一种批量化半导体湿法氧化装置制造方法及图纸

本申请提供了一种批量化半导体湿法氧化装置，它包括减震台、设置在减震台上的转盘、用于驱动转盘转动的驱动电机、设置在所述的转盘上的多个反应腔室、设置在减震台上的安装架、设于安装架上的腔室加热装置、设于安装架上的CCD成像装置，所述的腔室加热装置能够沿所述的安装架上下移动，所述的转盘用于在所述的驱动电机的驱动下将多个反应腔室分别移动至湿法氧化位置。本申请的一种批量化半导体湿法氧化装置能够分步进行多片半导体晶圆的放置、氧化和降温取样过程，实现半导体晶圆的高效率、批量化、实时监控下的精准湿法氧化工艺。

A Batch Semiconductor Wet Oxidation Device

This application provides a batch semiconductor wet oxidation device, which includes a shock absorber, a turntable mounted on the shock absorber, a drive motor used to drive the turntable rotation, a plurality of reaction chambers mounted on the turntable, an installation rack mounted on the shock absorber, a chamber heating device mounted on the installation rack, and an installation device mounted on the installation rack. The CCD imaging device on the mounting frame can move the chamber heating device up and down along the mounting frame, and the rotating disc is used to move a plurality of reaction chambers to the wet oxidation position respectively driven by the driving motor. The application of a batch semiconductor wet oxidation device can step by step carry out the placement, oxidation and cooling sampling process of multi-wafer semiconductor wafers, and realize the high efficiency, batch, real-time monitoring of the precise wet oxidation process of semiconductor wafers.

【技术实现步骤摘要】
一种批量化半导体湿法氧化装置
本申请涉及一种批量化半导体湿法氧化装置。
技术介绍
在现有技术中，部分化合物半导体器件在制造过程中需要用到湿法氧化工艺，其原理是在一定温度下使半导体材料与水蒸气发生氧化反应生成氧化物质，从而达到优化器件性能的目的。根据CarolI.等人的研究(AshbyCIH,BridgesMM,AllermanAA,etal.OriginofthetimedependenceofwetoxidationofAlGaAs[J].Appliedphysicsletters,1999,75(1):73-75.)，AlAs作为化合物半导体器件常用的材料，在一定温度下能够与水蒸气反生反应生成氧化铝(Al2O3)，2AlAs+6H2O(g)→Al2O3+As2O3+6H2(g)例如在发光器件中，含有Al组分的材料在一定温度下与水蒸气反应生成氧化铝(Al2O3)。由于氧化铝是一种绝缘材料且折射率低于GaAs和AlAs等半导体材料，可以达到限制半导体激光器中的电场和光场的目的。由于含有Al组分的材料与水蒸气反应对温度和水蒸气的浓度特别敏感，温度微小的变化就会改变氧化反应的速率，浓度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，它包括减震台、设置在减震台上的转盘、用于驱动转盘转动的驱动电机、设置在所述的转盘上的多个反应腔室、设置在减震台上的安装架、设于安装架上的腔室加热装置、设于安装架上的CCD成像装置，所述的腔室加热装置能够沿所述的安装架上下移动，所述的转盘用于在所述的驱动电机的驱动下将多个反应腔室分别移动至腔室加热装置加热的位置。

【技术特征摘要】
1.一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，它包括减震台、设置在减震台上的转盘、用于驱动转盘转动的驱动电机、设置在所述的转盘上的多个反应腔室、设置在减震台上的安装架、设于安装架上的腔室加热装置、设于安装架上的CCD成像装置，所述的腔室加热装置能够沿所述的安装架上下移动，所述的转盘用于在所述的驱动电机的驱动下将多个反应腔室分别移动至腔室加热装置加热的位置。2.如权利要求1所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的反应腔室包括反应腔室外壳、上盖、设置在所述的反应腔室外壳内的多层石英支架，所述的多层石英支架包括多个沿上下方向排列设置的环状置物层，所述的置物层具有向内突出的多个支点，多个支点沿置物层周向均匀排布。3.如权利要求2所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的反应腔室还包括进气管、出气管、与进气管相连通的多个进气支管，多个进气支管的出气口分别对应一个置物层。4.如权利要求3所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的进气管、出气管及进气支管为石英材料制成。5.如权利要求3所述的一种批量化半导体湿法氧化装置，其特征在于，所述的减震台的底部安装有气柜、水浴加热装置及气阀，所述的水浴加热装置与多个反应腔室的出气管分别通过气体输送管道可插拔的连接，所述气阀具有第一连通状态和第二连通状态，当气阀处于第一连通状态时，气柜与反应腔室...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓杰，宋院鑫，杨国文，赵卫东，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32