阳极结构制造技术

本实用新型专利技术提供的阳极结构，涉及半导体技术领域。其中，阳极结构包括：衬底；制作于所述衬底的第一阳极层；制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层。通过上述设置，以改善现有技术中因阳极层的功函数较低而导致应用的OLED器件启动电压较高的问题。

Anode structure

The anode structure provided by the utility model relates to the technical field of semiconductors. Among them, the anode structure includes: a substrate; a first anode layer fabricated on the substrate; a second anode layer fabricated on one side of the first anode layer away from the substrate; and a third anode layer fabricated on one side of the second anode layer away from the first anode layer, which is a ZrN structure layer, an AlTiN structure layer or an AlTiN structure layer. AlZrN structure layer. Through the above settings, the problem of high starting voltage of OLED devices in application due to the lower work function of the anode layer in the prior art can be improved.

【技术实现步骤摘要】
阳极结构
本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种阳极结构。
技术介绍
随着半导体器件的应用领域的不断扩展，为保证半导体器件的性能，半导体器件的制造得到了广泛的关注。其中，在OLED器件中启动电压的高低直接影响着器件的性能。经专利技术人研究发现，在现有的OLED器件，存在着因器件的阳极层的功函数较低而导致器件的启动电压较高的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种阳极结构，以改善现有技术中因阳极层的功函数较低而导致应用的OLED器件启动电压较高的问题。为实现上述目的，本技术实施例采用如下技术方案：一种阳极结构，包括：衬底；制作于所述衬底的第一阳极层；制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述第二阳极层为Al：Ag结构层，其中，该Al：Ag结构层中Al和Ag的比例为95％：5％。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述衬底为硅片、玻璃、PET结构或PI结构，所述第一阳极层为Cr结构层、Ti结构层或Cr：Ti结构层。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述衬底为硅片，所述第一阳极层为Cr结构层，所述第三阳极层为AlTiN结构层。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述衬底的厚度为0.01-2mm，所述第一阳极层的厚度为1-50nm，所述第二阳极层的厚度为30-1000nm，所述第三阳极层的厚度为1-30nm。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述第一阳极层的厚度为10nm，所述第二阳极层的厚度为50nm，所述第三阳极层的厚度为10nm。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，还包括：制作于所述衬底的钝化层，该钝化层位于所述衬底与所述第一阳极层之间。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述钝化层为SiO2结构层、SiNx结构层或SiO2和SiNx的混合结构层。在本技术实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述钝化层为SiO2结构层，且厚度为300nm。本技术实施例还提供了另一种阳极结构，包括：衬底；制作于所述衬底的第一阳极层；制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层；其中，所述第一阳极层、第二阳极层和第三阳极层分别为多个，且一一对应设置，各所述第一阳极层间隔设置，各所述第二阳极层间隔设置，各所述第三阳极层间隔设置。本技术提供的阳极结构，通过采用ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层作为第三阳极层，利用ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层的高功函数特性，可以提高阳极结构的功函数，以改善现有技术中因阳极层的功函数较低而导致应用的OLED器件启动电压较高的问题。进一步地，通过采用Al：Ag结构层作为阳极结构的第二阳极层，利用Al和Ag的合金材料具有的高反射特性，可以在保证第二阳极层的厚度较小的同时，还能保证对应的阳极结构具有较高的反射性能，进而保证通过该阳极结构制造的OLED器件具有较好的显示性能。为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明图1为本技术实施例提供的阳极结构的结构示意图。图2为本技术实施例提供的阳极结构的另一结构示意图。图3为本技术实施例提供的阳极结构制造方法的流程示意图。图4为图3中步骤S110的流程示意图。图5为图4中步骤S115的流程示意图。图标：100-阳极结构；110-衬底；120-钝化层；130-第一阳极层；150-第二阳极层；170-第三阳极层。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为只是或暗示相对重要性。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1所示，本技术实施例提供了一种阳极结构100，可应用于OLED器件。其中，所述阳极结构100可以包括衬底110、第一阳极层130、第二阳极层150以及第三阳极层170。进一步地，在本实施例中，所述第一阳极层130制作于所述衬底110，所述第二阳极层150制作于所述第一阳极层130远离所述衬底110的一面，所述第三阳极层170制作于所述第二阳极层150远离所述第一阳极层130的一面。并且，为保证显示的效果，所述第一阳极层130、第二阳极层150和第三阳极层170分别可以为多个，且一一对应设置。各所述第一阳极层130间隔设置，各所述第二阳极层150间隔设置，各所述第三阳极层170间隔设置。可选地，所述第一阳极层130、所述第二阳极层150以及第三阳极层170的数量不受限制，可以根据实际应用中应用的OLED器件的像素点数量进行设置，例如，若OLED器件的分辨率是1920*1080，则需要的第一阳极层130的数量为1920*1080，第二阳极层150的数量为1920*1080，第三阳极层170的数量为1920*1080。可选地，所述衬底110的材料不受限制，例如，可以包括，但不限于硅片、玻璃、PET结构或PI结构。其中，采用硅片时可以是不透明的硅片基底，或者，采用玻璃时可以是透明玻璃基底，或者，采用PET结构或PI结构时可以是透明柔性的PET基底或PI基底。在本实施例中，优选地，所述衬底110可以为硅片，以保证制造得到的阳极结构100具有较低的成本。可选地，所述衬底110的厚度不受限制，可以根据实际应用需求进行设置，例如，可以根据对应用的OLED器件的厚度需求进行设置或者根据是否能够对各阳极层的制造进行有效地支撑进行设置。在本实施例中，优选地，所述衬底110的厚度可以为0.01-2mm。可选地，所述第一阳极层130的材料不受限制，例如，可以包括，但不限于Cr结构层、Ti结构层或Cr：Ti结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阳极结构，其特征在于，包括：衬底；制作于所述衬底的第一阳极层；制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层。

【技术特征摘要】
1.一种阳极结构，其特征在于，包括：衬底；制作于所述衬底的第一阳极层；制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层。2.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述衬底为硅片、玻璃、PET结构或PI结构，所述第一阳极层为Cr结构层、Ti结构层或Cr：Ti结构层。3.根据权利要求2所述的阳极结构，其特征在于，所述衬底为硅片，所述第一阳极层为Cr结构层，所述第三阳极层为AlTiN结构层。4.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述衬底的厚度为0.01-2mm，所述第一阳极层的厚度为1-50nm，所述第二阳极层的厚度为30-1000nm，所述第三阳极层的厚度为1-30nm。5.根据权利要求4所述的阳极结构，其特征在于，所述第一阳极层的厚度为10nm，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，祝晓钊，史晓波，王江南，冯敏强，廖良生，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32