一种全片内集成的驱动自举电路制造技术

一种全片内集成的驱动自举电路，属于电子电路技术领域。包括低压差线性稳压器、肖特基二极管和自举电容，自举电容的一端连接肖特基二极管的阴极并输出供电电压，另一端连接DC/DC转换电路的开关节点；低压差线性稳压器包括误差放大器、抗干扰模块和LDO功率管，误差放大器的反相输入端连接基准电压，其输出端连接LDO功率管的栅极；LDO功率管的源极连接输入电压，其漏极连接肖特基二极管的阳极；抗干扰模块中利用电流镜将自举电容两端电压转化为电流并经过电流缓冲结构和反馈网络后连接误差放大器的同相输入端。本发明专利技术适用于DC/DC转换电路，不需要片外大电容，能够实现全片内集成，节约了电路的面积和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种全片内集成的驱动自举电路
本专利技术属于电子电路
，具体涉及到一种适用于DC/DC转换电路的驱动自举电路。
技术介绍
开关电源的BUCK电路中，需要通过驱动电路控制上下功率管的轮流开启。当下功率管开启时，开关节点SW处的电位被拉至低电平。当上功率管开启时，开关节点SW处的电位接近于输入电压VIN。由于开关节点SW处的电位随着功率管的开启而变化，为了保证上功率管的开启，需要使上功率管的栅极电位随着开关节点SW处的电位的变化而变化。出于效率等因素的考虑，上功率管和下功率管通常采用NMOS，当上功率管开启时，它的栅极供电电压BST要高于输入电压VIN，这通常由一个自举电容Cboot来实现上功率管栅极电位和开关节点SW处电位的恒定压差，即实现上功率管栅极供电电压BST与开关节点SW处电位的恒定压差。当下功率管开启时，即开关节点SW处的电位为低电位时，自举电容Cboot会被充电至一个固定电压。当开启上功率管时，开关节点SW处的电位被抬升至接近输入电压VIN，此时由于自举电容Cboot上的电压不能突变，上功率管的栅极供电电压BST随着开关节点SW处电位的升高而升高，使上功率管的栅源电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全片内集成的驱动自举电路，适用于DC/DC转换电路，为所述DC/DC转换电路内的上功率管的栅极提供随所述DC/DC转换电路的开关节点处电位变化的供电电压(BST)；所述驱动自举电路包括低压差线性稳压器、肖特基二极管和自举电容(Cboot)，自举电容(Cboot)的一端连接肖特基二极管的阴极并输出所述供电电压(BST)，另一端连接所述DC/DC转换电路的开关节点；所述低压差线性稳压器包括误差放大器、抗干扰模块和LDO功率管(MP)，所述误差放大器的反相输入端连接基准电压(Vref)，其输出端连接LDO功率管(MP)的栅极；LDO功率管(MP)的源极连接输入电压(VIN)，其漏极连接肖特基...

【技术特征摘要】
1.一种全片内集成的驱动自举电路，适用于DC/DC转换电路，为所述DC/DC转换电路内的上功率管的栅极提供随所述DC/DC转换电路的开关节点处电位变化的供电电压(BST)；所述驱动自举电路包括低压差线性稳压器、肖特基二极管和自举电容(Cboot)，自举电容(Cboot)的一端连接肖特基二极管的阴极并输出所述供电电压(BST)，另一端连接所述DC/DC转换电路的开关节点；所述低压差线性稳压器包括误差放大器、抗干扰模块和LDO功率管(MP)，所述误差放大器的反相输入端连接基准电压(Vref)，其输出端连接LDO功率管(MP)的栅极；LDO功率管(MP)的源极连接输入电压(VIN)，其漏极连接肖特基二极管的阳极；其特征在于，所述抗干扰模块包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)，第一电阻(R1)和第二电阻(R2)串联，其串联点连接第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的栅极，第一电阻(R1)的另一端连接第四PMOS管(MP4)的漏极、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)的栅极，第二电阻(R2)的另一端连接第五PMOS管(MP5)的栅极并连接所述DC/DC转换电路中的开关节点；第二PMOS管(MP2)的源极连接第一PMOS管(MP1)的源极并连接肖特基二极管的阴极，其漏极连接第四PMOS管(MP4)的源极；第三PMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：明鑫，辛杨立，范子威，罗淞民，张宣，潘溯，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51