The invention provides a method for manufacturing gallium surface polar gallium nitride device based on diamond, including: successively growing gallium nitride layer, dielectric layer and diamond layer on the substrate to form a crystal structure; inverting the crystal structure and removing the substrate; successively growing channel layer and barrier layer on the gallium nitride layer. The diamond-based gallium surface polar GaN device and its manufacturing method do not need substrate or carrier wafer, which not only reduces the difficulty of manufacturing process, but also improves the performance of the device, and is conducive to the industrialization of the diamond-based gallium surface polar GaN device.
【技术实现步骤摘要】
基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法
本专利技术涉及半导体器件制造
,特别是涉及一种基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法。
技术介绍
作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(氮化镓)具有许多优良的特性,高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于氮化镓的第三代半导体器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结场效应晶体管(HFET)等已经得到了应用,尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。现有的氮化镓射频器件在制造过程中需要在氮化镓材料层上设置载体晶圆,但载体晶圆与氮化镓材料层的结合部能够承受的温度较低,因此限制了其他材料层生长的温度,最终降低了氮化镓器件的性能。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法。本专利技术提供一种基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法,包括:在衬底上依次生长氮化镓层、介质层和金刚石层以形成晶体结构;倒置所述晶体结构,并去除所述衬底;在所述氮化镓层上依次生长沟道层和势垒层。在一个实施例中,所述介质层的厚度为1nm-100nm。在一个实施例中,所述介质层的厚度为1nm-5nm。在一个实施例中,生长所述介质层的温度为700℃-1100℃。在一个实施例中,所述势垒层上设有源极、漏极和栅极。本专利技术所提供的氮面极性氮化镓基半导体器件及其制造方法,无需采用载体晶圆,不仅降低了制造工艺的难度,而且提高了器件的性能,有利于氮面极性氮化镓基半导体器件的产业化。附图说明图1-图4表示制备根据本专利技术的一些实施例的基于金刚石的镓面极性氮化镓器件的示意图。图中标号: ...
【技术保护点】
1.一种基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法,其特征在于,包括:在衬底上依次生长氮化镓层、介质层和金刚石层以形成晶体结构;倒置所述晶体结构,并去除所述衬底;在所述氮化镓层上依次生长沟道层和势垒层。
【技术特征摘要】
1.一种基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法,其特征在于,包括:在衬底上依次生长氮化镓层、介质层和金刚石层以形成晶体结构;倒置所述晶体结构,并去除所述衬底;在所述氮化镓层上依次生长沟道层和势垒层。2.根据权利要求1所述的基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法,其特征在于,所述介质层的厚度为1nm-100nm。3.根据权利要求1所述的基于金刚石的镓面...
【专利技术属性】
技术研发人员:倪贤锋,范谦,何伟,
申请(专利权)人:苏州汉骅半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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