一种MEMS传感芯片、电路板和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基于SOI技术的MEMS传感芯片、电路板和电子装置。所述基于SOI技术的MEMS传感芯片具有从下至上依次布置和彼此连接的背衬(6)、衬底(5)、绝缘层(4)和顶硅层(3)，其中，电路器件制作于顶硅层(3)上。本发明专利技术中通过绝缘层(4)可实现顶硅层(3)上的电路器件与衬底的介质隔离，从而从根本上解决MEMS传感芯片内部的电荷泄漏问题。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS传感芯片、电路板和电子装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及到一种基于SOI技术的MEMS传感芯片、电路板和电子装置。
技术介绍
随着科技进步和社会发展，各类半导体技术快速发展，MEMS传感芯片及其器件、装置或设备等已经获得了广泛应用，例如需要利用它们来测量诸如压力、温度、速度等参数。然而，现有技术在此方面仍然存在着一些缺陷和不足之处。举例来讲，MEMS压力传感芯片在市场中得到广泛应用，但由于芯片层面的电荷泄漏的存在，影响产品稳定性并不得不放大允许误差范围，导致最终产品性能等级受到极大限制，难以应用于高端市场，甚至在某些情况下直接导致产品失效。虽然后期有新的设计技术进行弥补，可改善电荷泄漏程度，但需提高成本并对芯片的应用提出限制性要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种基于SOI技术的MEMS传感芯片、电路板和电子装置。本专利技术采用IC芯片领域的SOI技术应用于MEMS传感芯片：在芯片衬底表面增加绝缘层，并在其上布置顶硅层及器件，从而有效解决或缓解了现有技术中存在的以上这些问题和其他方面问题中的一个或多个。首先，根据本专利技术的第一方面，它提供了基于SOI本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于SOI技术的MEMS传感芯片，其特征在于，具有从下至上依次布置和彼此连接的背衬(6)、衬底(5)、绝缘层(4)、顶硅层(3)，其中，电路器件制作于顶硅层(3)上。

【技术特征摘要】
1.一种基于SOI技术的MEMS传感芯片，其特征在于，具有从下至上依次布置和彼此连接的背衬(6)、衬底(5)、绝缘层(4)、顶硅层(3)，其中，电路器件制作于顶硅层(3)上。2.根据权利要求1所述的MEMS传感芯片，其特征在于，传感芯片采用平膜片结构。3.根据权利要求1所述的MEMS传感芯片，其特征在于，所述背衬(6)用作为对外连接的机械接口，与所述衬底(5)通过Si-Si或Si-Glass键合连接。4.根据权利要求1所述的MEMS传感芯片，其特征在于，所述传感芯片的衬底(5)与背衬(6)之间构成空腔(1)，该空腔(1)为方形或圆形结构。5.根据权利要求4所述的MEMS传感芯片，其特征在于，所述空腔(1)充满气体或保持真空。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫民，王徐坚，姚康，李俊毅，
申请(专利权)人：上海洛丁森工业自动化设备有限公司，浙江洛丁森智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31