【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路板、半导体装置、摄像装置、固态摄像元件、制造固态摄像元件的方法以及电子设备
本公开涉及一种电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。具体地,本公开涉及一种抑制特性降低并且抑制产量降低的电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。
技术介绍
近年来,已知一种具有分层结构的背照射互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,其中除其上形成有光电转换器的传感器板以外还准备其上形成有驱动电路的电路板,并且电路板结合到与传感器板的光接收表面相对的表面。在此CMOS图像传感器中,所述分层结构是通过连接传感器板的布线层的表面和电路板的布线层的表面而形成的。此外,提供用于电连接传感器板和电路板的连接部分。在所述连接部分中,穿透传感器板的半导体层并且连接到传感器板的布线层的导通孔和穿透传感器板并且连接到电路板的布线层的另一个导通孔通过形成在传感器板的半导体层的光接收表面的上部部分上的布线部分彼此连接。此外,对应于每个像素的滤色器和芯片上透镜提供在传感器板的半导体层的光接收表面侧上。此处,滤色器与光电 ...
【技术保护点】
1.一种固态图像传感器,其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.29 JP 2016-0656051.一种固态图像传感器,其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态。2.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中所述衬底表面上的所述台阶结构处于分割为相同形状的状态。3.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中处于所述分割状态的所述台阶结构包含具有预定宽度的间隙。4.根据权利要求3所述的固态图像传感器,其中在分割的所述台阶结构在平面方向上的尺寸设置为1的情况下,所述间隙的所述预定宽度大于0.2。5.根据权利要求3所述的固态图像传感器,其中处于所述分割状态的所述台阶结构相对于一个预定的轴向方向以所述预定宽度的所述间隙按几何方式设置。6.根据权利要求5所述的固态图像传感器,其中处于所述分割状态的所述台阶结构以如下方式相对于所述一个预定的轴向方向以所述间隙的所述预定宽度按几何方式设置:在流体滴落到所述衬底表面上的情况下,其上形成多个固态图像传感器的晶片旋转使得所述流体在所述衬底表面上流动的状态下,由于所述台阶结构所致的所述间隙而改变的流体速度整体上被抵消。7.根据权利要求3所述的固态图像传感器,其中多个处于所述分割状态的所述台阶结构关于相对于一个预定的轴向...
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