【技术实现步骤摘要】
氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法
本专利技术涉及太赫兹器件
,尤其涉及一种氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法。
技术介绍
太赫兹波是指频率在100GHz-10THz范围内的电磁波,与毫米波的高端、亚毫米波及远红外有所交叠,处于宏观电子学向微观光子学的过度领域。太赫兹波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域,给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇。在太赫兹的研究方向主要为源,探测和传输。在太赫兹的探测技术中,分为常温探测和超导体低温探测,常温探测由于受到室温量子极限的限制,其探测灵敏度一般低于超导体的探测灵敏度。因此基于超导体的太赫兹探测器受到关注。其中探测灵敏度最高的当数超导转变边沿探测器。超导转变边沿探测器是采用超导转变边沿传感器(transitionedgesensor,TES)作为温度计的一类低温超导探测器,偏置在正常态至超导态转变区域内的一层超导薄膜,利用其在转变区域内陡峭的电阻-温度(R-T)关系,可以作为高灵敏的温度计使用。为了降低探测器的噪声,TES温度计通常采用超导转变温度(t ...
【技术保护点】
1.一种氮化镓基石墨烯TES超导器件,其特征在于:包括氮化镓衬底层(1),所述氮化镓衬底层(1)的上侧设置有石墨烯层(2),所述石墨烯层(2)的上侧设置有超导薄膜层(3)。
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基石墨烯TES超导器件,其特征在于:包括氮化镓衬底层(1),所述氮化镓衬底层(1)的上侧设置有石墨烯层(2),所述石墨烯层(2)的上侧设置有超导薄膜层(3)。2.如权利要求1所述的氮化镓基石墨烯TES超导器件,其特征在于:所述器件还包括位于石墨烯层(2)与所述超导薄膜层(3)之间的Ti薄膜层(4)。3.如权利要求1所述的氮化镓基石墨烯TES超导器件,其特征在于:所述超导薄膜层(3)包括位于下侧的声子超导薄膜层(31)以及位于上侧的电子超导薄膜层(32)。4.如权利要求3所述的氮化镓基石墨烯TES超导器件,其特征在于:所述声子超导薄膜层(31)的制作材料为Au或Pd。5.如权利要求3所述的氮化镓基石墨烯TES超导器件,其特征在于:所述电子超导薄膜层(32)的制作材料为Ti。6.一种氮化镓基石墨烯TES超导器件的制作方法,其特征在于包括如下步骤:在氮化镓衬底层(1)上转移一层单层石墨烯层(2)作为热沉基板;在所述石墨烯层(2)上制作超导薄...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡海涛,
申请(专利权)人:江苏心磁超导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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