一种测量晶闸管的电路、装置、万用表及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种测量晶闸管的电路，其特征在于，包括：至少两个模拟开关以及处理单元，两个所述模拟开关分别连接所述处理单元，其中第一模拟开关(S1)连接晶闸管的控制极(G)，第四模拟开关(S4)连接所述晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地。本发明专利技术中的一种测量晶闸管的电路、装置、万用表及方法，可以实现只需将被测晶闸管插入万用表对应的接口中，就可直接判断出晶闸管的好坏以及导通阻，同时有经验的人员也可以直接从读数来判断引脚排列等情况，此种方式对于单向晶闸管以及双向晶闸管的测试都有效。

【技术实现步骤摘要】
一种测量晶闸管的电路、装置、万用表及方法
本专利技术属于测量
，具体涉及一种测量晶闸管的电路、装置、万用表及方法。
技术介绍
晶闸管作为一种常用的开关电子元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。其检测方式常见的为：通过现有万用表的两个表笔分别反复测量不同的极间电压，最终得出晶闸管的管脚数据，但是用万用表却不能有效的测试晶闸管的好坏，测两极间电阻如果通了肯定是坏了，但不通就不一定是好的，晶闸管一电极和控制极间二极管特性不明显，正向一点都不通或正反向电阻都为0是坏了，但反向“漏电”并不能说就坏了，不像普通的二极管那样可有效的通过用万用表的二极管档测量根据是否正向导通反向截止来判断好坏。而且现有技术中双向晶闸管和单向晶闸管的测试方法也不同，给测试带来了诸多不便。因此为了解决上述问题，提供一种能够简便、直观测量晶闸管的电路、装置、万用表及其测量方法显得尤为重要。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种测量晶闸管的电路、装置、万用表及方法，解决了现有技术中晶闸管测量方式的复杂程度以及风险度。为实现上述目的，本专利技术采取以下技术方案：本专利技术中的一种测量晶闸管的电路，包括：至少两个模拟开关以及处理单元，两个所述模拟开关分别连接所述处理单元，其中第一模拟开关(S1)连接晶闸管的控制极(G)，第四模拟开关(S4)连接所述晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地。上述测量晶闸管的电路，优选的，还包括：第三模拟开关(S3)，所述第一模拟开关(S1)连接第三模拟开关(S3)，所述第三模拟开关(S3)连接晶闸管的控制极(G)。上述测量晶闸管的电路，优选的，还包括：第二模拟开关(S4)，所述第四模拟开关(S4)连接所述第二模拟开关(S2)，所述第二模拟开关(S2)连接所述晶闸管的第二主电极(T2)。上述测量晶闸管的电路，优选的，还包括：第一电阻(R1)以及第二电阻(R2)，所述第一电阻(R1)的一端连接所述第三模拟开关(S3)，其另一端连接所述晶闸管的控制极(G)，所述第二电阻(R2)的一端连接所述第二模拟开关(S2)，其另一端连接所述晶闸管的第二主电极(T2)。上述测量晶闸管的电路，优选的，还包括：模数转换单元以及显示单元，所述模数转换单元的输入端连接第二电阻(R2)以及所述晶闸管第二主电极(T2)，所述模数转换单元的输出端连接所述显示单元。本专利技术中的一种测量晶闸管的装置，包含如上任意所述的测量晶闸管的电路以及插口，所述插口用于将被测晶闸管插入所述插口内进行测量。本专利技术中的一种测量晶闸管的万用表，包含如上任意所述的测量晶闸管的电路。本专利技术中的一种测量晶闸管的方法，包括：第一模拟开关(S1)获取高电平或低电平并输出给晶闸管的控制极(G)，第四模拟开关(S4)获取高电平或低电平并输出给所述晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地；判断所述晶闸管是否正向导通或反向导通；当所述晶闸管正向导通或反向导通，则确定所述晶闸管导通正常；否则所述晶闸管异常。上述测量晶闸管的方法，优选的，所述方法进一步包括：所述第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)获取零电平并输出给晶闸管的控制极(G)，所述第四模拟开关(S4)获取高电平或低电平并输出给所述晶闸管的第二主电极(T2)；判断所述晶闸管是否正向关断或者反向关断；当所述晶闸管正向关断或者反向关断，则确定所述晶闸管关断正常；否则所述晶闸管异常。上述测量晶闸管的方法，优选的，所述方法进一步包括：所述第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)获取零电平并输出给晶闸管的控制极(G)，第二模拟开关(S2)以及所述第四模拟开关(S4)获取零电平并输出给所述晶闸管的第二主电极(T2)；所述晶闸管过零关断。本专利技术中的一种测量晶闸管的电路、装置、万用表及方法，可以实现只需将被测晶闸管插入万用表对应的接口中，就可直接判断出晶闸好坏以及导通阻，同时有经验的人员也可以直接从读数来判断引脚排列等情况，此种方式对于单向晶闸管以及双向晶闸管的测试都有效。附图说明图1是本专利技术实施例中一种测量晶闸管的电路结构示意图；图2是本专利技术实施例中一种测量晶闸管的方法流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的描述。本专利技术实施例所述的一种测量晶闸管的电路，包括：至少两个模拟开关以及处理单元，两个所述模拟开关分别连接所述处理单元，其中第一模拟开关(S1)连接晶闸管的控制极(G)，第四模拟开关(S4)连接所述晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地。具体的，两个模拟开关均是单刀双掷开关，第一模拟开关(S1)以及第四模拟开关(S4)的输入端均连接处理单元的输出端，由所述处理单元向所述第一模拟开关(S1)输出高电平或者低电平，第一模拟开关(S1)的静触点连接晶闸管的控制极(G)，其两个动触点分别连接高电平+VDD以及低电平-VDD；第四模拟开关(S4)的静触点连接晶闸管的第二主电极(T2)，其两个动触点分别连接高电平+VDD以及低电平-VDD。当测试晶闸管的正向导通或者反向导通时，处理单元输出高电平+VDD或者低电平-VDD；其中，第一模拟开关(S1)以及第四模拟开关(S4)均将获得的高电平+VDD或者低电平-VDD分别加载至晶闸管的控制极(G)以及第二主电极(T2)，此时晶闸管的控制极(G)以及第二主电极(T2)的电平相等，而第一主电极(T1)接地，因此当晶闸管正向导通或者反向导通时，在晶闸管上可以测得相应的导通电压，否则所述晶闸管异常。本专利技术实施例中的测量晶闸管的电路，较佳的，还包括：第三模拟开关(S3)，所述第一模拟开关(S1)连接第三模拟开关(S3)，所述第三模拟开关(S3)连接晶闸管的控制极(G)。具体的，第三模拟开关(S3)也是单刀双掷开关，其输入端连接处理单元的输出端，其静触点连接晶闸管的控制极(G)，其两个动触点分别连接第一模拟开关(S1)的静触点以及接地；当测试所述晶闸管正向关断或者反向关断时，处理单元向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出零电平，促使第三模拟开关(S3)的静触点连接电压为0V的动触点，使得晶闸管的控制极(G)上的电压为0；而处理单元的输出端向第四模拟开关(S4)输出高电平+VDD或者低电平-VDD，第四模拟开关(S4)将获得的高电平+VDD或者低电平-VDD加载至第二主电极(T2)，此时晶闸管的控制极(G)与第二主电极(T2)之间形成压降。此时，当晶闸管正向关断或者反向关断时，在晶闸管上可以测得相应的开路电压，否则所述晶闸管异常。本专利技术又一较佳的实施例中，如图1所示，包括：至少四个模拟开关以及处理单元10(MCU)，四个所述模拟开关分别连接所述处理单元10，其中第一模拟开关(S1)连接第三模拟开关(S3)，所述第三模拟开关(S3)连接晶闸管的控制极(G)，第四模拟开关(S4)连接第二模拟开关(S2)，所述第二模拟开关(S2)连接被测晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地。具体的，四个模拟开关均是单刀双掷开关，每个开关的引脚1及3均为此开关的静触点，引脚2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测量晶闸管的电路，其特征在于，包括：至少两个模拟开关以及处理单元，两个所述模拟开关分别连接所述处理单元，其中第一模拟开关(S1)连接晶闸管的控制极(G)，第四模拟开关(S4)连接所述晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地。

【技术特征摘要】
1.一种测量晶闸管的电路，其特征在于，包括：至少两个模拟开关以及处理单元，两个所述模拟开关分别连接所述处理单元，其中第一模拟开关(S1)连接晶闸管的控制极(G)，第四模拟开关(S4)连接所述晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地。2.根据权利要求1所述的一种测量晶闸管的电路，其特征在于，还包括：第三模拟开关(S3)，所述第一模拟开关(S1)连接第三模拟开关(S3)，所述第三模拟开关(S3)连接晶闸管的控制极(G)。3.根据权利要求2所述的一种测量晶闸管的电路，其特征在于，还包括：第二模拟开关(S4)，所述第四模拟开关(S4)连接所述第二模拟开关(S2)，所述第二模拟开关(S2)连接所述晶闸管的第二主电极(T2)。4.根据权利要求3所述的一种测量晶闸管的电路，其特征在于，还包括：第一电阻(R1)以及第二电阻(R2)，所述第一电阻(R1)的一端连接所述第三模拟开关(S3)，其另一端连接所述晶闸管的控制极(G)，所述第二电阻(R2)的一端连接所述第二模拟开关(S2)，其另一端连接所述晶闸管的第二主电极(T2)。5.根据权利要求4所述的一种测量晶闸管的电路，其特征在于，还包括：模数转换单元以及显示单元，所述模数转换单元的输入端连接第二电阻(R2)以及所述晶闸管第二主电极(T2)，所述模数转换单元的输出端连接所述显示单元。6.一种测量晶闸管的装置，其特征在于，包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨霖，洪少林，杨志凌，侯孝刚，吴忠良，钟泓，黄伟梁，薛运林，
申请(专利权)人：优利德科技中国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44