The invention provides a method for preparing nanoparticles TEM samples by wet etching. The wet etching method for preparing nanoparticle TEM samples comprises the following steps: 1) placing the TEM support film horizontally and dropping the etchant on the TEM support film; 2) inverting the substrate adhering to the nanoparticle so that the substrate has one side of the nanoparticle to be transferred down and gradually contacts the etchant, after etching. The nanoparticles to be transferred are detached from the substrate and transferred to the TEM support film; 3) The TEM support film is stationary until the evaporation of the etchant is completed, and the sample preparation of the nanoparticles TEM sample is completed. The method for preparing nano-particle TEM samples by wet etching has the advantages of low cost and high efficiency. The nano-particles adhering to the substrate can be completely transferred to the TEM support film. The transferred nano-particles have no agglomeration and no damage, and are convenient for characterizing the high-resolution crystal lattice and other properties of the nano-particle TEM samples.
【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法
本专利技术属于透射电镜微观检测
，涉及一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法。
技术介绍
随着纳米科学与技术的发展，纳米线、量子点、纳米薄膜等在微纳电子学、纳米光学、反应催化等领域得到了广泛应用。对这些尺度在0.1～100nm的纳米结构进行材料特性分析是其各种应用的前提。其中，透射电子显微镜(TEM)以亚埃级高分辨率在晶格结构、元素构成、电子分布等表征中发挥着不可替代的作用。使用高能束、等离子体等自上而下的加工方法，可以在有基底支撑的纳米薄膜上直接制备大面积的、尺寸小于50nm的纳米颗粒或其它精细纳米结构，在生物检测、成像、传感等领域得到广泛重要的应用。与自组装结构不同，这些薄膜上的纳米结构与基底的粘附性很强，在带来极高的器件稳定性的同时，给纳米结构的TEM制样与表征带来了挑战。实际中，对于紧密粘附在基底上的小于50nm的纳米颗粒样品，传统的制样方法包括离子减薄、FIB(聚焦离子束)制样、机械(刀刮)转移等。但是这些传统的制样方法存在着诸多不足，例如，离子减薄会对纳米颗粒造成损伤；FIB(聚焦离子束)制样存在着样品...
【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)将TEM支持膜水平放置，将刻蚀剂滴于所述TEM支持膜上；2)将粘附有纳米颗粒的基底倒置，使得基底具有待转移的纳米颗粒的一面向下并逐渐接触步骤1)的刻蚀剂，经刻蚀后的待转移的纳米颗粒脱离基底并转移至TEM支持膜上；3)静置步骤2)的TEM支持膜至刻蚀剂挥发完毕，完成所述纳米颗粒TEM样品的制样。
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀制备纳米颗粒TEM样品的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)将TEM支持膜水平放置，将刻蚀剂滴于所述TEM支持膜上；2)将粘附有纳米颗粒的基底倒置，使得基底具有待转移的纳米颗粒的一面向下并逐渐接触步骤1)的刻蚀剂，经刻蚀后的待转移的纳米颗粒脱离基底并转移至TEM支持膜上；3)静置步骤2)的TEM支持膜至刻蚀剂挥发完毕，完成所述纳米颗粒TEM样品的制样。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)和步骤2)之间还包括如下步骤：将基底上待转移纳米颗粒以外的区域进行覆盖遮挡；优选地，采用胶带对基底上待转移纳米颗粒以外的区域进行覆盖遮挡。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀剂为不与纳米颗粒和TEM支持膜发生反应且与基底发生反应刻蚀的刻蚀剂。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀剂为氢氟酸、硝酸、硫酸、丙酮中的一种；优选地，所述刻蚀剂的质量浓度为1～30％。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒的粒径为50nm以下。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒为金属纳米颗粒；优选地，所述纳米颗粒为贵金属纳米颗粒。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为硅片、玻璃片或塑料片；优选地，所述TEM支持膜为铜网支持膜、碳支持膜、氮化硅支持膜或氧化硅支持膜。8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，王树，刘前，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京,11
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