单晶硅差压变送器制造技术

本发明专利技术涉及一种单晶硅差压变送器，涉及管道检测设备技术领域，用于解决现有技术中存在的差压变送器的安全等级较低的技术问题。本发明专利技术的一种单晶硅差压变送器，包括夹板、传感器以及壳体，通过在壳体的两端分别设置第一螺纹隔爆结构和第二螺纹隔爆结构，使壳体两端的第一端盖和第二端盖固定于壳体上之后，使其与壳体之间的连接能够符合本质安全型“i”防爆形式的规定或符合隔爆型“d”防爆形式的规定，使智能差压传感器能够应用于II类爆炸性环境中，其安全等级和防护等级均有提高。

Single Crystal Silicon Differential Pressure Transmitter

The invention relates to a monocrystalline silicon differential pressure transmitter, which relates to the technical field of pipeline detection equipment, and is used to solve the technical problem of lower safety level of differential pressure transmitter in the prior art. The invention provides a single crystal silicon differential pressure transmitter, which comprises a splint, a sensor and a shell. By setting the first thread flame-proof structure and the second thread flame-proof structure at both ends of the shell, the first end cap and the second end cap at both ends of the shell are fixed on the shell, so that the connection between the shell and the first end cap can conform to the intrinsic safety. The full-scale \i\ explosion-proof form or the \d\ explosion-proof form meet the requirements of the \d\ explosion-proof form, so that the intelligent differential pressure sensor can be applied in class II explosive environment, its safety level and protection level have been improved.

【技术实现步骤摘要】
单晶硅差压变送器
本专利技术涉及管道检测设备
，特别地涉及一种单晶硅差压变送器。
技术介绍
单晶硅差压变送器在变送器领域是个新兴的领域，也属于高端产品系列。其测量变送器两端的压力之差并输出标准信号。单晶硅差压变送器一般包括表壳和传感器本体，表壳中设置有电气元件，并通过表壳两端的端盖将电器元件进行封装，在传统的差压变送器中，并未对端盖、壳体以及二者之间的连接方式进行隔爆处理，因此使差压变送器的安全等级较低，不能用于一些特殊的环境中。
技术实现思路
本专利技术提供一种单晶硅差压变送器，用于解决现有技术中存在的差压变送器的安全等级较低的技术问题。本专利技术提供一种单晶硅差压变送器，包括夹板、固定于所述夹板上的传感器以及设置于所述传感器外部的壳体，所述壳体的两侧分别设置有用于连接第一端盖的第一螺纹隔爆结构以及用于连接第二端盖的第二螺纹隔爆结构。在一个实施方式中，所述第一螺纹隔爆结构与所述第一端盖之间的啮合扣数以及所述第二螺纹隔爆结构与所述第二端盖之间的啮合扣数均至少为10扣。在一个实施方式中，所述壳体上还设置有防爆电缆引入装置和防爆螺纹堵头，所述壳体与所述防爆电缆引入装置之间的啮合扣数以及所述壳体与所述防爆螺纹堵头之间的啮合扣数均至少为10扣。在一个实施方式中，所述壳体的下端设置有第三螺纹防爆结构，所述传感器与所述第三螺纹防爆结构相连。在一个实施方式中，所述壳体的内部靠近所述第二端盖处设置有智能压变卡，所述智能变压卡与所述传感器电气连接。在一个实施方式中，所述壳体的内部靠近所述第一端盖处设置有接线端子，所述接线端子上固定有穿心电容，所述穿心电容与所述智能变压卡电气连接。在一个实施方式中，所述第二端盖的内部粘接有观望镜，所述观望镜与所述第二端盖沿轴线方向的粘合长度不小于10mm。在一个实施方式中，所述传感器的左侧和/或右侧设置有罩体，所述传感器的外侧壁与所述罩体形成的空腔中设置有引压膜片。在一个实施方式中，所述罩体设置在所述夹板内侧的安装孔中。在一个实施方式中，所述传感器包括差压传感器，所述差压传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连，所述差压传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：通过在壳体的两端分别设置第一螺纹隔爆结构和第二螺纹隔爆结构，使壳体两端的第一端盖和第二端盖固定于壳体上之后，使其与壳体之间的连接能够符合本质安全型“i”防爆形式的规定或符合隔爆型“d”防爆形式的规定，使智能差压传感器能够应用于II类爆炸性环境中，其安全等级和防护等级均有提高。附图说明在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。图1是本专利技术的实施例中差压传感器的主视图；图2是本专利技术的实施例中差压传感器的左视图；图3是图1所示夹板的立体结构示意图；图4是图1所示传感器的局部剖视图；图5是图1所示壳体的立体结构示意图；图6是图1所示壳体的主视图；图7是图6在A-A处的剖视图；图8是图6在B-B处的剖视图；图9是图1所示压环的立体结构示意图；图10是图2所示E处的放大图。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。附图标记：1-夹板；2-传感器；3-壳体；4-第一端盖；5-第二端盖；6-内接地端部；7-外接地端部；11-安装孔；12-夹板连接件；21-引压膜片；22-罩体；23-支脚；31-第一螺纹隔爆结构；32-第二螺纹隔爆结构；33-防爆电缆引入装置；34-防爆螺纹堵头；35-第三螺纹防爆结构；36-智能压变卡；37-接线端子；38-穿心电容；39-第四螺纹防爆结构；30-第无螺纹防爆结构；51-观望镜；52-压环；53-缺口。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。如图1和2所示，本专利技术提供一种单晶硅差压变送器，包括夹板1、固定于夹板1上的传感器2以及设置于传感器2外部的壳体3，壳体3的两侧分别设置有用于连接第一端盖4的第一螺纹隔爆结构31以及用于连接第二端盖5的第二螺纹隔爆结构32，使单晶硅差压变送器能够在含有爆炸性气体或含有可燃性蒸汽的危险场所进行使用，提高了单晶硅差压变送器的使用安全性。具体地，第一螺纹隔爆面31与第一端盖4之间的配合面以及第二螺纹隔爆结构32和第二端盖5之间的配合面均为隔爆接合面，为了提高隔爆的安全等级，第一螺纹隔爆结构31与第一端盖4之间的啮合扣数以及第二螺纹隔爆结构32与第二端盖5之间的啮合扣数均至少为10扣。此外，第一端盖4与壳体3之间以及第二端盖4与壳体3之间均设置有密封圈，其中，密封圈可以采用O型密封圈。壳体3上还设置有防爆电缆引入装置33和防爆螺纹堵头34，壳体3与防爆电缆引入装置33之间的啮合扣数以及壳体3与防爆螺纹堵头34之间的啮合扣数均至少为10扣。其中，防爆电缆引入装置33设置在壳体3的第四螺纹防爆结构39中，防爆螺纹堵头34设置在第五螺纹防爆结构30中。防爆电缆引入装置采用黄铜制成，并且在其表面设置有镀层，例如镀镍层。此外，防爆电缆引入装置33与壳体3之间以及防爆螺纹堵头34与壳体3之间均设置有密封圈，其中，密封圈可以采用O型密封圈。壳体3的下端设置有第三螺纹防爆结构35，传感器2与第三螺纹防爆结构35相连。此外，传感器2与壳体3之间设置有密封圈，其中，密封圈可以采用O型密封圈。在一个实施例中，如图5-8所示，第一螺纹隔爆结构31、第二螺纹隔爆结构32、第三螺纹防爆结构35、第四螺纹防爆结构39以及第五螺纹防爆结构30均可设置为螺纹孔。进一步地，第一螺纹隔爆结构31和第二螺纹隔爆结构32相对设置，二者的轴线相互重合且均沿水平方向(X方向)；第四螺纹防爆结构39和第五螺纹防爆结构30相对设置，二者的轴线相互重合且均沿竖直方向(Y方向)，第三螺纹防爆结构35的轴线沿纵向仿形(Z方向)。通过上述的五个隔爆结构，使壳体3与其他部件的连接面均为隔爆结合面，因此使单晶硅差压变送器能够达到本质安全型电气设备“ia”等级(即正常工作中施加一个故障和任意两个故障条件下，均不能引起点燃的本质安全型电气设备)或达到隔爆型“d”防爆形式的要求，并且能够应用于Ⅱ类爆炸性环境(即除煤矿甲烷气体之外的其他爆炸性气体环境)。在一个实施例中，壳体2的内部设置有支架，壳体2的内部靠近第二端盖5处设置有智能压变卡36，智能压变卡36通过连接件固定于支架上，智能变压卡36与传感器2电气连接。支架上靠近第一端盖4处设置有接线端子37，接线端子37上固定有穿心电容38，穿心电容38与智能变压卡36电气连接。穿心电容38能够有效地防止高频信号从输入端直接耦合到输出端。进一步地，智能压变卡36包括通讯模块、A/D转化模块、D/A转化模块、驱动器、报警模块、PLC控制模块和讯息回传模块。其中，A/D转换模块和D/A转换模块可选用1个或多个单片机实现你，单片机选用MSC1210YX系列。观望镜51的输出端连接现场总线的输入端，通讯模块的输出端连接A/D转化模块和D/A转化模块的输入端，A/D转化模块和D/A转化模块的输出端连接PLC控制模块的输入端，PLC控制模块的输出端连接传感器2和讯息回传模块输入端，传感器2的输出端连接驱动器和报警模块，讯息回传模块的输入端连接现场总线，便于将信息的转化，便于远程控制单晶硅差压变送器。现场总线设置在防爆电缆引入装置33中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅差压变送器，其特征在于，包括夹板(1)、固定于所述夹板(1)上的传感器(2)以及设置于所述传感器(2)外部的壳体(3)，所述壳体(3)的两侧分别设置有用于连接第一端盖(4)的第一螺纹隔爆结构(31)以及用于连接第二端盖(5)的第二螺纹隔爆结构(32)。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅差压变送器，其特征在于，包括夹板(1)、固定于所述夹板(1)上的传感器(2)以及设置于所述传感器(2)外部的壳体(3)，所述壳体(3)的两侧分别设置有用于连接第一端盖(4)的第一螺纹隔爆结构(31)以及用于连接第二端盖(5)的第二螺纹隔爆结构(32)。2.根据权利要求1所述的单晶硅差压变送器，其特征在于，所述第一螺纹隔爆结构(31)与所述第一端盖(4)之间的啮合扣数以及所述第二螺纹隔爆结构(32)与所述第二端盖(5)之间的啮合扣数均至少为10扣。3.根据权利要求1或2所述的单晶硅差压变送器，其特征在于，所述壳体(3)上还设置有防爆电缆引入装置(33)和防爆螺纹堵头(34)，所述壳体(3)与所述防爆电缆引入装置(33)之间的啮合扣数以及所述壳体(3)与所述防爆螺纹堵头(34)之间的啮合扣数均至少为10扣。4.根据权利要求1或2所述的单晶硅差压变送器，其特征在于，所述壳体(3)的下端设置有第三螺纹防爆结构(35)，所述传感器(2)与所述第三螺纹防爆结构(35)相连。5.根据权利要求1或2所述的单晶硅差压变送器，其特征在于，所述壳体(3)的内部靠近所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，肖悦超，李哲，高亮，李雪妍，
申请(专利权)人：山东福瑞德测控系统有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37