一种制作三维电极图形的辅助装置制造方法及图纸

技术编号:19306025 阅读:32 留言:0更新日期:2018-11-03 04:35
本发明专利技术公开了一种制作三维电极图形的辅助装置,包括阻挡板,在阻挡板上设有上下贯穿的通孔,在阻挡板下表面设有至少两个对准凸台;对准凸台与待加工晶片上设置的对准孔对应以用于插入该对准孔中;通孔的位置与待加工晶片上需图形化的位置对应,通孔的深度和横截面大小以满足金属粒子能够通过该通孔到达晶片需要图形化的区域。本发明专利技术图形精度更高且价格低廉,装配简单,装配工艺效率得以提高;此外,该掩模采用硅或石英基材加工,沉积于其上面的金属膜层可通过金属腐蚀液直接去除,非常方便重复使用,理论上可无限次重复使用。

An auxiliary device for making three dimensional electrode pattern

The invention discloses an auxiliary device for making three-dimensional electrode pattern, which comprises a barrier plate with holes running through the upper and lower parts of the barrier plate and at least two alignment bumps on the lower surface of the barrier plate; the alignment bumps correspond to the alignment holes arranged on the wafer to be processed for insertion into the alignment holes; the position of the through holes and the position of the alignment holes to be added; Graphical position correspondence is needed on wafer, and the depth and cross-sectional size of through-hole can satisfy the need for graphic area of wafer through the through-hole for metal particles. In addition, the mask is processed with silicon or quartz substrates, and the metal film deposited on the mask can be removed directly by metal corrosive solution, which is very convenient for reuse and can theoretically be reused indefinitely.

【技术实现步骤摘要】
一种制作三维电极图形的辅助装置
本专利技术涉及微机械加工工艺辅助装置,特别涉及一种用于三维电极高精度制作的辅助装置,属于微机械加工

技术介绍
微机械(MEMS)工艺由半导体工艺发展而来,其与半导体工艺最大的区别为半导体工艺为平面工艺,而微机械工艺为三维立体工艺,采用微机械工艺可制作出多种复杂的三维微结构。三维微结构加工完成以后,大部分器件需要在微结构的正面和侧面制作电极图形以便对微结构进行激励或引出所需的电信号。通过检索发现,潘安宝等发表在《传感器与微系统》(2008)上的文献《石英晶体谐振式绝对压力传感器研制》,提出在三维结构正面和侧面先旋转蒸发上电极图层,再通过侧面光源进行侧面光刻,而后腐蚀出所需的三维电极图形。该种方法电极图形制作精度高,但光刻前的光刻胶需要采用特制的喷涂胶设备进行喷涂,工艺难度增大,且需购置专门的价格昂贵的喷涂胶和侧面曝光设备后才能进行工艺制作,处理成本高。另外,LiqiangXie等发表在《Sensors2010》上的文献《AZ-AxisQuartzCross-ForkMicromachinedGyroscopeBasedonShearStress本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作三维电极图形的辅助装置,其特征在于:包括阻挡板,在阻挡板上设有上下贯穿的通孔,在阻挡板下表面设有至少两个对准凸台;对准凸台与待加工晶片上设置的对准孔对应以用于插入该对准孔中;通孔的位置与待加工晶片上需图形化的位置对应,通孔的深度和横截面大小以满足金属粒子能够通过该通孔到达晶片需要图形化的区域。

【技术特征摘要】
1.一种制作三维电极图形的辅助装置,其特征在于:包括阻挡板,在阻挡板上设有上下贯穿的通孔,在阻挡板下表面设有至少两个对准凸台;对准凸台与待加工晶片上设置的对准孔对应以用于插入该对准孔中;通孔的位置与待加工晶片上需图形化的位置对应,通孔的深度和横截面大小以满足金属粒子能够通过该通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员:林丙涛梅松江黎王宾
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十六研究所
类型:发明
国别省市:重庆,50

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