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本发明提供了一种导电结构的加工方法，包括如下步骤：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；在所述通孔内加工导电结构。其可以应用在厚度大于300μm的硅基...
该专利属于瑞声科技（新加坡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞声科技（新加坡）有限公司授权不得商用。

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