【技术实现步骤摘要】
单体双金属板封装结构及其封装方法
本专利技术属于半导体制造领域,尤其涉及一种单体双金属板封装结构及封装方法。
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流,高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展,尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展,使得集成电路封装也向微小化、高密度、高功率、高速度的方向发展。而随着电子部件变得更小、并且在工作频率更高,由于高频芯片在运输和传输是会产生很强的电磁波,往往会对封装内的其他芯片或者封装外的电子部件的造成不期望的干扰或噪声。加上电子部件的密度过高,电子部件之间的信号传输线路的距离越来越近,使得来自集成电路封装外部或内部的芯片之间的电磁干扰(Electro-MagneticInterference,EMI)情形也日益严重。同时也会降低集成电路封的电性品质和散热效能。为解决电磁干扰问题,现有技术往往会在封装体外表面粘贴金属盖或是镀上金属层来屏蔽电磁波的发射和接收。然而通过粘贴金属盖来实现电磁屏蔽,其金属盖和封装体的结合性往往存在问题,由于金属盖的尺寸和封装体的尺寸很难完全匹配,金属盖与封装体 ...
【技术保护点】
1.一种单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,所述方法包括:S1、提供上金属板和下金属板;S2、在上金属板的下表面上蚀刻形成至少一个凹槽,并在每一所述凹槽内壁上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板;每个单体双金属板封装结构对应至少一个凹槽;在下金属板的上表面依次电镀阻焊层和线路层,并在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片以形成底板;S3、结合顶板和底板以在所述阻焊层和第一EMI层之间形成空腔,使所述第一EMI层与所述线路层导通,使所述芯片设置于所述空腔内;S4、向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封形成封装体;S5、切割封装体未包含下金属板部分,以在下金属板上方形成若 ...
【技术特征摘要】
1.一种单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,所述方法包括:S1、提供上金属板和下金属板;S2、在上金属板的下表面上蚀刻形成至少一个凹槽,并在每一所述凹槽内壁上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板;每个单体双金属板封装结构对应至少一个凹槽;在下金属板的上表面依次电镀阻焊层和线路层,并在所述线路层远离所述下金属板的一侧叠装芯片以形成底板;S3、结合顶板和底板以在所述阻焊层和第一EMI层之间形成空腔,使所述第一EMI层与所述线路层导通,使所述芯片设置于所述空腔内;S4、向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封形成封装体;S5、切割封装体未包含下金属板部分,以在下金属板上方形成若干个不相接的半成型单体;S6、分别在每一个半成型单体所对应的上金属板外侧叠加第二EMI层,所述第二EMI层和所述第一EMI层不相接,并在每个第二EMI层远离所述下金属板的同侧叠同时叠加一块连接金属板;S7、剥离所述下金属板;S8、在阻焊层上开窗以曝露线路层,在其开窗区域植入焊球,去除连接金属板,以直接形成若干个单体双金属板封装结构。2.根据权利要求1所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,所述步骤S2还包括:在所述凹槽的侧壁上开设注塑孔;所述步骤S4具体包括:通过所述注塑孔向所述空腔内注入注塑料以进行注塑包封。3.根据权利要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,所述步骤S2具体包括:在每一所述凹槽内壁去除注塑孔的位置上电镀至少一层第一EMI层以形成顶板。4.根据权利要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在于,所述步骤S2还包括:M1、在上金属板的下表面贴覆或印刷光阻材料;M2、通过曝光显影过程去除部分光阻材料以形成蚀刻区域,蚀刻所述蚀刻区域以形成凹槽;M3、去除所述上金属板剩余的光阻材料,并在所述凹槽内壁上电镀第一EMI层以形成顶板。5.根据权利要求2所述的单体双金属板封装结构的封装方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:王亚琴,梁志忠,刘恺,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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