一种Ag/g-C3N4修饰钨酸铋混晶复合材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种Ag/g‑C3N4修饰钨酸铋混晶复合光催化材料的制备方法：将g‑C3N4溶于去离子水中再滴加无水乙醇，搅拌得溶液a；五水硝酸铋溶于稀硝酸，缓慢滴加到溶液a中搅拌得溶液b，pH为0.5‑2；将钨酸钠溶解于硝酸银溶液中，缓慢滴加到溶液b，搅拌后调节至pH为9‑11.5，得溶液c；将溶液c转移到水热合成釜反应后自然冷却到室温，离心后洗涤沉淀并烘干，得到复合光催化材料。获得的Ag/g‑C3N4修饰钨酸铋混晶复合光催化材料，形状为近球状，直径为600‑2000nm；钨酸铋为Bi2WO6和Bi3.84W0.16O6.24组成的混晶，Ag与g‑C3N4掺杂负载于所述钨酸铋的混晶表面；g‑C3N4和钨酸铋的摩尔比为0.01‑0.2:1，银的掺杂量为钨酸铋质量的0.5‑3%。上述复合光催化材料可用于光降解有机物污染。

【技术实现步骤摘要】
一种Ag/g-C3N4修饰钨酸铋混晶复合材料及其制备方法和应用
本专利技术属于无机环保光催化材料
，涉及钨酸铋混晶复合光催化剂方面，具体涉及一种Ag/g-C3N4修饰钨酸铋混晶复合材料。
技术介绍
半导体光催化技术以其高效的特点日益受到人们的重视，用于解决环境污染问题和太阳能转换。对于高效光催化剂的选择是半导体光催化技术最重要的一个方面，目前虽然大约有200多种半导体可用于光催化反应，但是较低的量子效率和严重的光腐蚀现象影响了大多数光催化剂的应用。因此，如何提高半导体光催化剂光生电子空穴的分离效率以抑制其快速复合是光催化技术所面临的问题。通常情况，催化剂的晶体结构、颗粒尺寸、形貌、特定暴露晶面和表面修饰(如，贵金属表面沉积、碳纳米管修饰、石墨烯修饰以及半导体复合等)是提高光生电子空穴分离效率的重要途径，但是，这些方法都是以提高光生电子的传输速率为基础的，然而，通过提高光生空穴的迁移速率以提高光生载流子的分离效率却被忽视。目前，改变光生空穴的迁移速率有两种方法，第一，设计具有能带结构比配的半导体复合体系，在体系吸收光子能量被激发后，可以实现空穴从一种半导体的价带迁移至另一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ag/g‑C3N4修饰钨酸铋混晶复合光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将g‑C3N4溶于去离子水中，超声分散后缓慢滴加无水乙醇，搅拌后得到溶液a；（2）五水硝酸铋溶解于稀硝酸中，缓慢滴加到溶液a中搅拌后得到溶液b；（3）将钨酸钠溶解于硝酸银溶液中，缓慢滴加到溶液b，搅拌后调节溶液至酸性，得到溶液c；（4）将溶液c转移到水热合成釜反应后自然冷却到室温，离心后洗涤沉淀并烘干，得到Ag/g‑C3N4/Bi2WO6/Bi3.84W0.16O6.24复合光催化材料。

【技术特征摘要】
1.一种Ag/g-C3N4修饰钨酸铋混晶复合光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将g-C3N4溶于去离子水中，超声分散后缓慢滴加无水乙醇，搅拌后得到溶液a；（2）五水硝酸铋溶解于稀硝酸中，缓慢滴加到溶液a中搅拌后得到溶液b；（3）将钨酸钠溶解于硝酸银溶液中，缓慢滴加到溶液b，搅拌后调节溶液至酸性，得到溶液c；（4）将溶液c转移到水热合成釜反应后自然冷却到室温，离心后洗涤沉淀并烘干，得到Ag/g-C3N4/Bi2WO6/Bi3.84W0.16O6.24复合光催化材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述g-C3N4通过以下方法得到：将三聚氰胺置于马弗炉中以10-15℃/min的升温速率升至400-550℃，加热2-4h，自然冷却到室温得到煅烧产物，研磨后得到粒径为30-100目的g-C3N4。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述溶液a中g-C3N4的质量浓度为1.0-2.0mg/mL；步骤（2）中，所述稀硝酸中HNO3的摩尔浓度为1mol/L；步骤（3）中，所述硝酸银溶液的摩尔浓度为0.1mol/L。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述溶液a中无水乙醇的与去离子水的体积比为2:1；步骤（2）中，所述g-C3N4和五水硝酸铋的摩尔比为0.01-0.6:1；步...

【专利技术属性】
技术研发人员：隋吴彬，王为卿，刘敏，司绘雨，张蕊，张可林，张左坤，张祥新，
申请(专利权)人：枣庄学院，
类型：发明
国别省市：山东,37