由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备制造技术

描述了电气、机械、计算和/或其它设备，其包括由极低电阻(ELR)材料形成的组件，包括但不限于改性ELR材料、层压ELR材料和新型ELR材料。

Electrical, mechanical, calculation, and / or other equipment formed by extremely low resistance materials

The electrical, mechanical, computing and / or other devices, including components formed by extremely low resistance (ELR) materials, are described, including, but not limited to, modified ELR materials, laminated ELR materials and new ELR materials.

【技术实现步骤摘要】
由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备本申请为分案申请，其原申请的申请日是2012年3月30日，申请号为201280044226.0，专利技术名称为“由极低电阻材料形成的电气、机械、计算和/或其他设备”。相关申请的交叉引用本申请要求以下优先权：美国临时专利申请，申请号为61/469,283，61/469,567，61/469,571，61/469,573，和61/469,576，题为″ExtremelyLowResistanceNanowires″；美国临时专利申请，申请号为61/469,293，61/469,580，61/469,584，61/469,585，61/469,586，61/469,589，61/469,590，和61/469,592，题为″InductorsFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,303，61/469,591，61/469,595，61/469,600，61/469,602，61/469,605，61/469,609，61/469,613，61/469,618，和61/469,652题为″CapacitorsFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,313，61/469,620，61/469,622，61/469,627，61/469,630，61/469,632，61/469,635，61/469,640，和61/469,645题为″TransistorsFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,318，61/469,599，61/469,604，61/469,608，61/469,612，61/469,617，61/469,619，61/469,624，和61/469,628，题为″RotatingMachinesFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,324，61/469,637，61/469,641，和61/469,644题为″BearingsAssembliesFormedofExtremelyLowResistanceMaterials；美国临时专利申请，申请号为61/469,331和61/469,650题为″TransformerFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,335，61/469，656,61/469,658，61/469,659，和61/469,662题为″PowerTransmissionComponentsFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,342，61/469,667，61/469,679，61/469,684，和61/469,769题为″FaultCurrentLimiterFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,358，61/469,603，61/469,606，61/469,610，61/469,615，61/469,621，61/469,625，61/469,633，61/469,639，61/469,642，61/469,653，61/469,657，61/469,665，和61/469,668题为″MRIComponentsandApparatusEmployingExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,361，61/469,623，61/469,634，61/469,643，和61/469,648题为″ExtremelyLowResistanceJosephsonJunctions″；美国临时专利申请，申请号为61/469,363，61/469,655，61/469,660，61/469,666，61/469,671，61/469,675，61/469,678，61/469,685，和61/469,691题为″ExtremelyLowResistanceQuantumInterferenceDevices″；美国临时专利申请，申请号为61/469,367，61/469,697，61/469,700，61/469,703，61/469,704，和61/469,710题为″AntennasFormedfromExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,371，61/469,717，61/469,721，61/469,727，61/469,731，61/469,735，61/469,740，和61/469,756题为″FiltersFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,398，61/469,654，61/469,673，61/469,683，61/469,687，61/469,692，61/469,711，61/469,716，61/469,723，61/469,638，61/469,646，61/469,728，61/469,737，61/469,743，61/469,745，61/469,751，61/469,754，61/469,761，61/469,766，61/469,770，61/469,772，61/469,774和61/469,775题为″SensorsFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,401，61/469,672，61/469,674，61/469,676，和61/469,681题为″ActuatorsFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,376，61/469,686，61/469,690，61/469,693，61/469,694，61/469,695，61/469,696，和61/469,698题为″IntegratedCircuitsFormedofExtremelyLowResistanceMaterials″；美国临时专利申请，申请号为61/469,392，61/469,707，61/469,709，和61/469,712题为″ExtremelyLowResistanceInterconnect(ELRI)ForSysteminPackage(SIP)Applications″；美国临时专利申请，申请号为61/469,424，61/469,714，61/469,718，61/469,720，61/469,724，61/469,726，和61本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种约瑟夫森结，包括：第一ELR导体，所述第一ELR导体包括改性的ELR材料；第二ELR导体，所述第二ELR导体包括所述改性的ELR材料；以及阻挡材料，所述阻挡材料设置在所述第一ELR导体与所述第二ELR导体之间；其中，所述改性的ELR材料包括ELR材料的第一层和键合至所述第一层的所述ELR材料的改性材料的第二层，其中，所述改性的ELR材料具有超过单独的所述ELR材料的工作特性的改进的工作特性。

【技术特征摘要】
2011.03.30 US 61/469,665;2011.03.30 US 61/469,313;1.一种约瑟夫森结，包括：第一ELR导体，所述第一ELR导体包括改性的ELR材料；第二ELR导体，所述第二ELR导体包括所述改性的ELR材料；以及阻挡材料，所述阻挡材料设置在所述第一ELR导体与所述第二ELR导体之间；其中，所述改性的ELR材料包括ELR材料的第一层和键合至所述第一层的所述ELR材料的改性材料的第二层，其中，所述改性的ELR材料具有超过单独的所述ELR材料的工作特性的改进的工作特性。2.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括绝缘材料。3.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括导电材料。4.根据权利要求3所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括导电金属。5.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括半导体材料。6.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料包括ELR材料。7.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述ELR材料在大于150K的温度处，工作在ELR状态中。8.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料设置在所所述第一导体的ELR材料的所述第一层与所述第二导体的ELR材料的所述第一层之间。9.根据权利要求8所述的约瑟夫森结，其中，所述阻挡材料进一步设置在所述第一导体的改性材料的所述第二层与所述第二导体的改性材料的所述第二层之间。10.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其中，所述ELR材料进一步包括键合至ELR材料的所述第一层的衬底。11.一种约瑟夫森结，包括：第一ELR导体，所述第一ELR导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·J·吉尔伯特，Y·E·施泰恩，M·J·史密斯，J·P·哈纳，P·格林兰德，B·考帕，F·诺斯，
申请(专利权)人：阿姆巴托雷股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US