一种带有电源装置的线路板制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种带有电源装置的线路板，包括电路板、第一电容、第二电容、第一整流硅堆、第二整流硅堆、第三整流硅堆、第四整流硅堆、第五整流硅堆、电阻、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第四熔断器、第一接线端子和第二接线端子，第一整流硅堆、第二整流硅堆、第三整流硅堆、第四整流硅堆、第五整流硅堆并列设置在电路板的中间位置，第一电容设置在第一整流硅堆下方，第一电容与第一整流硅堆的直流输出端并联连接，电阻、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器和第四熔断器依次固定在电路板的下方，电阻串联在第一电容和第一整流硅堆之间。本实用新型专利技术的有益效果是能够在二次电源停电的情况下，完成断路器分闸。

【技术实现步骤摘要】
一种带有电源装置的线路板
本技术涉及一种线路板，尤其是涉及一种带有电源装置的线路板。
技术介绍
控制线路板是断路器二次控制回路的核心部件，一般的控制线路板，具有对控制电流的分配，整流，测量和完成特定工作的功能，但是，控制线路板都不带电源，在停电的状态下，不能工作。或者需要在控制柜内安装一套用不间断电源支持的停电保护装置。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种带有电源装置的线路板，能够在二次电源停电的情况下，完成断路器分闸。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种带有电源装置的线路板，包括电路板、第一电容、第二电容、第一整流硅堆、第二整流硅堆、第三整流硅堆、第四整流硅堆、第五整流硅堆、电阻、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第四熔断器、第一接线端子和第二接线端子，所述第一整流硅堆、所述第二整流硅堆、所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆、所述第五整流硅堆从左到右并列设置在所述电路板的中间位置，所述第一电容设置在所述第一整流硅堆下方，所述第一电容与所述第一整流硅堆的直流输出端并联连接，所述电阻、所述第一熔断器、所述第二熔断器、所述第三熔断器和所述第四熔断器从左到右依次固定在所述电路板的下方，所述电阻串联在所述第一电容和所述第一整流硅堆之间，所述第二电容与所述第二整流硅堆并联连接，所述第一熔断器串联在所述第二电容和所述第二整流硅堆之间，所述第一接线端子设置在所述第一整流硅堆和所述第二整流硅堆上方，所述第一接线端子与所述第一整流硅堆和所述第二整流硅堆串联连接，所述第二接线端子设置在所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆和第五整流硅堆上方，所述第二接线端子与所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆和第五整流硅堆上方串联连接，所述第二熔断器串联在所述第三整流硅堆和所述第二接线端子之间，所述第三熔断器串联在所述第四整流硅堆和所述第二接线端子之间，所述第四熔断器串联在所述第五整流硅堆和所述第二接线端子之间。进一步的，还包括第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻和第五压敏电阻，所述第一压敏电阻和所述第二压敏电阻依次设置在所述第一接线端子上方，所述第三压敏电阻、所述第四压敏电阻和所述第五压敏电阻依次设置在所述第二接线端子上方，所述第一压敏电阻并联在所述第一整流硅堆上，所述第二压敏电阻并联在所述第二整流硅堆上，所述第三压敏电阻并联在所述第三整流硅堆上，所述第四压敏电阻并联在所述第四整流硅堆上，所述第五压敏电阻并联在所述第五整流硅堆上。进一步的，所述第一电容为电解电容。进一步的，所述第二电容为无极性电容。与现有技术相比，本技术具有的优点和积极效果是：在保留原有全部功能的基础上，增加了一个电容式可充电源。在二次电源停电的情况下，可以完成断路器分闸，以及停电时的状态记录，报警，安全闭锁装置的启动等有限的功能。电容式可充电源与酸铅电池的不间断电源相比具备结构简单，体积小，耐电压高，寿命长和免维护等优点。附图说明图1是本技术外部结构示意图；图2是本技术内部结构示意图。图中：1、电路板2、第一电容3、第一整流硅堆4、第一接线端子5第一压敏电阻6、第二压敏电阻7、第二整流硅堆8、第三整流硅堆9、第三压敏电阻10、第四压敏电阻11、第五压敏电阻12、第二接线端子13、第五整流硅堆14、第四整流硅堆15、第四熔断器16、第三熔断器17、第二熔断器18、第一熔断器19、电阻具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本技术无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。如图1和图2所示，本实施例提供一种带有电源装置的线路板，包括电路板、第一电容、第二电容、第一整流硅堆(V1)、第二整流硅堆(V2)、第三整流硅堆(V3)、第四整流硅堆(V4)、第五整流硅堆(V5)、电阻(R)、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第四熔断器、第一接线端子(B)和第二接线端子(A)，第一整流硅堆(V1)、第二整流硅堆(V2)、第三整流硅堆(V3)、第四整流硅堆(V4)、第五整流硅堆(V5)从左到右并列设置在电路板的中间位置，第一电容设置在第一整流硅堆(V1)下方，第一电容与第一整流硅(V1)堆的直流输出端并联连接，电阻(R)、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器和第四熔断器从左到右依次固定在电路板的下方，电阻(R)串联在第一电容和第一整流硅堆(V1)之间，第二电容与第二整流硅堆(V2)的直流输出端并联连接，第一熔断器串联在第二电容和第二整流硅堆(V2)之间，第一接线端子(B)设置在第一整流硅堆(V1)和第二整流硅堆(V2)上方，第一接线端子(B)与第一整流硅堆(V1)和第二整流硅堆(V2)串联连接，第二接线端子(A)设置在第三整流硅堆(V3)、第四整流硅堆(V4)和第五整流硅堆(V5)上方，第二接线端子(A)与第三整流硅堆(V3)、第四整流硅堆(V4)和第五整流硅堆(V5)上方串联连接，第二熔断器串联在第三整流硅堆(V3)和第二接线端子(A)之间，第三熔断器串联在第四整流硅堆(V4)和第二接线端子(A)之间，第四熔断器串联在第五整流硅堆(V5)和第二接线端子(A)之间。还包括第一压敏电阻(RV1)、第二压敏电阻(RV2)、第三压敏电阻(RV3)、第四压敏电阻(RV4)和第五压敏电阻(RV5)，第一压敏电阻(RV1)和第二压敏电阻(RV2)依次设置在第一接线端子(B)上方，第三压敏电阻(RV3)、第四压敏电阻(RV4)和第五压敏电阻(RV5)依次设置在第二接线端子(A)上方，第一压敏电阻(RV1)并联在第一整流硅堆(V1)的交流输出极上，第二压敏电阻(RV2)并联在第二整流硅堆(V2)的交流输出极上，第三压敏电阻(RV3)并联在第三整流硅堆(V3)的交流输出极上，第四压敏电阻(RV4)并联在第四整流硅堆(V4)的交流输出极上，第五压敏电阻(RV5)并联在第五整流硅堆(V5)的交流输出极上。第一接线端子包括B1端子、B2端子、B3端子、B4端子、B5端子、B6端子、B7端子、B8端子、B9端子和B10端子，B1端子和B3端子分别串接在第一整流硅堆(V1)的交流输出极上，B2端子和B4端子分别串接在第一整流硅堆(V1)的直流输出端上，B7端子和B8端子分别串接在第二整流硅堆(V2)的交流输出极上，B8端子和B10端子分别串接在第二整流硅堆(V2)的直流输出端上。第二接线端子包括A1端子、A2端子、A3端子、A4端子、A5端子、A6端子、A7端子、A8端子、A9端子、A1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有电源装置的线路板，其特征在于：包括电路板、第一电容、第二电容、第一整流硅堆、第二整流硅堆、第三整流硅堆、第四整流硅堆、第五整流硅堆、电阻、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第四熔断器、第一接线端子和第二接线端子，所述第一整流硅堆、所述第二整流硅堆、所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆、所述第五整流硅堆从左到右并列设置在所述电路板的中间位置，所述第一电容设置在所述第一整流硅堆下方，所述第一电容与所述第一整流硅堆的直流输出端并联连接，所述电阻、所述第一熔断器、所述第二熔断器、所述第三熔断器和所述第四熔断器从左到右依次固定在所述电路板的下方，所述电阻串联在所述第一电容和所述第一整流硅堆之间，所述第二电容与所述第二整流硅堆并联连接，所述第一熔断器串联在所述第二电容和所述第二整流硅堆之间，所述第一接线端子设置在所述第一整流硅堆和所述第二整流硅堆上方，所述第一接线端子与所述第一整流硅堆和所述第二整流硅堆串联连接，所述第二接线端子设置在所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆和第五整流硅堆上方，所述第二接线端子与所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆和第五整流硅堆上方串联连接，所述第二熔断器串联在所述第三整流硅堆和所述第二接线端子之间，所述第三熔断器串联在所述第四整流硅堆和所述第二接线端子之间，所述第四熔断器串联在所述第五整流硅堆和所述第二接线端子之间。...

【技术特征摘要】
1.一种带有电源装置的线路板，其特征在于：包括电路板、第一电容、第二电容、第一整流硅堆、第二整流硅堆、第三整流硅堆、第四整流硅堆、第五整流硅堆、电阻、第一熔断器、第二熔断器、第三熔断器、第四熔断器、第一接线端子和第二接线端子，所述第一整流硅堆、所述第二整流硅堆、所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆、所述第五整流硅堆从左到右并列设置在所述电路板的中间位置，所述第一电容设置在所述第一整流硅堆下方，所述第一电容与所述第一整流硅堆的直流输出端并联连接，所述电阻、所述第一熔断器、所述第二熔断器、所述第三熔断器和所述第四熔断器从左到右依次固定在所述电路板的下方，所述电阻串联在所述第一电容和所述第一整流硅堆之间，所述第二电容与所述第二整流硅堆并联连接，所述第一熔断器串联在所述第二电容和所述第二整流硅堆之间，所述第一接线端子设置在所述第一整流硅堆和所述第二整流硅堆上方，所述第一接线端子与所述第一整流硅堆和所述第二整流硅堆串联连接，所述第二接线端子设置在所述第三整流硅堆、所述第四整流硅堆和第五整流硅堆上方，所述第二接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建军，阴鹤生，翟久来，
申请(专利权)人：天津威乐斯机电有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12