一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，依次经过ZnS基底清洗、Al膜层制备/高分子膜层涂布、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列、等离子体刻蚀和去除膜层。该方法首先在ZnS表面制备Al膜层或高分子膜层(PMMA或光刻胶)，然后采用超快脉冲激光直写技术在膜层中制备微孔阵列，最后采用等离子体刻蚀技术把膜层中的图形刻蚀到ZnS基底上，去除膜层后即可获得具有增透效果的减反微结构表面。该方法具有工艺稳定性及可控性高，可在大面积基底上制备几何尺寸匀称、排列整齐的微孔整列。

【技术实现步骤摘要】
一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法
本专利技术涉及红外光学窗口
，特别是一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法。
技术介绍
硫化锌(ZnS)是用于8～12μm长波红外波段的最有前途的红外光学窗口材料，但其折射率比较高，为2.2，表面反射太大，最终透射率只有74％左右，不能满足使用需求。所以必须对ZnS进行表面减反处理。与传统的减反薄膜相比，减反微结构表面是在基底材料表面上直接加工而成，可以通过调节结构几何尺寸达到良好的光学匹配效果，从而起到减反作用。所以，减反微结构表面能够克服减反薄膜所面临的界面结合、折射率匹配、热匹配、材料选择有限等问题。与本专利技术最接近的现有技术，是文献①“红外透射材料抗反射表面织构的设计、制备和测量性能”(DouglasS.HobbsandBruceD.MacLeod.“Design,fabrication,andmeasuredperformanceofanti-reflectingsurfacetexturesininfraredtransmittingmaterials”。ProceedingsofSPIE,2005,5786:349本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、ZnS基底清洗：将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗，获得表面洁净的ZnS基底；步骤二、Al膜层制备/高分子膜层涂布：在ZnS基底表面通过溅射工艺沉积一层厚度为100～200nm的Al膜层或在ZnS基底表面通过旋转涂胶工艺涂布一层厚度为800nm～1.5μm的高分子膜层，所述高分子膜层为PMMA或光刻胶；步骤三、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列：通过超快脉冲激光直写工艺在Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构参数为周期3.6～4.0μm、孔径1.2～2.0μm的微孔结构阵列；步骤四...

【技术特征摘要】
1.一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、ZnS基底清洗：将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗，获得表面洁净的ZnS基底；步骤二、Al膜层制备/高分子膜层涂布：在ZnS基底表面通过溅射工艺沉积一层厚度为100～200nm的Al膜层或在ZnS基底表面通过旋转涂胶工艺涂布一层厚度为800nm～1.5μm的高分子膜层，所述高分子膜层为PMMA或光刻胶；步骤三、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列：通过超快脉冲激光直写工艺在Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构参数为周期3.6～4.0μm、孔径1.2～2.0μm的微孔结构阵列；步骤四、等离子体刻蚀：通过等离子体刻蚀工艺把Al膜层/高分子膜层中的微孔结构阵列刻蚀到ZnS基底上，刻蚀深度800nm～2.0μm；步骤五、去除膜层：用丙酮清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底，以去除高分子膜层；或者用草酸清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底，以去除Al膜层。2.根据权利要求1所述的ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，溅射工艺参数为：Al靶，Ar工作气体，背景真空度优于6×10...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳平，陈勇，范思苓，林文瑾，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61