导电结构的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种导电结构的加工方法，包括如下步骤：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；在所述通孔内加工导电结构。其可以应用在厚度大于300μm的硅基底上，突破了现有技术在可加工厚度上的限制，而且可以在硅基底的两侧均实现电性连接，方法简单，可靠性高，且加工效率高，便于机械化生产。

【技术实现步骤摘要】
导电结构的加工方法
本专利技术涉及传感器领域，尤其涉及一种导电结构的加工方法。
技术介绍
基于MEMS(MicroelectromechanicalSystems，微机电系统)技术的传感器在社会生产生活中具有广泛的应用，包括超声加工、超声定位、超声探测、超声成像等各方面。MEMS传感器等在制备时为了实现电性连接，通常采用在硅基底的两侧设置铝制的导电端，进一步的，需要在硅基底上加工导电通孔，并在导电通孔内填充导电材料完成典型连接，现有的加工通孔的方法主要采用机械钻眼或湿法化学蚀刻，然而，机械钻眼不方便工业化生产，湿法化学蚀刻仅适用于厚度小于100μm的较薄的基底。因此，实有必要提供一种新的导电结构的加工方法以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种导电结构的加工方法，其可以突破硅基底厚度的限制，便于机械化生产，能够有效提高生产效率。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种导电结构的加工方法，所述硅基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的厚度大于300μm，所述导电结构的加工方法包括如下步骤：步骤S1：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电结构的加工方法，其特征在于，所述硅基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的厚度大于300μm，所述导电结构的加工方法包括如下步骤：步骤S1：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；步骤S2：从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；步骤S4：在所述通孔内加工导电结构。

【技术特征摘要】
1.一种导电结构的加工方法，其特征在于，所述硅基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的厚度大于300μm，所述导电结构的加工方法包括如下步骤：步骤S1：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；步骤S2：从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；步骤S4：在所述通孔内加工导电结构。2.根据权利要求1所述的导电结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S1包括如下步骤：步骤S11：在所述硅基底的第一表面上形成图案，在不需要加工通孔的部位设置保护层；步骤S12在未设置保护层的部位通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽。3.根据权利要求2所述的导电结构的加工方法，其特征在于，步骤S1和步骤S2之间还包括步骤S13：在所述第一表面和所述第二表面通过氧化形成氧化层，所述氧化层延伸至所述凹槽内部形成阻挡层。4.根据权利要求3所述的导电结构的加工方法，其特征在于，所述步骤S2和所述步骤S4之间还包括步骤S3，对通孔进行处理，去除所述通孔内的氧化层。5.根据权利要求4所述的导电结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕丽英，王绍全，钟晓辉，黎家健，吴健兴，
申请(专利权)人：瑞声科技新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG