A method for improving the cavity surface stability of GaAs based semiconductor lasers belongs to the field of laser technology. It is difficult to effectively improve the cavity surface stability of GaAs based semiconductor lasers due to the known technologies in this field, and the performance of GaAs based semiconductor lasers is greatly limited. The present invention followed by plasma argon, hydrogen, oxygen, nitrogen or the mixed gas containing six sulfur hexafluoride and plasma atmosphere surface treatment of GaAs based semiconductor laser cavity surface, combined with vacuum coating or chemical vapor deposition preparation of protective film, high reflection film and laser cavity surface or antireflection coating, the formation of high the power of working conditions on the working environment of the stable atmosphere laser cavity surface.
【技术实现步骤摘要】
一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
本专利技术涉及一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光
技术介绍
砷化镓基半导体激光器作为目前高功率半导体激光器的主要选择类型，具有材料外延质量好、芯片工艺成熟、工作波长灵活的优点。随着激光器材料与工艺技术的发展，砷化镓基半导体激光器的单条形输出功率已经达到20W以上，其腔面功率密度达到20MW/平方厘米以上。由于腔面污染、腔面晶格缺陷造成的激光器腔面光吸收在高功率密度工作条件下极易造成腔面烧毁，成为限制砷化镓基半导体激光器输出功率提高的重要因素。为了有效改善砷化镓基半导体激光器腔面的高功率工作稳定性，包括采用二次外延宽带隙材料、量子阱混杂工艺、真空腔面解理抑制激光器腔面光吸收都获得了明显的改善效果，但均存在工艺复杂、成本高的缺点，并可能引入新的波导损耗，使激光器的输出功率、效率下降。
技术实现思路
本专利技术是这样实现的，首先通过氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体进行表面处理，去除空气中自然解理激光器腔面上存在的有机物、碳化物污染，然后通过含有六氟化硫的等离子气氛表面处理减少砷化镓基半导...
【技术保护点】
一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，其特征在于，通过六氟化硫的等离子气氛表面处理减少砷化镓基半导体激光器腔面的非辐射复合缺陷，从而抑制砷化镓基半导体激光器在高功率工作条件下的腔面温度升高与退化。
【技术特征摘要】
1.一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，其特征在于，通过六氟化硫的等离子气氛表面处理减少砷化镓基半导体激光器腔面的非辐射复合缺陷，从而抑制砷化镓基半导体激光器在高功率工作条件下的腔面温度升高与退化。2.根据权利要求1所述的改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，其特征在于，六氟化硫的等离子气氛可以通过六氟化硫气体或六氟化硫与氢气、氩气、氮气的混合气体的直流、交流或高频电场下的离化获得。3.根据权利要求1所述的改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，其特征在于，自然解理的砷化...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐雨萌，薄报学，高欣，乔忠良，张晶，李辉，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22
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