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具有封装测试作用的芯片电极并列结构制造技术
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文档序号:19474411
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本实用新型公开了具有封装测试作用的芯片电极并列结构,包括封装电极和晶圆测试电极,封装电极与晶圆测试电极并联成对排布,其中,封装电极距离晶圆测试电极的距离为10um~30um,封装电极的边长为60um~90um,晶圆测试电极的边长为30um~...
该专利属于紫光同芯微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过紫光同芯微电子有限公司授权不得商用。
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