阵列基板及其制造方法、显示面板和显示设备技术

本申请公开了阵列基板、显示面板和显示设备、及该阵列基板的制造方法。所述阵列基板包括：衬底基板；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为选自像素电极和公共电极的两种不同电极；和薄膜晶体管，其包括有源层、位于有源层的远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层、第一节点和第二节点。

Array Substrate and Its Manufacturing Method, Display Panel and Display Equipment

The application discloses an array substrate, a display panel and a display device, and a manufacturing method of the array substrate. The array substrate comprises a substrate substrate, a first electrode and a second electrode, two different electrodes selected from a pixel electrode and a common electrode, and a thin film transistor comprising an active layer, an etching barrier layer located on the side of the active layer away from the substrate substrate, a first node and a second node.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及其制造方法、显示面板和显示设备
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及阵列基板、具有该阵列基板的显示面板和显示设备、及该阵列基板的制造方法。
技术介绍
与常规的非晶硅薄膜晶体管相比，金属氧化物或金属氮氧化物薄膜晶体管具有许多独特优点，比如较高的载流子密度和较高的迁移率。因此，金属氧化物或金属氮氧化物薄膜晶体管可制作得更小，并且由这种薄膜晶体管制成的显示面板可以实现更高的分辨率和更佳的显示效果。金属氧化物或金属氮氧化物薄膜晶体管在显示领域得到了广泛的应用。但是，金属氧化物或金属氮氧化物薄膜晶体管通常需要在有源层上加刻蚀阻挡层，否则晶体管可靠性将降低。制作刻蚀阻挡层需要增加了一道构图工序及掩膜板，提升了生产成本。减少构图工序数目的尝试，如使用半透式掩膜工艺，又经常导致更多不易控制的复杂情况，影响产品质量。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为选自像素电极和公共电极的两种不同电极；和薄膜晶体管，其包括有源层、位于有源层的远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层、第一节点和第二节点；其中有源层包括沟道区域、第一节点接触区域和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为选自像素电极和公共电极的两种不同电极；和薄膜晶体管，其包括有源层、位于有源层的远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层、第一节点和第二节点；其中有源层包括沟道区域、第一节点接触区域和第二节点接触区域；沟道区域在衬底基板上的投影实质上与刻蚀阻挡层在衬底基板上的投影重叠；第一节点接触区域和第二节点接触区域在衬底基板上的投影位于刻蚀阻挡层在衬底基板上的投影以外；第一节点位于第一节点接触区域的远离衬底基板的一侧；并且第二节点位于第二节点接触区域的远离衬底基板的一侧；并且有源层和第一电极位于同一层，且均由包括M1OaNb的半导体材料制成，其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，包括：衬底基板；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为选自像素电极和公共电极的两种不同电极；和薄膜晶体管，其包括有源层、位于有源层的远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层、第一节点和第二节点；其中有源层包括沟道区域、第一节点接触区域和第二节点接触区域；沟道区域在衬底基板上的投影实质上与刻蚀阻挡层在衬底基板上的投影重叠；第一节点接触区域和第二节点接触区域在衬底基板上的投影位于刻蚀阻挡层在衬底基板上的投影以外；第一节点位于第一节点接触区域的远离衬底基板的一侧；并且第二节点位于第二节点接触区域的远离衬底基板的一侧；并且有源层和第一电极位于同一层，且均由包括M1OaNb的半导体材料制成，其中M1是单金属或多金属的组合，a＞0，并且b≥0。2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括位于第一电极的远离衬底基板的一侧的辅助刻蚀阻挡层；辅助刻蚀阻挡层和刻蚀阻挡层位于同一层且由相同材料制成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括数据线；其中数据线包括第一子层和第二子层；第一子层位于第二子层的靠近衬底基板的一侧；第一子层与有源层和第一电极位于同一层，并且由与有源层和第一电极的材料相同的材料制成；并且第二子层与第一节点和第二节点位于同一层，并且由与第一节点和第二节点的材料相同的材料制成。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中第二电极位于第一电极的远离衬底基板的一侧。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中第二电极位于第一电极的靠近衬底基板的一侧。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中第一电极为像素电极并且第二电极为公共电极。7.根据权利要求6所述的阵列基板，还包括：栅电极，其位于衬底基板上；公共电极信号线，其与栅电极位于同一层且由相同材料制成；栅绝缘层，其位于栅电极和公共电极信号线的远离衬底基板的一侧；钝化层，其位于栅绝缘层的远离公共电极信号线的一侧；和过孔，其延伸穿过栅绝缘层和钝化层；其中公共电极位于钝化层的远离栅绝缘层的一侧，并且通过过孔与公共电极信号线电连接。8.根据权利要求6所述的阵列基板，还包括：栅电极，其位于衬底基板上；公共电极信号线，其与栅电极位于同一层；和栅绝缘层，其位于栅电极和有源层之间；其中公共电极位于栅绝缘层的靠近衬底基板的一侧，并且与公共电极信号线电连接。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其中第一电极为公共电极并且第二电极为像素电极。10.根据权利要求9所述的阵列基板，还包括：栅电极，其位于衬底基板上；栅绝缘层，其位于栅电极和有源层之间；和过孔，其延伸穿过栅绝缘层；其中像素电极位于栅绝缘层的靠近衬底基板的一侧，并且通过过孔与第二节点电连接。11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中M1OaNb为以下各项之一：铟镓锌氧化物、铟锌铪、铟锌锆氧化物、铟锌锡氧化物、铟锌氧化物、铝铟锌氧化物、锌氧化物和铝铟锌氧化物。12.一种显示设备，包括权利要求1至11中任一项所述的阵列基板。13.一种制造阵列基板的方法，包括：在衬底基板上形成第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为选自像素电极和公共电极的两种不同电极；和形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、位于有源层的远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层、第一节点和第二节点；其中有源层形成为具有沟道区域、第一节点接触区域和第二节点接触区域；沟道区域在衬底基板上的投影实质上与刻蚀阻挡层在衬底基板上的投影重叠；第一节点接触区域和第二节点接触区域在衬底基板上的投影位于刻蚀阻挡层在衬底基板上的投影以外；第一节点形成在第一节点接触区域的远离衬底基板的一侧；并且第二节点形成在第二节点接触区域的远离衬底基板的一侧；并且有源层和第一电极形成在同一层，且均利用包括M1OaNb的半导体材料形成，其中M1是单金属或多金属的组合，a＞0，并且b≥0。14.根据权利要求13所述的方法，还包括：在第一电极的远离衬底基板的一侧形成辅助刻蚀阻挡层；辅助刻蚀阻挡层和刻蚀阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：许卓，白雅杰，王孝林，汪锐，尚飞，邱海军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11