【技术实现步骤摘要】
一种接触窗的形成方法
本专利技术涉及半导体领域,尤其涉及一种接触窗的形成方法。
技术介绍
在半导体制造技术发展的基础上,微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem,MEMS)也随之得到发展,MEMS也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。MEMS的制造工艺融合了光刻、腐蚀、薄膜、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等半导体微电子工艺技术,侧重于超精密机械加工,涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。它的学科面涵盖微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理、化学、机械学的各分支。常见的MEMS产品包括MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS光学传感器、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器、MEMS气体传感器等等以及它们的集成产品。由于MEMS器件内往往设置有精密结构,例如悬臂结构或精密电路等,且器件内的洁净度也对内部精密结构的运作有较大影响,故往往设置较厚的保护层(例如SiN盖)才能有效的阻挡外界腐蚀(例如电镀液)和外力对保护层内部精 ...
【技术保护点】
1.一种接触窗的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层;在所述保护层上形成开设有第一腔的光阻层;刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料,在所述保护层上形成第二腔;采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料,形成接触窗;其中,所述第一混合气体包括C5F8和CO。
【技术特征摘要】
1.一种接触窗的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层;在所述保护层上形成开设有第一腔的光阻层;刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料,在所述保护层上形成第二腔;采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料,形成接触窗;其中,所述第一混合气体包括C5F8和CO。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料,包括:在20℃-40℃温度下,刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料;所述采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料,包括:在-10℃-0℃温度下,采用所述第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一混合气体还包括:CF4、CHF3、CH3F、Ar、O2和He。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一混合气体中C5F8的体积比上CO的体积的比值范围为2-3。5.如权利要求1所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:张光瑞,马琳,陆原,
申请(专利权)人:赛莱克斯微系统科技北京有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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