一种柔性窄边框触控感应器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种柔性窄边框触控感应器的制备方法，包括以下步骤：A)在柔性透明基板上依次镀ITO薄膜、铜层和铜镍合金层；B)在所述铜镍合金层上涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第一蚀刻液对显影后的基板进行蚀刻；C)去除所述步骤B)中的光阻层；D)对所述步骤C)中去除光阻层的基板进行老化；E)在所述老化后的基板表面涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第二蚀刻液对对老化后的基板进行蚀刻；F)去除所述步骤E)中的光阻层，得到柔性窄边框触控感应器。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性窄边框触控感应器及其制备方法
本专利技术属于触摸屏
，尤其涉及一种柔性窄边框触控感应器及其制备方法。
技术介绍
在现有的柔性触控感应器制造工艺中，其感应讯号边缘走线可采用以下三种技术制成：1、边缘线路先经银浆丝网印刷，再通过激光镭射技术加工成细线路。该技术一方面设备受限于激光头的影响，线距越细，激光头发出的激光也需要越细，精度控制相应也要提高，同时还会增加加工时间；另一方面受限于材料加工特性，激光镭射工艺是通过瞬间高温方式将银浆中的粘着剂燃烧掉，使银颗粒不能再附着在基材上。但过大的能量不仅可烧掉粘着剂，同样会损伤到基材。故在实际加工过程中，会有少量的银颗粒残留在基材上。终端用户在使用过程中，残留的银颗粒会在电场作用下连成一条线，造成短路。线距越小，发生短路的机率会越大。因此，该方法线宽线距通常限制在20/20μm以上。2、边缘线路先经感光银进行丝网印刷，再通过曝光显影技术加工。此工艺的缺点就是银浆材料很昂贵，比激光镭射所使用的银浆贵好几倍，另外对环境要求很高，一颗10μm的灰尘就会造成产品不良，故制程良率不高。3、边缘线路采用镀Cu，通过光阻涂布、曝光、显影、蚀刻技术加工成的细线路，受限于光阻的解析度及蚀刻药液的影响，难以做到20μm及以下线路，而且由于Cu的易氧化、耐热性差，容易造成FPCBonding的搭接及外观不良。比如，专利号CN201110116725.3公开了一种名称为“触控面板及其制造方法”的专利技术专利，此专利说明的方法只能做到50μm线路；其采用纯Cu做线路，无法解决后续bonding问题；去除中间可视区Cu制程时，其后续对位及蚀刻药液对ITO的影响也不容忽视。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种柔性窄边框触控感应器及其制备方法，本专利技术中的制备方法能够制得线宽或线距在20μm以下的边缘走线，并且解决了Cu抗氧性及耐热性差的缺点。本专利技术提供一种柔性窄边框触控感应器的制备方法，包括以下步骤：A)在柔性透明基板上依次镀ITO薄膜、铜层和铜镍合金层；B)在所述铜镍合金层上涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第一蚀刻液对显影后的基板进行蚀刻；所述第一蚀刻液包括以下质量分数的组分：2～10％的HCl，1～8％的硝酸和0.1～2％的氯化铜；C)去除所述步骤B)中的光阻层；D)对所述步骤C)中去除光阻层的基板进行老化；E)在所述老化后的基板表面涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第二蚀刻液对老化后的基板进行蚀刻；所述第二蚀刻液包括以下含量的组分：0.1％～5％的氧化剂，0.1％～2％的含氮化合物和0.1％～2％的Cu化合物；F)去除所述步骤E)中的光阻层，得到柔性窄边框触控感应器。优选的，所述步骤A)中铜层的镀膜温度为50～180℃；所述步骤A)中铜层的镀膜功率为1～15kW。优选的，所述步骤A)中铜镍合金层的镀膜温度为50～180℃；所述步骤A)中铜镍合金层的镀膜功率为1～15kW。优选的，所述步骤C)中老化的温度为120～180℃；所述步骤C)中老化的时间为1～30min。优选的，所述第二蚀刻液中，氧化剂为过氧化氢、过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸氢钠、过硫酸钾、过硫酸氢钾中的一种或多种；所述氧化剂的含量为0.5％～2％。优选的，所述第二蚀刻液中，所述含氮化合物为苯并三唑、氯化三苯基四唑、咪唑、吡唑、甲苯并三唑和氨基四唑中的一种或多种；所述含氮化合物的含量为0.1％～1％。优选的，所述第二蚀刻液中，Cu化合物为硫酸铜、氯化铜、硝酸铜和磷酸铜中的一种或多种；所述Cu化合物的含量为0.1％～1％。优选的，所述步骤E)中蚀刻的温度为10～60℃；所述蚀刻的时间为40～180s。优选的，所述铜层的厚度为1～250nm。优选的，所述铜镍合金层的厚度为1～50nm。本专利技术提供了一种柔性窄边框触控感应器的制备方法，包括以下步骤：A)在柔性透明基板上依次镀ITO薄膜、铜层和铜镍合金层；B)在所述铜镍合金层上涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第一蚀刻液对显影后的基板进行蚀刻；所述第一蚀刻液包括以下质量分数的组分：2～10％的HCl，1～8％的硝酸和0.1～2％的氯化铜；C)去除所述步骤B)中的光阻层；D)对所述步骤C)中去除光阻层的基板进行老化；E)在所述老化后的基板表面涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第二蚀刻液对对老化后的基板进行蚀刻；所述第二蚀刻液包括以下质量分数的组分：0.1％～5％的氧化剂，0.1％～2％的含氮化合物和0.1％～2％的Cu化合物；F)去除所述步骤E)中的光阻层，得到柔性窄边框触控感应器。本专利技术采用特制的蚀刻液，同时增加了老化制程，并在铜层表面增加了铜镍合金层，能达到边缘导线线宽10μm及以下要求；同时蚀刻出中间图案及边缘走线，使两者可准确对位，提高生产良率；同时解决了Cu的抗氧化及耐热性差的缺点，使其适用范围更广。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术制备方法的工艺流程图；图2为本专利技术柔性窄边框触控感应器的结构变化图；图2中，1为柔性透明基板，2为ITO薄膜层，3为铜层，4为铜镍金属层，5为光阻层1，6为光阻层2。具体实施方式本专利技术提供了一种柔性窄边框触控感应器的制备方法，包括以下步骤：A)在柔性透明基板上依次镀ITO薄膜、铜层和铜镍合金层；B)在所述铜镍合金层上涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第一蚀刻液对显影后的基板进行蚀刻；所述第一蚀刻液包括以下质量分数的组分：2～10％的HCl，1～8％的硝酸和0.1～2％的氯化铜；C)去除所述步骤B)中的光阻层；D)对所述步骤C)中去除光阻层的基板进行老化；E)在所述老化后的基板表面涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第二蚀刻液对对老化后的基板进行蚀刻；所述第二蚀刻液包括以下质量分数的组分：0.1％～5％的氧化剂，0.1％～2％的含氮化合物和0.1％～2％的Cu化合物；F)去除所述步骤E)中的光阻层，得到柔性窄边框触控感应器。本专利技术中的制备方法流程示意图以及产品结构变化如图1～2所示。在本专利技术中，所述柔性透明基板没有特殊的限制，采用本领域常用的制作柔性触控感应器的柔性透明基板即可，如PC、PET、COP、CPI等。在本专利技术中，所述ITO薄膜的镀膜温度优选为10～120℃，更优选为20～100℃，最优选为30～80℃；所述ITO薄膜的镀膜功率优选为1～10kW，更优选为1～5kW，更优选为1～3kW。所述ITO薄膜为未结晶的ITO薄膜，所述ITO薄膜的厚度优选为20～50nm，更优选为20～30nm。所述铜层的镀膜温度优选为50～180℃，更优选为70～150℃，最优选为80～120℃；所述铜层的镀膜功率优选为1～15kW，更优选为3～12kW，更优选为5～10kW。所述铜层的厚度优选为1～250nm，更优选为50～200nm，最优选为100～150nm。所述铜镍合金层的镀膜温度优选为50～180℃，更优选为70～150℃，最优选为80～120℃；所述铜镍合金层的镀膜功率优选为1～15kW，更优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性窄边框触控感应器的制备方法，包括以下步骤：A)在柔性透明基板上依次镀ITO薄膜、铜层和铜镍合金层；B)在所述铜镍合金层上涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第一蚀刻液对显影后的基板进行蚀刻；所述第一蚀刻液包括以下质量分数的组分：2～10％的HCl，1～8％的硝酸和0.1～2％的氯化铜；C)去除所述步骤B)中的光阻层；D)对所述步骤C)中去除光阻层的基板进行老化；E)在所述老化后的基板表面涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第二蚀刻液对老化后的基板进行蚀刻；所述第二蚀刻液包括以下质量分数的组分：0.1％～5％的氧化剂，0.1％～2％的含氮化合物和0.1％～2％的Cu化合物；F)去除所述步骤E)中的光阻层，得到柔性窄边框触控感应器。

【技术特征摘要】
1.一种柔性窄边框触控感应器的制备方法，包括以下步骤：A)在柔性透明基板上依次镀ITO薄膜、铜层和铜镍合金层；B)在所述铜镍合金层上涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第一蚀刻液对显影后的基板进行蚀刻；所述第一蚀刻液包括以下质量分数的组分：2～10％的HCl，1～8％的硝酸和0.1～2％的氯化铜；C)去除所述步骤B)中的光阻层；D)对所述步骤C)中去除光阻层的基板进行老化；E)在所述老化后的基板表面涂布一层光阻层，经曝光和显影后，采用第二蚀刻液对老化后的基板进行蚀刻；所述第二蚀刻液包括以下质量分数的组分：0.1％～5％的氧化剂，0.1％～2％的含氮化合物和0.1％～2％的Cu化合物；F)去除所述步骤E)中的光阻层，得到柔性窄边框触控感应器。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)中铜层的镀膜温度为50～180℃；所述步骤A)中铜层的镀膜功率为1～15kW。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)中铜镍合金层的镀膜温度为50～180℃；所述步骤A)中铜镍合金层的镀膜功率为1～15kW。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：周群飞，贺柯，
申请(专利权)人：蓝思科技长沙有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43