一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法，该方法包括：S11、带结构图形的衬底上表面设置至少一层绝缘层；S12、在绝缘层的上表面沉积富硅薄膜，通过光刻工艺与刻蚀工艺对富硅薄膜进行图形化处理，形成图形化的富硅中间层；S13、将富硅中间层与玻璃的下表面接触压紧，阳极键合的阴极与玻璃的上表面电连接，阳极与富硅中间层电连接，加压加温进行阳极键合。上述阳极键合方法，通过在带结构图形的衬底正面沉积并形成图形化的富硅中间层，实现带结构图形的衬底正面与玻璃之间的阳极键合，以将结构图形保护在真空中不受外界影响，使采用此方法完成的器件可用于各种复杂环境，从而提高其适用范围。

An anodic bonding method for substrate and glass with structural graphics

The invention relates to the field of semiconductor technology, and discloses an anodic bonding method for substrates with structural patterns and glass. The method comprises: S11, at least one layer of insulating layer is arranged on the substrates with structural patterns; S12, silicon-rich film is deposited on the upper surface of insulating layer, and silicon-rich film is etched by photolithography and etching process. Graphical processing, forming a graphical silicon-rich intermediate layer; S13, the silicon-rich intermediate layer and the lower surface of glass contact compression, anodic bonded cathode and glass surface electrical connection, anode and silicon-rich intermediate layer electrical connection, pressurized heating for anodic bonding. The above-mentioned anodic bonding method realizes the anodic bonding between the front of the substrate with structural pattern and the glass by depositing on the front of the substrate with structural pattern and forming a graphical silicon-rich intermediate layer, so as to protect the structural pattern from external influence in the vacuum, so that the devices completed by this method can be used in various complex environments. So as to improve its scope of application.

【技术实现步骤摘要】
一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法。
技术介绍
阳极键合技术是微电子机械系统(MicroElectroMechanicalSystems，MEMS)加工领域中一种经典常用的加工技术，可以用于实现MEMS器件的真空密封、圆片级封装等。圆片阳极键合一般在高温或高压条件下进行，键合过程中需要将要键合的硅片接电源正极，玻璃接负极，施加电压500～1000V，将玻璃-硅片加热到300～500℃。在高温高电压的作用下，玻璃中的Na离子将向负极方向漂移，在紧邻硅片的玻璃表面形成耗尽层，耗尽层带有负电荷，硅片带正电荷，硅片和玻璃之间存在较大的静电引力，在比较高的温度下，紧密接触的硅/玻璃界面会发生化学反应，形成牢固的化学键，如Si-O-Si键等，从而使硅片与玻璃二者紧密接触。通过电路中电流的变化情况可以监测阳极键合的过程，刚加上电压时，有一个较大的电流脉冲，后电流减小，最后几乎为零，说明键合已经完成，如图1所示。阳极键合主要应用于硅/玻璃之间的键合、非硅材料与玻璃材料、以及玻璃、金属、半导体、陶瓷之间的互相键合。阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法，其特征在于，所述该阳极键合方法包括如下步骤：S11、带结构图形的衬底上表面设置至少一层绝缘层；S12、在所述绝缘层的上表面沉积富硅薄膜，对所述富硅薄膜进行图形化处理，形成图形化的富硅中间层；S13、将所述富硅中间层与玻璃的下表面接触压紧，阳极键合的阴极与所述玻璃的上表面电连接，阳极与所述富硅中间层电连接，进行阳极键合。

【技术特征摘要】
1.一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法，其特征在于，所述该阳极键合方法包括如下步骤：S11、带结构图形的衬底上表面设置至少一层绝缘层；S12、在所述绝缘层的上表面沉积富硅薄膜，对所述富硅薄膜进行图形化处理，形成图形化的富硅中间层；S13、将所述富硅中间层与玻璃的下表面接触压紧，阳极键合的阴极与所述玻璃的上表面电连接，阳极与所述富硅中间层电连接，进行阳极键合。2.如权利要求1所述的阳极键合方法，其特征在于，所述步骤S11还包括：利用光刻工艺与刻蚀工艺对所述绝缘层进行图形化处理，露出部分不带结构图案的衬底，使所述富硅中间层与所述衬底直接接触。3.如权利要求2所述的阳极键合方法，其特征在于，所述绝缘层进行图形化处理后形成的图形与所述富硅中间层形成的图形不完全重叠。4.如权利要求2所述的阳极键合方法，其特征在于，所述步骤S13还包括：所述阳极键合的阴极与玻璃的上表面电连接，阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳俊文，史晓晶，
申请(专利权)人：南京元感微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32