阵列基板及其制造方法、显示面板技术

技术编号:19568037 阅读:41 留言:0更新日期:2018-11-25 03:01
本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板,属于显示技术领域。所述阵列基板包括:衬底基板,衬底基板上设置有导电结构,导电结构包括叠加的栅线和数据线;导电结构上设置有绝缘结构;绝缘结构上形成有公共电极层;其中,在衬底基板的非显示区域上,绝缘结构中设置有正对栅线的第一凹陷结构,以及正对数据线的第二凹陷结构,且第一凹陷结构和第二凹陷结构的开口均远离衬底基板,第一凹陷结构的底面与栅线的距离等于第二凹陷结构的底面与数据线的距离。本申请解决了第二电容中聚集较多的静电荷,从而容易导致第二电容发生静电击穿的问题,本申请用于阵列基板。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板
本申请涉及显示
,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。
技术介绍
液晶显示面板主要包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及设置在彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。阵列基板通常包括:衬底基板,以及依次设置在衬底基板上的栅线、栅绝缘层、数据线、数据绝缘层、平坦层、钝化层和公共电极层,且栅线与公共电极层之间形成第一电容,数据线与公共电极之间形成第二电容。由于栅线与公共电极层的距离大于数据线与公共电极的距离,因此,第一电容小于第二电容。另外,公共电极层上还设置有液晶层的配向层,且在制造该配向层的过程中需要使用摩擦辊在阵列基板上滚动。在摩擦辊滚动的过程中,阵列基板表面会产生较多静电荷,且静电荷会在第一电容和第二电容处聚集。由于第二电容大于第一电容,因此,第二电容中会聚集较多的静电荷,从而容易导致第二电容发生静电击穿,进而影响了阵列基板的正常使用。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板,可以解决现有技术中第二电容中聚集较多的静电荷,从而容易导致第二电容发生静电击穿的问题,所述技术方案如下:一方面,提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括:本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板,所述衬底基板上设置有导电结构,所述导电结构包括叠加的栅线和数据线;所述导电结构上设置有绝缘结构;所述绝缘结构上形成有公共电极层;其中,在所述衬底基板的非显示区域上,所述绝缘结构中设置有正对所述栅线的第一凹陷结构,以及正对所述数据线的第二凹陷结构,且所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构的开口均远离所述衬底基板,所述第一凹陷结构的底面与所述栅线的距离等于所述第二凹陷结构的底面与所述数据线的距离。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板,所述衬底基板上设置有导电结构,所述导电结构包括叠加的栅线和数据线;所述导电结构上设置有绝缘结构;所述绝缘结构上形成有公共电极层;其中,在所述衬底基板的非显示区域上,所述绝缘结构中设置有正对所述栅线的第一凹陷结构,以及正对所述数据线的第二凹陷结构,且所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构的开口均远离所述衬底基板,所述第一凹陷结构的底面与所述栅线的距离等于所述第二凹陷结构的底面与所述数据线的距离。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层上设置有封框胶;所述绝缘结构中设置有正对所述封框胶的目标凹陷结构,所述目标凹陷结构的开口远离所述衬底基板,其中,所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构均位于所述目标凹陷结构内。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层上设置有封框胶;所述绝缘结构中设置有正对所述封框胶的目标凹陷结构,所述目标凹陷结构的开口远离所述衬底基板;所述绝缘结构中设置有多个所述第二凹陷结构,且所述第一凹陷结构与一部分所述第二凹陷结构位于所述目标凹陷结构内,另一部分所述第二凹陷结构位于所述目标凹陷结构外。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘结构包括:沿远离所述导电结构的方向,依次设置在所述导电结构上的目标绝缘层、平坦层和钝化层,所述绝缘结构中的凹陷结构位于所述数据绝缘层、平坦层和所述钝化层中的至少一个膜层中。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线设置在所述衬底基板和所述数据线之间,且所述栅线与所述数据线之间设置有中间绝缘层。6.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,用于...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹诚英
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥鑫晟光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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