金属电极的沉积方法技术

本发明专利技术公开了一种金属电极的沉积方法，该方法包括：在晶圆表面蒸涂底膜；在所述晶圆的表面涂覆双层光刻胶层，所述双层光刻胶层覆盖所述底膜；对双层光刻胶层进行曝光、显影，以显现出特定沉积图形；依次在所述沉积图形上进行第一金属和第二金属沉积；将第三金属以不同速率分次在所述第二金属层上进行沉积；去除所述晶圆表面的光刻胶层，以在所述晶圆表面形成金属电极图形。本发明专利技术通过不同沉积速率搭配沉积的方式，可以较好地维持光刻胶的胶型，防止长时间高能量原子轰击光刻胶，导致光刻胶变形塌陷，解决金属剥离困难的问题。

【技术实现步骤摘要】
金属电极的沉积方法
本专利技术涉及半导体光电
，尤其涉及一种金属电极的沉积方法。
技术介绍
金属电极沉积方法在半导体及微纳技术中广泛应用，通常有电子束蒸发物理沉积方法和电化学方法。采用电子束蒸发方式垂直入射方向好，且金属与半导体之间可获得较好的粘附性，从而在激光器芯片表面形成金属电路。在激光器芯片表面制作正面电极(p-电极)时，需要先进行黄光工艺，将特定的电路通道暴露出来，再采用金属沉积方式进行长金。在有光刻胶掩膜的金属沉积工艺中，一般会采用双层光刻胶形成双层屋檐结构(undercut)，取代单层胶结构，便于长金后的金属剥离(lift-off)。但当电子束蒸发沉积＞2um金属时，单纯采用一种沉积速率达到目标沉积厚度时，不论单层光刻胶结构还是双层光刻胶结构，在金属应力及温度影响下，均会不同程度地出现光刻胶变形问题。例如：采用低沉积速率沉积金属时，金属沉积时间过长，生产效率低，生产成本过高，同时长时间金属沉积，也会导致过高的金属张应力；采用高沉积速率沉积金属时，高速率高能量原子轰击光刻胶会导致光刻胶发生塌陷，金属剥离困难、金属卷边问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属电极的沉积方法，其特征在于，包括：在晶圆表面蒸涂底膜；在所述晶圆的表面涂覆双层光刻胶层，所述双层光刻胶层覆盖所述底膜；对双层光刻胶层进行曝光、显影，以显现出特定沉积图形；依次在所述沉积图形上进行第一金属和第二金属沉积；将第三金属以不同速率分次在所述第二金属层上进行沉积；去除所述晶圆表面的光刻胶层，以在所述晶圆表面形成金属电极图形。

【技术特征摘要】
1.一种金属电极的沉积方法，其特征在于，包括：在晶圆表面蒸涂底膜；在所述晶圆的表面涂覆双层光刻胶层，所述双层光刻胶层覆盖所述底膜；对双层光刻胶层进行曝光、显影，以显现出特定沉积图形；依次在所述沉积图形上进行第一金属和第二金属沉积；将第三金属以不同速率分次在所述第二金属层上进行沉积；去除所述晶圆表面的光刻胶层，以在所述晶圆表面形成金属电极图形。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第三金属以不同速率分次在所述第二金属层上进行沉积，包括：以第一速率在所述沉积图形上进行所述第三金属沉积，形成第一沉积层；以第二速率在所述第一沉积层上进行所述第三金属沉积，形成第二沉积层；以第三速率在所述第二沉积层上进行所述第三金属沉积，形成第三沉积层；其中，所述第一速率等于所述第三速率，所述第一速率和第三速率均小于所述第二速率。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成第一沉积层之后，所述方法还包括：在抽真空状态下，通过氩气进行冷却；其中，真空度维持在0.5Pa，冷却时间为10min。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成第二沉积层之后，所述方法还包括：在抽真空状态下，通过氩气进行冷却；其中，真空度维持在0.5Pa，冷却时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：逯心红，郝润豹，尚飞，
申请(专利权)人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37