一种OLED封装结构及封装方法技术

一种OLED封装结构及封装方法。涉及封装技术领域，尤其涉及一种OLED封装结构及封装方法。提供了一种能够阻挡水汽、氧气的作用强，封装效果好，具有较高的机械强度，有效提升OLED器件的发光品质与使用寿命的OLED封装结构及封装方法。包括相对设置的衬底基板和封装盖板，其特征在于，所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层，所述ITO电极层设在衬底基板上，所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极，所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。

An OLED Packaging Structure and Method

An OLED encapsulation structure and encapsulation method are provided. The invention relates to the field of packaging technology, in particular to an OLED packaging structure and a packaging method. This paper provides an OLED packaging structure and method which can block water vapor and oxygen, has good packaging effect, has high mechanical strength, and effectively improves the luminous quality and service life of OLED devices. The ITO electrode layer consists of ITO anode and ITO cathode, the ITO anode and ITO cathode, and the ITO anode and ITO cathode. There is a luminous layer between the cathodes.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED封装结构及封装方法
本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种OLED封装结构及封装方法。
技术介绍
OLED显示即为有机发光二极管显示，它具有自发光的特性，采用了非常薄的玻璃基板和有机材料涂层。当有电流通过OLED时，这些有机材料就会发光。OLED显示器件不仅可视角度大，最大可以达到160度，能够在节省电能的情况下提供很高的发光效率，而且其加工成本低廉，加工工艺简单。OLED显示器件的这些优点引起了广大光学领域和材料领域的学者们的关注和研究。经过十几年的发展，OLED显示器件在手机、计算机、数码产品和国防设备中得到广泛的应用。并且OLED在未来的可应用领域将包括天窗或窗户、天花板和墙壁、拥有照明功能的镜子、楼梯、地板，以及其他几乎无限可能性的领域。但是OLED技术相对于液晶显示（LCD），其技术还不够成熟，制造成本还不够低，产业化工艺技术还需要进一步的改善，其中阻碍OLED产业化发展的最重要的问题是OLED的稳定性和它的使用寿命问题。决定OLED稳定性和使用寿命的主要因素主要有：OLED器件中有机材料对水汽和氧气的敏感程度，OLED器件的驱动方式，OLED器件的结构和封装等。由OLED器件的失效原理可以发现当空气中的水汽和氧气通过封装层渗透进OLED器件与有机材料接触后，会迅速的使器件的发光效率下降，从而降低其使用寿命。通过改善器件的驱动方式来提高其使用寿命的方法获得的增益很小，不可能很大程度的提高器件的寿命及其稳定性，但是随着有机电致发光在材料方面的发展，新的材料的出现可能会在一定的程度上很好的解决器件稳定性和寿命的问题。而在现阶段，通过良好的封装来阻隔空气中的氧气和水汽在提高器件寿命方面是最直接也是获得的增益最大的有效方法。因此，通过改进OLED器件的封装方法来提高其寿命和稳定性对OLED的产业化发展具有非常重要的意义。随着信息显示技术的发展，有机电致发光器件（OLED）未来也伴随着科技的进步进入全新的时代，其结构由原来简单的单层结构发展到现在复杂的多层，器件的各功能层也分得更加的细致。OLED器件稳定性和寿命跟器件结构和材料密不可分。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供了一种能够阻挡水汽、氧气的作用强，封装效果好，具有较高的机械强度，有效提升OLED器件的发光品质与使用寿命的OLED封装结构及封装方法。本专利技术的技术方案是：包括相对设置的衬底基板和封装盖板，其特征在于，所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层，所述ITO电极层设在衬底基板上，所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极，所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。所述金属过渡层为铬和银铜合金。一种OLED封装结构的封装方法，包括以下步骤:步骤1，在衬底基板上制作OLED器件，得到OLED基板；步骤2，在OLED基板上镀一层SiO2绝缘层，作为封接边框的第一层；步骤3，在SiO2绝缘层上面镀一层金属过渡层，作为封接边框的第二层；步骤4，铟锡合金层作为封接边框的第三层；步骤5，提供封装盖板，将封装盖板与所述OLED基板对位压合，铟封连接封装盖板与OLED基板，形成OLED封装结构。步骤1）中，衬底基板为镀有ITO薄膜的玻璃，形成ITO玻璃基板，对ITO玻璃基板进行刻蚀操作。刻蚀ITO玻璃基板包括以下步骤：1.1)将清洗好的带有ITO薄膜的玻璃用镊子从酒精中取出，用N2吹干玻璃上的酒精；1.2)用透明胶带粘贴在镀有ITO薄膜的玻璃上，然后用刻刀和直尺刻出所需的形状，去除多余的胶带；1.3)用无尘布沾取丙酮或酒精擦拭掉胶带留下的不干胶，1.4)将用胶带粘贴好并擦拭干净后的玻璃用镊子放入装有酸溶液的烧杯中进行腐蚀；1.5)3-5分钟后，用镊子将玻璃取出来，用水反复冲洗，去除表面残留的稀盐酸，然后去除ITO图形处的胶带，用丙酮或酒精擦拭干净玻璃。步骤4）中，镀完铟锡合金层后，采用砂纸对铟锡合金层进行打磨抛光处理。步骤5）中，封装盖板与OLED基板对位压合后，运用激光对铟锡合金层进行局部加热，从而封接盖板与OLED基板，形成OLED封装结构。步骤5）中，所述封装盖板朝向衬底基板的一侧镀制金属过渡层。本专利技术包括衬底基板，与衬底基板相对设置的封装盖板，位于衬底基板与封装盖板之间设于衬底基板上的OLED器件和OLED铟封装结构；其中，第一层为SiO2绝缘层，目的是让金属过渡层与衬底基板上的ITO电极绝缘；第二层为金属过渡层，该层镀膜采用的金属为铬和银铜合金，第三层则为铟锡合金层，涂镀的铟锡合金受热熔化，再降温凝固，使OLED基板和封装盖板形成气密性封接。激光加热铟封接边框的结构简单，需要制备的膜层少，同时在激光封接过程中至需要加热器件边缘的封接部位，不影响器件中部的OLED发光层。附图说明图1是本专利技术的封装流程示意图，图2是铟封OLED器件结构示意图，图3是激光加热封装边框剖面结构示意图，图4是刻蚀ITO电极的示意图，图5是SiO2绝缘层示意图，图6是镀制金属过渡层后的结构示意图。具体实施方式本专利技术如图1-6所示，包括相对设置的衬底基板和封装盖板，所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层，所述ITO电极层设在衬底基板上，所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极，所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。所述金属过渡层为铬和银铜合金。一种OLED封装结构的封装方法，包括以下步骤:步骤1，在衬底基板上制作OLED器件，得到OLED基板；步骤2，在OLED基板上镀一层SiO2绝缘层，作为封接边框的第一层；步骤3，在SiO2绝缘层上面镀一层金属过渡层，作为封接边框的第二层；步骤4，铟锡合金层作为封接边框的第三层；步骤5，提供封装盖板，将封装盖板与所述OLED基板对位压合，铟封连接封装盖板与OLED基板，形成OLED封装结构。步骤1）中，衬底基板为镀有ITO薄膜的玻璃，形成ITO玻璃基板，对ITO玻璃基板进行刻蚀操作。刻蚀ITO玻璃基板包括以下步骤：1.1)将清洗好的带有ITO薄膜的玻璃用镊子从酒精中取出，用N2吹干玻璃上的酒精；1.2)用透明胶带粘贴在镀有ITO薄膜的玻璃上，然后用刻刀和直尺刻出所需的形状，去除多余的胶带；1.3)用无尘布沾取丙酮或酒精擦拭掉胶带留下的不干胶，1.4)将用胶带粘贴好并擦拭干净后的玻璃用镊子放入装有预先配置好的酸溶液的烧杯中进行腐蚀；从而腐蚀掉曝露在酸溶液中的ITO薄膜。1.5)3-5分钟后，用镊子将玻璃取出来，用水反复冲洗，去除表面残留的稀盐酸，然后去除ITO图形处的胶带，用丙酮或酒精擦拭干净玻璃。步骤4）中，镀完铟锡合金层后，采用砂纸对铟锡合金层进行打磨抛光处理。步骤5）中，封装盖板与OLED基板对位压合后，运用激光对铟锡合金层进行局部加热，从而封接盖板与OLED基板，形成OLED封装结构。步骤5）中，所述封装盖板朝向衬底基板的一侧镀制金属过渡层。OLED器件的结构需要先在蒸镀有机功能层之前制备好封接边，为了防止阴极引出线破坏铟封结构，影响器件的封装效果，采用直接由底层ITO作为阴极引出线，器件的阴极直接与ITO阴极引出线镀制重合，这样就把电极引出器件。铟封OLED器件的封装边区域（激光加热区）剖面结构示意图如图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED封装结构，包括相对设置的衬底基板和封装盖板，其特征在于，所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层，所述ITO电极层设在衬底基板上，所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极，所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。

【技术特征摘要】
1.一种OLED封装结构，包括相对设置的衬底基板和封装盖板，其特征在于，所述衬底基板和封装盖板之间依次设有ITO电极层、SiO2绝缘层、金属过渡层和铟锡合金层，所述ITO电极层设在衬底基板上，所述ITO电极层包括ITO阳极和ITO阴极，所述ITO阳极和ITO阴极之间具有发光层。2.根据权利要求1所述的一种OLED封装结构，其特征在于，所述金属过渡层为铬和银铜合金。3.一种权利要求1所述的OLED封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤1，在衬底基板上制作OLED器件，得到OLED基板；步骤2，在OLED基板上镀一层SiO2绝缘层，作为封接边框的第一层；步骤3，在SiO2绝缘层上面镀一层金属过渡层，作为封接边框的第二层；步骤4，铟锡合金层作为封接边框的第三层；步骤5，提供封装盖板，将封装盖板与所述OLED基板对位压合，铟封连接封装盖板与OLED基板，形成OLED封装结构。4.根据权利要求3所述的一种OLED封装结构的封装方法，其特征在于，步骤1）中，衬底基板为镀有ITO薄膜的玻璃，形成ITO玻璃基板，对ITO玻璃基板进行刻蚀操作。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王毅，王军，张孔欣，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32