一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置制造方法及图纸

技术编号:19591107 阅读:31 留言:0更新日期:2018-11-28 04:08
本发明专利技术公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置,包括真空腔体及真空泵,还包括加热装置,所述加热装置包括底桶及压盖;还包括驱动部,所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动;还包括样品存储台,在所述压盖扣合于底桶开口端上时,所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内;还包括抓取转运部及闸门部,所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道;所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响,同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。

【技术实现步骤摘要】
一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置
本专利技术涉及真空烘烤设备
,特别是涉及一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置。
技术介绍
具有一定能量的电子束轰击固体材料时,材料表面会发射出电子,这种现象称为固体材料的二次电子发射现象。材料表面发射出的二次电子与初始入射电子的数目比称为二次电子发射系数,它是材料的一种特征表面参数。材料表面的二次电子发射系数以及发射出的二次电子的能谱分布不仅与材料种类、入射电子能量以及电子入射角度等因素有关,还会受到样品表面粗糙度与表面洁净程度等材料表面状态的影响,尤其是待测样品的表面洁净程度,如若样品表面被吸附的杂质气体或者挥发性有机沾染物覆盖,那么二次电子发射特性的测试结果将严重偏离待测材料的实际情况。现有二次电子发射系数测量装置,有些没有配备专用的烘烤除气预处理系统,在待测样品进行溶剂清洗后,采用烘箱对样品进行烘烤除气预处理,这种处理方式烘烤除气温度低,除气效果不够理想,并且在样品由烘箱到测试腔体的转运过程中,存在暴露大气产生二次污染的问题。一些装置配备了进样系统,可实现一次多个样品的进样,并在样品测试台上设置加热丝对待测样品进行加热除气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置,包括具有封闭空间的真空腔体(14)及与所述封闭空间相连的真空泵(25),还包括加热装置,其特征在于,所述加热装置包括呈桶状的底桶(10)及作为底桶(10)开口端封板的压盖(4),所述加热装置位于所述封闭空间内;还包括安装于真空腔体(14)上的驱动部(22),所述驱动部(22)通过运动传递件(2)与压盖(4)相连,所述驱动部(22)用于驱动压盖(4)沿着底桶(10)开口端的朝向方向运动;还包括安装在压盖(4)上的样品存储台(5),在所述压盖(4)扣合于底桶(10)开口端上时,所述样品存储台(5)位于底桶(10)与压盖(4)两者所围成的空间内;还包括...

【技术特征摘要】
1.一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置,包括具有封闭空间的真空腔体(14)及与所述封闭空间相连的真空泵(25),还包括加热装置,其特征在于,所述加热装置包括呈桶状的底桶(10)及作为底桶(10)开口端封板的压盖(4),所述加热装置位于所述封闭空间内;还包括安装于真空腔体(14)上的驱动部(22),所述驱动部(22)通过运动传递件(2)与压盖(4)相连,所述驱动部(22)用于驱动压盖(4)沿着底桶(10)开口端的朝向方向运动;还包括安装在压盖(4)上的样品存储台(5),在所述压盖(4)扣合于底桶(10)开口端上时,所述样品存储台(5)位于底桶(10)与压盖(4)两者所围成的空间内;还包括固定于真空腔体(14)上的抓取转运部(23)及闸门部(24),所述闸门部(24)作为所述封闭空间与真空腔体(14)外侧的通道,且所述通道通断状态可调;在样品存储台(5)随压盖(4)在驱动部(22)的作用下由底桶(10)中移出后,所述抓取转运部(23)抓取样品存储台(5)上的样品,且抓取转运部(23)将所抓取的样品由所述闸门部(24)转运至封闭空间的外侧;所述加热装置用于对底桶(10)与压盖(4)两者所围成的空间进行加热。2.根据权利要求1所述的一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置,其特征在于,所述样品存储台(5)呈柱状结构,且样品存储台(5)的侧面上设置有多个插槽。3.根据权利要求2所述的一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置,其特征在于,所述驱动部(22)驱动压盖(4)做直线往复运动,抓取转运部(23)驱动其上的抓取端做直线往复运动,抓取转运部(23)与闸门部(24)在真空腔体(14)上呈正对设置关系。4.根据权利要求1所述的一种材料二次...

【专利技术属性】
技术研发人员:何佳龙龙继东彭宇飞李杰杨振刘平王韬李喜董攀蓝朝晖郑乐刘尔祥赵伟杨洁石金水
申请(专利权)人:中国工程物理研究院流体物理研究所
类型:发明
国别省市:四川,51

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