显示设备制造技术

显示设备包含基板，第一电极设置于基板上，第二电极具有第一区段和第二区段，其中第一区段位于第一电极的第一侧，第二区段位于第一电极的第二侧，且第二侧相对于第一侧，以及保护层，保护层与第一区段和第二区段重叠，其中第一区段的长度小于第二区段的长度。显示设备还包含发光组件设置于基板上。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
本公开是关于显示设备，特别是关于使用流体转移(fluidictransfer)制程的显示设备。
技术介绍
发光二极管显示设备的传统转移发光二极管的技术，例如喷墨印刷(inkjetprinting)或机械取放(pick-and-place)技术在一些特定的应用上具有良好的表现，然而，这些传统转移发光二极管的技术无法有效地进行发光二极管的直接转移，在制程良率和成本方面皆有改善的空间。相较于这些传统转移技术，流体转移制程能有效率地进行发光二极管的直接转移，所谓流体转移制程是指利用流体将发光二极管带入基板的开口内，使得发光二极管与基板的开口所暴露出的驱动层电性连接。虽然现存使用流体转移制程的发光二极管的显示设备已足够应付它们原先预定的用途，但它们仍未在各个方面皆彻底的符合要求，因此使用流体转移制程的显示设备目前仍有需克服的问题。
技术实现思路
根据一些实施例，提供显示设备。显示设备包含基板，以及设置于基板上的第一电极。显示设备也包含具有第一区段和第二区段的第二电极，其中第一区段位于第一电极的第一侧，第二区段位于第一电极的第二侧，且第二侧相对于第一侧。显示设备更包含保护层，保护层与第一区段和第二区段重叠，其中第一区段的长度小于第二区段的长度。此外，显示设备包含设置于基板上的发光组件。附图说明借由以下的详细说明配合所附附图，我们能更加理解本公开实施例的观点。值得注意的是，根据工业上的标准惯例，各种组件可能没有按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种组件的尺寸可能被任意地增加或减少。图1A是根据一些实施例，说明显示设备的剖面示意图；图1B是根据一些实施例，说明显示设备的部分上视图，其中图1A是沿着图1B中线A-A’的显示设备的剖面示意图；图2A是说明比较例的显示设备的剖面示意图；图2B是说明比较例的显示设备的部分上视图，其中图2A是沿着图2B中线A-A’的显示设备的剖面示意图。图中组件标号说明：100、100’～显示设备；101～基板；102～驱动层；103～第一电极；103a～第一侧；103b～第二侧；105～第二电极；107、107’～保护层；109～基底；110、110’～开口；111～指向性结构；113～第三电极；115～第四电极；120～发光组件；C1、C1’～第一区段；C2、C2’～第二区段；D1、D1’、D2、D2’～距离；E1、E1’～第三区段；E2、E2’～第四区段；G1～间隙；O1～第五区段；O2～第六区段。具体实施方式以下提供了很多不同的实施例或范例，用于实施所提供的显示设备的不同组件。各组件和其配置的具体范例描述如下，以简化本公开实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本公开实施例。举例而言，叙述中若提及第一组件形成在第二组件之上，可能包含第一和第二组件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成在第一和第二组件之间，使得第一和第二组件不直接接触的实施例。此外，本公开实施例可能在不同的范例中重复参考数字及/或字母。如此重复是为了简明和清楚，而非用以表示所讨论的不同实施例及/或形态之间的关系。以下描述实施例的一些变化。在不同附图和说明的实施例中，相似的参考数字被用来标示相似的组件。可以理解的是，在下述方法之前、期间和之后可以提供额外的操作，且一些叙述的操作可为了该方法的其他实施例被取代或删除。图1A是根据一些实施例，说明显示设备100的剖面示意图。图1B是根据一些实施例，说明显示设备100的部分上视图(为了让上视图更清晰易懂，图1B并未绘示出图1A中发光组件120的基底109和指向性结构111)，其中图1A是沿着图1B中线A-A’的显示设备100的剖面示意图。根据一些实施例，如图1A所示，提供基板101，基板101上设置驱动层102，且驱动层102上设置第一电极103、第二电极105和保护层107。一些实施例中，基板101可为玻璃基板或塑料基板，且驱动层102可包含多个薄膜晶体管(thin-filmtransistors，TFT)、电容、导电层、接触窗、绝缘层或其他半导体组件。此外，驱动层102可由沉积制程、打印(stamping)制程、射出(injecting)制程或其他合适的制程形成。参见图1A和1B，第二电极105至少环绕部分的第一电极103，且第一电极103和第二电极105隔开。另外，保护层107覆盖一部分的第二电极105，换言之，保护层107具有开口110，且开口110暴露出第一电极103以及至少一部分的第二电极105。明确而言，如图1A所示，第一电极103的左侧定义为第一侧103a，且第一电极103的右侧定义为第二侧103b。保护层107覆盖位于第一电极103的第一侧103a的第二电极105的第一区段C1，且保护层107覆盖位于第一电极103的第二侧103b的第二电极105的第二区段C2。另一方面，保护层107的开口110暴露出位于第一电极103的第一侧103a的第二电极105的第三区段E1，且保护层107的开口110暴露出位于第一电极103的第二侧103b的第二电极105的第四区段E2。一些实施例中，如图1B所示，在上视图中第二电极105为具有缺口的环状结构，此环状结构的宽度(即剖面图中的长度)为一定值，亦即在垂直于基板101的表面的任一剖面图中，位于第一电极103的相对两侧的第二电极105具有相同的长度，因此，第二电极105的第一区段C1与第三区段E1的长度总和等于第二电极105的第二区段C2与第四区段E4的长度总和。值得注意的是，在本实施例中，第一区段C1的长度小于第二区段C2的长度，且第三区段E1的长度大于第四区段E2的长度。换言之，以第一电极103的中心线为对称轴来看，保护层107的开口110并未左右对称。一些实施例中，第一电极103和第二电极105可由具有良好导电性的金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、镍(Ni)、锡(Sn)、镁(Mg)、前述的组合或其他导电材料制成，且保护层107可由绝缘无机材料，例如氧化硅或氮化硅，或者其他合适的绝缘有机材料制成。此外，第一电极103和第二电极105可由不同道制程分别形成，或者由同一道制程同时形成，且第一电极103和第二电极105可借由沉积制程、打印制程、射出制程或其他合适的制程形成。一些实施例中，保护层107及其开口110可借由沉积、光刻和蚀刻制程形成。再参见图1A，使用流体转移制程将发光组件120放置在基板101上，在流体转移制程中，流体沿着X1方向将发光组件120放入保护层107内的开口110，且一个开口110可容纳一个发光组件120。一些实施例中，发光组件120包含基底109、指向性结构111、第三电极113和第四电极115。第三电极113和第四电极115位于发光组件120的第一侧，且指向性结构111位于发光组件120与第一侧相反的第二侧。另外，第三电极113和第四电极115隔开，且第四电极115至少环绕部分的第三电极113。此外，发光组件120可为发光二极管(light-emittingdiode，LED)，特别是覆晶(flip-chip)的发光二极管。一些实施例中，发光组件120的基底109可由硅、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、二氧化硅(SiO2)、蓝宝石或前述的组合制成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，包括：一基板；一第一电极，设置于该基板上；一第二电极，具有一第一区段和一第二区段，其中该第一区段位于该第一电极的一第一侧，该第二区段位于该第一电极的一第二侧，且该第二侧相对于该第一侧；一保护层，该保护层与该第一区段和该第二区段重叠，其中该第一区段的长度小于该第二区段的长度；以及一发光组件，设置于该基板上。

【技术特征摘要】
2017.05.03 US 62/500,5391.一种显示设备，包括：一基板；一第一电极，设置于该基板上；一第二电极，具有一第一区段和一第二区段，其中该第一区段位于该第一电极的一第一侧，该第二区段位于该第一电极的一第二侧，且该第二侧相对于该第一侧；一保护层，该保护层与该第一区段和该第二区段重叠，其中该第一区段的长度小于该第二区段的长度；以及一发光组件，设置于该基板上。2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一区段和该第二区段的长度差在1μm至2.4μm的范围内。3.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一区段和该第二区段的长度差在1.6μm至2.2μm的范围内。4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第二电极更具有一第三区段和一第四区段，该第三区段位于该第一侧，该第四区段位于该第二侧，该保护层暴露出该第三区段和该第四区段，该第三区段的长度大于该第四区段的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊贤，石建中，谢朝桦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71