，提高了工作效率和可靠性，因而逐渐成为角位移传感器的发展趋势。目前使用广泛的是绝对式光电编码器，它主要通过编码实现绝对定位，但是编码解码过程复杂。另外，需要利用精密刻线作为空间基准来实现精密测量，但是刻线的宽度受到光学衍射极限的限制。近年来研制出一种以时钟脉冲作为位移测量基准的时栅传感器，并在此基础上研制出了一种电场式时栅角位移传感器(公开号为CN103968750A)，这种传感器以高频时钟脉冲作为测量基准，采用平行电容板构建交变电场进行精密位移测量，虽然能够实现精密测量，但是其采用增量计数方式，存在累计误差且只能识别一个周期内的角位移量。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器，以实现高精度的绝对角位移测量。本技术所述的基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器，包括定子基体和与定子基体同轴安装的转子基体，转子基体下表面与定子基体上表面正对平行，并留有间隙，转子基体下表面设有差动式的感应电极Ⅰ，定子基体上表面设有与感应电极Ⅰ正对的激励电极Ⅰ，所述激励电极Ⅰ由一圈径向高度相同、圆心角相等的扇环形极片Ⅰ沿圆周方向等间隔排布组成，其中，第4n1+1号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成A1激励相，第4n1+2号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成B1激励相，第4n1+3号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成C1激励相，第4n1+4号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成D1激励相，n1依次取0至M1-1的所有整数，M1表示激励电极Ⅰ的对极数。所述定子基体上表面设有激励电极Ⅱ，激励电极Ⅱ位于激励电极Ⅰ的内侧，所述转子基体下表面设有差动式的感应电极Ⅱ，感应电极Ⅱ与激励电极Ⅱ正对(即感应电极Ⅱ位于感应电极Ⅰ的内侧)。所述激励电极Ⅱ由一圈径向高度相同、圆心角相等的扇环形极片Ⅱ沿圆周方向等间隔排布组成，其中，第4n2+1号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成A2激励相，第4n2+2号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成B2激励相，第4n2+3号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成C2激励相，第4n2+4号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成D2激励相，n2依次取0至M2-1的所有整数，M2表示激励电极Ⅱ的对极数，M2＝M1-1。所述感应电极Ⅰ由一圈相同的双正弦形极片Ⅰ沿圆周方向等间隔排布组成，该双正弦形极片Ⅰ所对的圆心角等于扇环形极片Ⅰ所对的圆心角的2倍加两个扇环形极片Ⅰ之间间隔的圆心角，其中，第2n3+1号双正弦形极片Ⅰ连成一组，组成A1感应组，第2n3+2号双正弦形极片Ⅰ连成一组，组成B1感应组，n3依次取0至M3-1的所有整数，M3表示感应电极Ⅰ的对极数，M3＝M1。所述感应电极Ⅱ由一圈相同的双正弦形极片Ⅱ沿圆周方向等间隔排布组成，该双正弦形极片Ⅱ所对的圆心角等于扇环形极片Ⅱ所对的圆心角的2倍加两个扇环形极片Ⅱ之间间隔的圆心角，其中，第2n4+1号双正弦形极片Ⅱ连成一组，组成A2感应组，第2n4+2号双正弦形极片Ⅱ连成一组，组成B2感应组，n4依次取0至M4-1的所有整数，M4表示感应电极Ⅱ的对极数，M4＝M2。测量时，转子基体与定子基体相对平行转动，对A1、B1、C1、D1激励相分别施加相位依次相差90°的四路同频等幅正弦激励电压，同时对A2、B2、C2、D2激励相也分别施加所述相位依次相差90°的四路同频等幅正弦激励电压，感应电极Ⅰ的A1、B1感应组产生相位相差180°的同频等幅的第一、第二行波信号，经减法电路后获得第一路差动正弦行波信号Uo1，感应电极Ⅱ的A2、B2感应组产生相位相差180°的同频等幅的第三、第四行波信号，经减法电路后获得第二路差动正弦行波信号Uo2，第一路差动正弦行波信号Uo1或者第二路差动正弦行波信号Uo2经处理后得到精测角位移值(即对极内角位移值)，第一路差动正弦行波信号Uo1与第二路差动正弦行波信号Uo2比相后的相位差经处理后得到粗测对极定位值，将精测角位移值与粗测对极定位值相结合得到绝对角位移值。所述感应电极Ⅰ中的双正弦形极片Ⅰ沿圆周方向展开后的形状为两条幅值相等、相位相差180°的正弦曲线在[0,π]区间围成的全封闭轴对称图形Ⅰ，相邻两个双正弦形极片Ⅰ之间间隔的圆心角等于相邻两个扇环形极片Ⅰ之间间隔的圆心角。所述感应电极Ⅱ中的双正弦形极片Ⅱ沿圆周方向展开后的形状为两条幅值相等、相位相差180°的正弦曲线在[0,π]区间围成的全封闭轴对称图形Ⅱ，相邻两个双正弦形极片Ⅱ之间间隔的圆心角等于相邻两个扇环形极片Ⅱ之间间隔的圆心角。本技术具有如下效果：(1)采用电场耦合直接形成电行波的方法，融合了现有的多种栅式位移传感器的优点，并且功耗低、结构简单，易于加工制造。(2)对第一路差动正弦行波信号Uo1或者第二路差动正弦行波信号Uo2进行处理得到精测角位移值，将第一路差动正弦行波信号Uo1与第二路差动正弦行波信号Uo2比相后的相位差进行处理得到粗测对极定位值，粗测定位与精测均采用第一路、第二路差动正弦行波信号，信号差异性较小，既实现了绝对角位移测量，又保证了测量精度。(3)感应电极Ⅰ、Ⅱ采用多极片加差动形式的结构，抑制了共模干扰，从而有效的提高了测量的稳定性和测量精度，使其在高精度的情况下更适于工业应用。附图说明图1为本技术中定子基体上的电极与转子基体上的电极示意图。图2为本技术中定子基体与转子基体的对应关系示意图。图3为本技术中定子基体的引线示意图。图4为本技术中转子基体的引线示意图。图5为本技术的信号处理原理框图。具体实施方式下面结合附图对本技术作详细说明。如图1至图4所示的基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器，包括定子基体1和与定子基体1同轴安装的转子基体2，转子基体2下表面与定子基体1上表面正对平行，并留有0.5mm间隙，定子基体1、转子基体2均采用陶瓷作为基体材料，通过在陶瓷表面喷镀一层铁镍合金作为电极的极片。如图1至图3所示，定子基体1上表面由外圈到内圈依次设有激励电极Ⅰ11和激励电极Ⅱ12。激励电极Ⅰ11由一圈内圆半径为70mm、径向高度为10mm、圆心角为2.25°的扇环形极片Ⅰ沿圆周方向等间隔排布组成，该间隔所对的圆心角(即相邻两个扇环形极片Ⅰ之间间隔的圆心角)为2.25°，激励电极Ⅰ11的对极数M1＝20，每相邻的四个扇环形极片Ⅰ形成一个对极，则总共有80个扇环形极片Ⅰ；其中，沿圆周顺时针方向第4n1+1号扇环形极片Ⅰ通过第一根激励信号连接线连成一组，组成A1激励相，第4n1+2号扇环形极片Ⅰ通过第二根激励信号连接线连成一组，组成B1激励相，第4n1+3号扇环形极片Ⅰ通过第三根激励信号连接线连成一组，组成C1激励相，第4n1+4号扇环形极片Ⅰ通过第四根激励信号连接线连成一组，组成D1激励相，n1依次取0至19的所有整数。激励电极Ⅱ12由一圈内圆半径为59mm、径向高度为10mm、圆心角约为2.37°的扇环形极片Ⅱ沿圆周方向等间隔排布组成，该间隔所对的圆心角(即相邻两个扇环形极片Ⅱ之间间隔的圆心角本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器，包括定子基体(1)和与定子基体(1)同轴安装的转子基体(2)，转子基体下表面与定子基体上表面正对平行，并留有间隙，转子基体下表面设有差动式的感应电极Ⅰ(21)，定子基体上表面设有与感应电极Ⅰ(21)正对的激励电极Ⅰ(11)，所述激励电极Ⅰ(11)由一圈径向高度相同、圆心角相等的扇环形极片Ⅰ沿圆周方向等间隔排布组成，其中，第4n1+1号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成A1激励相，第4n1+2号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成B1激励相，第4n1+3号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成C1激励相，第4n1+4号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成D1激励相，n1依次取0至M1‑1的所有整数，M1表示激励电极Ⅰ的对极数；其特征是：所述定子基体上表面设有激励电极Ⅱ(12)，激励电极Ⅱ位于激励电极Ⅰ的内侧，所述转子基体下表面设有差动式的感应电极Ⅱ(22)，感应电极Ⅱ与激励电极Ⅱ正对；所述激励电极Ⅱ(12)由一圈径向高度相同、圆心角相等的扇环形极片Ⅱ沿圆周方向等间隔排布组成，其中，第4n2+1号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成A2激励相，第4n2+2号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成B2激励相，第4n2+3号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成C2激励相，第4n2+4号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成D2激励相，n2依次取0至M2‑1的所有整数，M2表示激励电极Ⅱ的对极数，M2＝M1‑1；所述感应电极Ⅰ(21)由一圈相同的双正弦形极片Ⅰ沿圆周方向等间隔排布组成，该双正弦形极片Ⅰ所对的圆心角等于扇环形极片Ⅰ所对的圆心角的2倍加两个扇环形极片Ⅰ之间间隔的圆心角，其中，第2n3+1号双正弦形极片Ⅰ连成一组，组成A1感应组，第2n3+2号双正弦形极片Ⅰ连成一组，组成B1感应组，n3依次取0至M3‑1的所有整数，M3表示感应电极Ⅰ的对极数，M3＝M1；所述感应电极Ⅱ(22)由一圈相同的双正弦形极片Ⅱ沿圆周方向等间隔排布组成，该双正弦形极片Ⅱ所对的圆心角等于扇环形极片Ⅱ所对的圆心角的2倍加两个扇环形极片Ⅱ之间间隔的圆心角，其中，第2n4+1号双正弦形极片Ⅱ连成一组，组成A2感应组，第2n4+2号双正弦形极片Ⅱ连成一组，组成B2感应组，n4依次取0至M4‑1的所有整数，M4表示感应电极Ⅱ的对极数，M4＝M2。...

【技术特征摘要】
1.一种基于交变电场的差极型绝对式时栅角位移传感器，包括定子基体(1)和与定子基体(1)同轴安装的转子基体(2)，转子基体下表面与定子基体上表面正对平行，并留有间隙，转子基体下表面设有差动式的感应电极Ⅰ(21)，定子基体上表面设有与感应电极Ⅰ(21)正对的激励电极Ⅰ(11)，所述激励电极Ⅰ(11)由一圈径向高度相同、圆心角相等的扇环形极片Ⅰ沿圆周方向等间隔排布组成，其中，第4n1+1号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成A1激励相，第4n1+2号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成B1激励相，第4n1+3号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成C1激励相，第4n1+4号扇环形极片Ⅰ连成一组，组成D1激励相，n1依次取0至M1-1的所有整数，M1表示激励电极Ⅰ的对极数；其特征是：所述定子基体上表面设有激励电极Ⅱ(12)，激励电极Ⅱ位于激励电极Ⅰ的内侧，所述转子基体下表面设有差动式的感应电极Ⅱ(22)，感应电极Ⅱ与激励电极Ⅱ正对；所述激励电极Ⅱ(12)由一圈径向高度相同、圆心角相等的扇环形极片Ⅱ沿圆周方向等间隔排布组成，其中，第4n2+1号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成A2激励相，第4n2+2号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成B2激励相，第4n2+3号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成C2激励相，第4n2+4号扇环形极片Ⅱ连成一组，组成D2激励相，n2依次取0至M2-1的所有整数，M2表示激励电极Ⅱ的对极数，M2＝M1-1；所述感应电极Ⅰ(21)由一圈相...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小康，王合文，彭凯，于治成，黄沛，
申请(专利权)人：重庆理工大学，
类型：新型
国别省市：重庆,50