一种ZnMgO紫外探测器制造技术

本发明专利技术提供了一种ZnMgO紫外探测器，包括：ZnMgO薄膜层；所述ZnMgO薄膜层的晶体结构为立方相；所述ZnMgO薄膜层按照以下方法制备：以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，在通入氧气的金属有机化合物化学气相沉积设备中生长ZnMgO薄膜层。与现有技术相比，本发明专利技术使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgO薄膜，其气流与衬底平行，且生长温度较低，使制备得到的ZnMgO薄膜层具有结晶质量高，不出现分相，吸收截至边陡峭等特点，进而使包含ZnMgO薄膜层的紫外探测器具有较好的光效应能力，无需调解ZnMgO薄膜层的光吸收截止边即可调节器件的光响应截止边，而且制备工艺简单，反应过程容易控制。

A ZnMgO Ultraviolet Detector

The invention provides a zinc MgO ultraviolet detector, which comprises: a zinc MgO film layer; the crystal structure of the zinc MgO film layer is cubic phase; the zinc MgO film layer is prepared according to the following methods: using organic zinc compound as zinc source, organic magnesium compound as magnesium source, and setting up a metal organic compound chemical vapor deposition device with oxygen. ZnMgO thin films were grown in the preparation process. Compared with the prior art, the ZnMgO thin film is prepared by chemical vapor deposition of organometallic compounds. The gas flow is parallel to the substrate and the growth temperature is low. The prepared ZnMgO thin film has the characteristics of high crystallization quality, no phase separation and steep absorption to the edge, thus making the ultraviolet containing the ZnMgO thin film layer. The detector has good optical effect ability. It can adjust the optical response cut-off edge of the device without adjusting the optical absorption cut-off edge of the ZnMgO film. Moreover, the preparation process is simple and the reaction process is easy to control.

【技术实现步骤摘要】
一种ZnMgO紫外探测器
本专利技术属于半导体光电探测器
，尤其涉及一种ZnMgO紫外探测器。
技术介绍
紫外探测技术可用于军事通信、导弹尾焰探测、火灾预警、环境监测、生物效应等方面，无论在军事上还是在民用上都有广泛的应用。由于大气层的强烈吸收，使得太阳辐射中波长低于280nm的紫外线在地表几乎不存在，这一紫外波段被形象的称为日盲波段。工作在这一波段的日盲紫外探测器不受太阳辐射的干扰，具有更高的灵敏度，可用于导弹预警等方面，因此受到了人们广泛的关注。己投入商用的紫外探测器主要有硅探测器、光电倍增管和半导体探测器。硅基紫外光电管需要附带滤光片，光电倍增管则需要在高电压下工作，而且体积笨重、效率低、易损坏且成本较高，对于实际应用有一定的局限性。相对硅探测器和光电倍增管来说，由于半导体材料具有携带方便、造价低、响应度高等优点而备受关注。目前研究较多的半导体材料主要有III-V族的合金AlGaN和II-VI族的合金ZnMgO。目前报道的GaN通过掺入铝能把能带调宽到日盲区，并制作成MSM和p-n等结构的探测器。但是AlGaN的生长温度高，而且高铝组份的合金结晶质量差。ZnMgO由于具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ZnMgO紫外探测器，其特征在于，包括：ZnMgO薄膜层；所述ZnMgO薄膜层的晶体结构为立方相；所述ZnMgO薄膜层按照以下方法制备：以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，在通入氧气的金属有机化合物化学气相沉积设备中生长ZnMgO薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种ZnMgO紫外探测器，其特征在于，包括：ZnMgO薄膜层；所述ZnMgO薄膜层的晶体结构为立方相；所述ZnMgO薄膜层按照以下方法制备：以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，在通入氧气的金属有机化合物化学气相沉积设备中生长ZnMgO薄膜层。2.根据权利要求1所述的ZnMgO紫外探测器，其特征在于，所述ZnMgO薄膜层的吸收截至边为220～240nm。3.根据权利要求1所述的ZnMgO紫外探测器，其特征在于，所述ZnMgO薄膜层的厚度为100～600nm。4.根据权利要求1所述的ZnMgO紫外探测器，其特征在于，所述ZnMgO紫外探测器的光响应截止边为275～350nm。5.根据权利要求1所述的ZnMgO紫外探测器，其特征在于，包括：衬底；设置于衬底上的ZnMgO薄膜层；设置于ZnMgO薄膜层上的电极层。6.根据权利要求5所述的ZnMgO紫外探测器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈星，刘可为，李炳辉，张振中，申德振，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22