一种场效应管测量仪制造技术

本实用新型专利技术涉及一种场效应管测量仪。本实用新型专利技术所述的场效应管测量仪包括：被测管插座，所述被测管插座包括栅极插孔、源极插孔和漏极插孔；栅极电压调节模块，连接在所述栅极插孔和源极插孔之间，用于调节栅极电压的大小和极性；漏极电压调节模块，连接在所述漏极插孔和源极插孔之间，用于调节漏极电压的大小和极性；所述源极插孔接地。具有能测量所有场效应管的应用参数且操作简单方便的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应管测量仪
本技术涉及参数测量领域，特别是涉及一种场效应管测量仪。
技术介绍
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。其还属于负温度系数器件，随温度上升电流减小，与晶体三极管的正温度系数特性刚好相反。场效应管按材料分类，可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，按结构分类，可分为P沟道和N沟道，按工作性质分类，又分为增强型和耗尽型。并且有，结型场效应管则均为耗尽型的。场效应管的应用参数包括：①饱和漏-源电流—IDSS，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压VGS＝0时的漏-源电流。②夹断电压—UP(VP或VGSoff)，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏-源间刚截止时的栅极电压VGS。③开启电压—UT(阈值电压Vth)，是指增强型绝缘栅场效管中，使漏-源极间刚导通时的栅极电压VGS。④导通电阻—Rdss(on)，指栅极电压为10V的条件下，MOSFET漏-源极之间的导通电阻。⑤跨导—gM，是表示栅极电压VGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅-源电压VGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。在进行电路设计等工作时经常需要用到场效应管，也经常碰到不知道场效应管的具体型号及其应用参数的情况，即使是经验纯熟的电子工程师想要测量场效应管的参数也需要花费大量的时间和精力，给电子工程师带来极大的不便。对于目前，还没有能测所有场效应管应用参数的测量仪。
技术实现思路
基于此，本技术的目的在于，提供一种场效应管测量仪，其具有能测量所有场效应管的应用参数且操作简单方便，适用于实验和教学的优点。一种场效应管测量仪，包括被测管插座，所述被测管插座包括栅极插孔、源极插孔和漏极插孔；栅极电压调节模块，连接在所述栅极插孔和源极插孔之间，用于调节栅极电压的大小和极性；漏极电压调节模块，连接在所述漏极插孔和源极插孔之间，用于调节漏极电压的大小和极性；所述源极插孔接地。本技术所述的场效应管测量仪，通过栅极电压调节模块调节栅极电压的大小和极性；漏极电压调节模块调节漏极电压的大小和极性，配合形成所需的应用参数测量条件，从而测量出场效应管的应用参数。此外，还可以根据调节的栅极电压对应的漏极电流获得场效应管的转移特性曲线。进一步地，还包括电压检测装置，用于检测栅—源插孔电压或漏—源插孔电压；所述电压表一端连接单刀双掷开关的不动端，另一端接地，单刀双掷开关的动端可选择地连接所述栅极插孔和栅极插孔。该电压检测装置既可以检测栅极电压，又可以检测漏极电压。进一步地，所述被测管插座为3个，包括适用于T0220封装的中功率MOS管的插座、适用于T092封装的JFET管和DIP—4封装的MOS管的插座和适用于大功率MOS管的插座。配备多个被测管插座适用于不同封装的场效应管，实现测量所有的场效应管的应用参数。进一步地，所述栅极电压调节模块包括第一电位器、稳压电路、整流电路和第一组极性切换开关；所述整流电路通过一个限流电阻连接到所述稳压电路，所述稳压电路依次与第一电位器和极性切换开关连接；所述整流电路为桥式整流电路；所述第一组极性切换开关为两个同步的单刀双掷开关，每个开关的触点分别连到所述栅极插孔和源极插孔，当其中一个开关与连到栅极插孔的触点连接时，另一个开关与连到源极插孔的触点连接。进一步地，所述栅极电压调节模块还包括连接在第一电位器和第一组极性切换开关之间的步进式电压调节电路；所述步进式电压调节电路由若干个串联的电阻和旋转式波段开关组成，每个串联的电阻之间的节点都设有所述旋转式波段开关的触点。进一步地，所述稳压电路包括稳压集成电路、限流电阻、比例电阻和第二电位器；所述比例电阻一端和第二电位器的中间抽头连接到所述稳压集成电路的第1管脚，另一端与所述稳压集成电路第2管脚连接；所述第二电位器的一端连接到所述稳压集成电路的第3管脚。进一步地，所述漏极电压调节模块包括整流电路、第三电位器、三极管、功耗电阻、电流检测装置和第二组极性切换开关；所述整流电路通过第三电位器连接到三极管的基极，所述三极管的集电极与所述整流电路的输出端连接，所述三极管的发射极依次与功耗电阻、电流检测装置和第二组极性切换开关连接；所述电流检测装置用于检测漏极电流；所述第二组极性切换开关为两个同步的单刀双掷开关，每个开关的触点分别连到所述漏极插孔和源极插孔，当其中一个开关与连到漏极插孔的触点连接时，另一个开关与连到源极插孔的触点连接。进一步地，还包括管型切换电路，所述管型切换电路包括四挡管型切换开关和继电器，所述管型切换开关与继电器通过一个保护电阻与整流电路输出端连接；所述四挡管型切换开关为FET-N、FET-P、MOS-N和MOS-P四个管型对应的开关；所述第一组极性切换开关或第二组极性开关为所述继电器内部转换开关；当选择不同的四挡管型切换开关时，所述继电器控制所述第一组极性切换开关或第二组极性开关进行切换。将栅极电压和漏极电压的极性调节统一靠继电器控制，更为简单方便。进一步地，所述整流电路和或稳压电路与滤波电容并联。对整流电路和稳压电路进行滤波。进一步地，所述整流电路连接到一变压器，所述变压器的次级线圈有一中间抽头，分别取出所述栅极电压调节模块和漏极电压调节模块的输入电源。为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本技术。附图说明图1为本技术的场效应管测量仪的电路原理图；图2为本技术的场效应管测量仪的操作界面图；图3为本技术的场效应管测量仪的实施例1的转移特性图；图4为本技术的场效应管测量仪的实施例2的转移特性图。具体实施方式请参见图1，其为本技术的场效应管测量仪的电路原理图。本技术的场效应管测量仪包括：被测管插座，所述被测管插座包括栅极插孔、源极插孔和漏极插孔；栅极电压调节模块，连接在所述栅极插孔和源极插孔之间，用于调节栅极电压的大小和极性；漏极电压调节模块，连接在所述漏极插孔和源极插孔之间，用于调节漏极电压的大小和极性；所述源极插孔接地。所述被测管插座为3个，包括适用于T0220封装的中功率MOS管的插座、适用于T092封装的JFET管和DIP—4封装的MOS管的插座和适用于大功率MOS管的插座。所述栅极电压调节模块接在P1处，所述漏极电压调节模块接在P2处，所述P1、P2分别为变压器次级线圈引出的双电源，给所述栅极电压调节模块输入AC10V电压，给所述漏极电压调节模块输入AC12V电压。如图1所示，所述栅极电压调节模块包括连接变压器次级线圈P1的整流电路DB1，所述整流电路DB1为二极管桥式整流电路，额定电流为5A，其输出端并联两个滤波电容C1和C2，C1和C2分别为高频滤波和低频滤波电容；整流电路的输出经滤波后通过限流电阻R15输入到由R14、RP2和U1组成的稳压电路。其中，R14为比例电阻，RP2为第二电位器，U1为稳压集成电路TL431；所述比例电阻R14一端和第二电位器RP2的中间抽头连接到所述稳压集成电路TL431的第1管脚，另一端与所述稳压集成电路TL431的第2管脚连接；所述第二电位器RP2的一端连接到所述稳压集成电路TL431的第3管脚，因此所述比例电阻R14和第二电位器RP2的可变电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应管测量仪，其特征在于：包括被测管插座，所述被测管插座包括栅极插孔、源极插孔和漏极插孔；栅极电压调节模块，连接在所述栅极插孔和源极插孔之间，用于调节栅极电压的大小和极性；漏极电压调节模块，连接在所述漏极插孔和源极插孔之间，用于调节漏极电压的大小和极性；所述源极插孔接地。

【技术特征摘要】
1.一种场效应管测量仪，其特征在于：包括被测管插座，所述被测管插座包括栅极插孔、源极插孔和漏极插孔；栅极电压调节模块，连接在所述栅极插孔和源极插孔之间，用于调节栅极电压的大小和极性；漏极电压调节模块，连接在所述漏极插孔和源极插孔之间，用于调节漏极电压的大小和极性；所述源极插孔接地。2.根据权利要求1所述的场效应管测量仪，其特征在于：还包括电压检测装置，用于检测栅—源插孔电压或漏—源插孔电压；所述电压检测装置一端连接单刀双掷开关的不动端，另一端接地，单刀双掷开关的动端可选择地连接所述栅极插孔和栅极插孔。3.根据权利要求1所述的场效应管测量仪，其特征在于：所述被测管插座为3个，包括适用于T0220封装的中功率MOS管的插座、适用于T092封装的JFET管和DIP—4封装的MOS管的插座和适用于大功率MOS管的插座。4.根据权利要求1所述的场效应管测量仪，其特征在于：所述栅极电压调节模块包括第一电位器、稳压电路、第一整流电路和第一组极性切换开关；所述第一整流电路通过一个限流电阻连接到所述稳压电路，所述稳压电路依次与第一电位器和极性切换开关连接；所述第一整流电路为桥式整流电路；所述第一组极性切换开关为两个同步的单刀双掷开关，每个开关的触点分别连到所述栅极插孔和源极插孔，当其中一个开关与连到栅极插孔的触点连接时，另一个开关与连到源极插孔的触点连接。5.根据权利要求4所述的场效应管测量仪，其特征在于：所述栅极电压调节模块还包括连接在第一电位器和第一组极性切换开关之间的步进式电压调节电路；所述步进式电压调节电路由若干个串联的电阻和旋转式波段开关组成，每个串联的电阻之间的节点都设有所述旋转式波段开关的触点。6.根据权利要求4所述的场效应管测量仪，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯伯翰，邱志明，周泽湘，黄俐，冯梦雅，
申请(专利权)人：冯伯翰，邱志明，周泽湘，黄俐，冯梦雅，
类型：新型
国别省市：广东,44