具有封装测试作用的芯片电极并列结构制造技术

本实用新型专利技术公开了具有封装测试作用的芯片电极并列结构，包括封装电极和晶圆测试电极，封装电极与晶圆测试电极并联成对排布，其中，封装电极距离晶圆测试电极的距离为10um～30um，封装电极的边长为60um～90um，晶圆测试电极的边长为30um～40um；本实用新型专利技术的芯片电极并列结构，能够使得封装电极与晶圆测试电极在物理和功能上进行隔离，从而消除在生产环节因测试、制造对封装电极造成的破坏性影响；同时，因晶圆测试电极的损伤对封装无影响，所以能够适当增加测试扎针次数，避免传统结构上由于多次测试造成的电极损伤严重无法封装的隐患，降低产品报废成本。

【技术实现步骤摘要】
具有封装测试作用的芯片电极并列结构
本技术涉及半导体
，特别涉及具有封装测试作用的芯片电极并列结构。
技术介绍
半导体晶圆（WAFER）测试通常是通过探针系统（PROBE）、测试探卡与芯片电极实现自动对准精准互连后，由自动测试设备ATE实现功能与性能筛选测试。半导体的封装是内部将芯片电极与引线框架形成良好结合，以提供芯片与封装外引脚的电流通路，外部用相关材料形成坚固密封的保护外壳，因此，芯片电极是半导体晶圆测试与封装的桥梁，其可靠性和重要性不言而喻。但是，在当前的传统半导体封装方案中，采取晶圆测试和封装共用同一电极的方案，如图1所示，为现有的芯片电极结构分布图，其中101为芯片电极，102为芯片，封装与晶圆测试复用同一电极；图2为现有具体实施的芯片电极焊线封装示意图，其中，201为芯片电极，202为芯片，203为焊接金属线，204为框架焊盘，焊接金属线203以超声键合方式将芯片电极201与框架焊盘204连接，晶圆测试造成的电极损伤会影响键合质量和可靠性。当前的芯片电极封装方案存在以下不足：1．当前芯片测试大规模使用悬臂针测试方案，悬臂针为铼钨合金材料，晶圆测试连接是通过探针接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有封装测试作用的芯片电极并列结构，其特征在于，所述芯片电极并列结构包括封装电极和晶圆测试电极，封装电极与晶圆测试电极并联成对排布，其中，封装电极距离晶圆测试电极的距离为10um～30um，封装电极的边长为60um～90um，晶圆测试电极的边长为30um～40um。

【技术特征摘要】
1.一种具有封装测试作用的芯片电极并列结构，其特征在于，所述芯片电极并列结构包括封装电极和晶圆测试电极，封装电极与晶圆测试电极并联成对排...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳睿，肖金磊，许秋林，杨树坤，胡博，陈凝，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11