磁场中的推进器、磁场中的制动和/或发电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强，所述导体设于所述增强通路。该推进器具有更大的推进力，而且可以有各种不同的形式，结构简单，可有效克服现有推进器存在的不足。

【技术实现步骤摘要】
磁场中的推进器、磁场中的制动和/或发电装置
本专利技术涉及推进器
，特别是利用地球磁场或者宇宙空间磁场或星际空间磁场等空间的磁场中产生推进力的推进器，以及磁场中的制动和/或发电装置。
技术介绍
由于地磁场或星际空间的磁场强度很小，现有技术中的利用地磁场或星际空间磁场来产生推进力的推进器都难以产生较大的推进力，导致无法充分的利用地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场来实现推进，在应用上受到了很大的限制，有待于做出全新的设计。因此，如何克服现有推进器存在的不足，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种磁场中的推进器。该推进器通过聚集放大地磁场或者宇宙空间磁场等外部磁场，在外部磁场被放大处放置导体，导体通电后与地磁场或宇宙空间磁场或星际空间磁场等磁场产生的作用力或安培力或洛伦兹力来产生推进作用力，能够充分利用地磁场或者宇宙空间磁场进行推进，可以获得更大的推进力，从而满足实际使用要求。为实现上述第一目的，本专利技术提供一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，其特征在于，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强，导体设于增强通路。优选地，磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路，外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，收口通路在空间上从上方和/或下方向中间直接变窄或，收口通路自其一端向另一端逐渐变窄，增强通路为收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路可选地，收口通路位于外部磁场通路的一端或两端。可选地，形成外部磁场通路的磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由收口通路改变方向，并于增强通路得以增强。可选地，磁场聚集部件的本体材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线。可选地，磁场聚集部件的材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种。可选地，磁场聚集部件的本体材料为热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种。可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路；或者，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者的间距向中间直接变小，形成收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成增强通路。可选地，上引导件和下引导件的另一端或中部相互平行；上引导件和下引导件上下对称或非对称分布，上引导件和下引导件其一端或两端上下方向的距离呈弧形的逐渐变小或者其一端或两端上下方向的距离呈直角平面形状的直接变小。可选地，增强通路弯曲设置并形成至少两个延伸方向不同的直线段。可选地，导体为线圈，线圈的第一部分位于增强通路，线圈的第二部分位于增强通路的外部，线圈的第一部分和第二部分的电流方向相反。可选地，导体具有相平行的第一导线段和第二导线段以及连接第一导线段和第二导线段的过渡导线段，第一导线段位于增强通路，第二导线段由过渡导线段引至收口通路的端口外侧。可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成收口通路；收口通路变狭窄的区域形成增强通路。可选地，导体为设于增强通路的直线形导体。可选地，磁场聚集部件为螺旋形线圈，螺旋形线圈每一端均向螺旋形线圈的中部逐渐或直接收拢，形成收口通路，或者，螺旋形线圈自一端向螺旋形线圈的另一端逐渐或直接收拢，形成收口通路；螺旋形线圈通电后形成引导磁力线，以改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。可选地，磁场聚集部件的螺旋形线圈的单圈呈四边形或椭圆形。可选地，磁场聚集部件包括上螺旋线圈和下螺旋线圈，上螺旋线圈和下螺旋线圈上下方向的间距仅自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成收口通路，上螺旋线圈和下螺旋线圈的另一端之间，形成增强通路；或者，上螺旋线圈和下螺旋线圈上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成收口通路，上螺旋形线圈和下螺旋形线圈的中部之间保持变小后的间距，形成增强通路；上螺旋线圈和下螺旋线圈通电后形成引导磁力线，以改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。可选地，上螺旋线圈和下螺旋线圈上下对称或非对称分布，两者的单圈分别呈四边形或椭圆形。可选地，导体包括螺旋形线圈和磁场屏蔽套，螺旋形线圈具有若干下平行段和上平行段，导体的螺旋形线圈通电后，下平行段与上平行段的电流方向相反，其中，下平行段或上平行段设有磁场屏蔽套。可选地，导体的螺旋形线圈为扁平状。可选地，磁场屏蔽套的材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线。可选地，磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料。可选地，磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种。可选地，磁场屏蔽套的材料为高磁导率材料或软磁材料。可选地，磁场屏蔽套的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体。优选地，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于1的材料。优选地，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于10的材料。优选地，磁场屏蔽套的材料为相对磁导率大于100的材料。可选地，导体包括连续弯曲呈“S”形的导线和磁场屏蔽管，“S”形导线具有若干平行的直线段，相邻两个直线段的电流方向相反，直线段以间隔的方式设有磁场屏蔽管。可选地，磁场屏蔽管的材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线。可选地，磁场屏蔽管的材料为抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料或超导材料中的至少一种，或者为其他能够阻挡外部磁场的磁力线的材料。可选地，磁场屏蔽管的材料为抗磁性材料、热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种。可选地，磁场屏蔽管的材料为高磁导率材料或软磁材料。可选地，磁场屏蔽管的材料为坡莫合金、铸铁、硅钢片、镍锌铁氧体、镍铁合金或锰锌铁氧体。优选地，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于1的材料。优选地，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于10的材料。优选地，磁场屏蔽管的材料为相对磁导率大于100的材料。可选地，磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；上引导件和下引导件为永磁铁制成，上引导件、下引导件上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成收口通路；或者，上引导件和下引导件上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成收口通路；上引导件、下引导件具有的磁场的磁力线为引导磁力线，以改变外部磁场的磁力线方向而被汇聚到增强通路。可选地，上引导件、下引导件均设有内层，上引导件、下引导件的两端分别伸出于内层，形成外部磁场通路的端口区域；内层的材料是抗磁性材料、高抗磁性材料、完全抗磁性材料、完美抗磁性、超抗磁性体、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强，所述导体设于所述增强通路。

【技术特征摘要】
2018.01.10 CN 2018100214403;2018.04.03 CN 201810291.一种磁场中的推进器，包括磁场聚集部件和能够通电的导体，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的外部磁场通路，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，形成所述外部磁场通路的所述磁场聚集部件的本体能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线，当外部磁场的磁力线由外部磁场通路通过时，以使外部磁场的磁力线经由所述收口通路改变方向，并于所述增强通路得以增强，所述导体设于所述增强通路。2.根据权利要求1所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件设有用于增强外部磁场的左右贯通的外部磁场通路，所述外部磁场通路至少包括收口通路和增强通路，所述收口通路在空间上从上方和/或下方向中间直接变窄或，所述收口通路自其一端向另一端逐渐变窄，所述增强通路为所述收口通路变窄之后的通路或收口通路变窄之后的后延通路。3.根据权利要求1或2所述的推进器，其特征在于，所述收口通路位于所述外部磁场通路的一端或两端。4.根据权利要求1-3中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件的本体材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线。5.根据权利要求1-4中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件的材料为高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性体材料、超导材料、完美抗磁性材料、超抗磁性体、完全抗磁性体、超导、超导体、抗磁性材料、热解石墨、铋、水银、银、金刚石、铅、石墨、铜中的至少一种。6.根据权利要求1-5中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件的本体材料为热解石墨、铋、银、金刚石、铅、石墨、铜或者置于密封容腔中水银中的至少一种。7.根据权利要求1-6中任一项中任一项所述的推进器，其特征在于，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成所述收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路；或者，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；两者的间距向中间直接变小，形成所述收口通路；两者之间保持变小之后的间距，形成所述增强通路。8.根据权利要求1-7中任一项所述的推进器，其特征在于，所述上引导件和下引导件的另一端或中部相互平行；所述上引导件和下引导件上下对称或非对称分布，上引导件和下引导件其一端或两端上下方向的距离呈弧形的逐渐变小或者其一端或两端上下方向的距离呈直角平面形状的直接变小。9.根据权利要求1-8中任一项所述的推进器，其特征在于，所述增强通路弯曲设置并形成至少两个延伸方向不同的直线段；和/或，所述导体为线圈，所述线圈的第一部分位于所述增强通路，所述线圈的第二部分位于所述增强通路的外部，所述线圈的第一部分和第二部分的电流方向相反；和/或，所述导体具有相平行的第一导线段和第二导线段以及连接所述第一导线段和第二导线段的过渡导线段，所述第一导线段位于所述增强通路，所述第二导线段由所述过渡导线段引至所述收口通路的端口外侧；和/或，所述磁场聚集部件包括上引导件和下引导件；所述上引导件和下引导件上下对称分布，并且呈弧形，两者上下方向的间距自一端向另一端逐渐变小，形成所述收口通路；所述收口通路变狭窄的区域形成所述增强通路；和/或，所述导体为设于所述增强通路的直线形导体；和/或，所述磁场聚集部件为螺旋形线圈，所述螺旋形线圈每一端均向所述螺旋形线圈的中部逐渐或直接收拢，形成所述收口通路，或者，所述螺旋形线圈自一端向所述螺旋形线圈的另一端逐渐或直接收拢，形成所述收口通路；所述螺旋形线圈通电后形成引导磁力线，以改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述磁场聚集部件的螺旋形线圈的单圈呈四边形或椭圆形；和/或，所述磁场聚集部件包括上螺旋线圈和下螺旋线圈，所述上螺旋线圈和下螺旋线圈上下方向的间距仅自一端向另一端逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路，所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈的另一端之间，形成所述增强通路；或者，所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈上下方向的间距自两端向中部逐渐变小或直接变小，形成所述收口通路，所述上螺旋形线圈和所述下螺旋形线圈的中部之间保持变小后的间距，形成所述增强通路；所述上螺旋线圈和所述下螺旋线圈通电后形成引导磁力线，以改变所述外部磁场的磁力线方向而被汇聚到所述增强通路；和/或，所述上螺旋线圈和下螺旋线圈上下对称或非对称分布，两者的单圈分别呈四边形或椭圆形；和/或，所述导体包括螺旋形线圈和磁场屏蔽套，所述螺旋形线圈具有若干下平行段和上平行段，所述导体的螺旋形线圈通电后，所述下平行段与上平行段的电流方向相反，其中，所述下平行段或上平行段设有所述磁场屏蔽套；和/或，所述导体的螺旋形线圈为扁平状；和/或，所述磁场屏蔽套的材料能够排斥或者阻挡外部磁场的磁力线；和/或，所述磁场屏蔽套的材料为抗磁性材料、高抗磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丹，
申请(专利权)人：深圳市丹明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44