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氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法技术
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文档序号:19596269
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本发明公开了一种氮化镓基石墨烯TES超导器件及其制作方法,涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化镓衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板,在石墨烯上制作超导薄膜,实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单,与现有TE...
该专利属于江苏心磁超导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏心磁超导体有限公司授权不得商用。
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