温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法，该方法包括：S11、带结构图形的衬底上表面设置至少一层绝缘层；S12、在绝缘层的上表面沉积富硅薄膜，通过光刻工艺与刻蚀工艺对富硅薄膜进行图形化处理，形成图形化的富硅中...
该专利属于南京元感微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京元感微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。