固态成像装置及电子设备制造方法及图纸

本技术涉及可以扩展具有高灵敏度像素和低灵敏度像素的像素的动态范围的固态成像装置及电子设备。所述固态成像装置包括像素阵列单元，其中多个像素以二维方式排列，其中所述像素包括第一光电转换单元和具有比第一光电转换单元更低灵敏度的第二光电转换单元，且第二光电转换单元在光进入的光轴方向上的尺寸小于第一光电转换单元在光轴方向上的尺寸。本技术可以应用于例如背面照射CMOS图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像装置及电子设备
本技术涉及固态成像装置及电子设备，特定地，涉及可以扩展包括高灵敏度像素和低灵敏度像素的像素的动态范围的固态成像装置及电子设备。
技术介绍
诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的固态成像装置例如用于诸如成像装置的电子设备(诸如数字静态照相机或摄像机)或具有成像功能的移动终端设备。CMOS图像传感器期望具有高灵敏度，使得可以在低照度下获取成像信号。此外，光电二极管期望不易饱和，使得动态范围变大。然而，灵敏度高和光电二极管不易饱和互为消长关系，且很难在保持灵敏度的同时扩展动态范围。因此，已经提出既包括高灵敏度像素又包括低灵敏度像素的CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器在通过高灵敏度像素保持高灵敏度的同时通过低灵敏度像素扩展动态范围(例如，参照专利文献1)引文列表专利文献专利文献1：WO2015/012098A1
技术实现思路
技术问题顺便提及，为了使用高灵敏度像素和低灵敏度像素之间的灵敏度差异来扩展动态范围，需要进一步扩展动态范围，但是目前这种技术方法尚未确立。因此，需要一种用于进一步扩展包括高灵敏度像素和低灵敏度像素的像素的动态范围的技术。本技术鉴于上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态成像装置，包括：像素阵列单元，其中多个像素以二维方式排列，其中所述像素包括：第一光电转换单元，和具有比所述第一光电转换单元更低灵敏度的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元在光进入的光轴方向上的尺寸小于所述第一光电转换单元在光轴方向上的尺寸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.29 JP 2016-0656061.一种固态成像装置，包括：像素阵列单元，其中多个像素以二维方式排列，其中所述像素包括：第一光电转换单元，和具有比所述第一光电转换单元更低灵敏度的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元在光进入的光轴方向上的尺寸小于所述第一光电转换单元在光轴方向上的尺寸。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述第二光电转换单元在与光轴正交的平面方向上的尺寸与所述第一光电转换单元在所述平面方向上的尺寸大致相同或大于所述第一光电转换单元在所述平面方向上的尺寸。3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述像素还包括像素内电容器，该像素内电容器累积从所述第二光电转换单元中溢出的电荷。4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述第二光电转换单元形成在所述像素的半导体区域中的光轴方向上的任意位置处，用于读取累积在所述第二光电转换单元中的电荷的垂直晶体管形成在所述像素的半导体区域中。5.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述第二光电转换单元在光入射侧的相对侧上与光轴正交的平面方向上的尺寸大于光入射侧上的平面方向上的尺寸。6.根据权利要求5所述的固态成像装置，其中所述第一光电转换单元在光入射侧的相对侧上的平面方向上的尺寸小于光入射侧上的平面方向上的尺寸。7.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中所述第一光电转换单元具有形成在光入射侧的相对侧上的PN结。8.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述像素还包括像素内电容器，该像素内电容器累积从所述第二光电转换单元中溢出的电荷，所述第二光电转换单元和所述像素内电容器堆叠成使所述第二光电转换单元位于光入射侧上，所述第一光电转换单元的区域延伸到可通过使所述第二光电转换单元和所述像素内电容器形成堆叠结构而确保的区域。9.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述像素还包括氧化物膜，所述第二光电转换单元和所述氧化物膜堆叠成使所述第二光电转换单元或所述氧化物膜位于光入射侧上。10.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中用于在所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元之间遮光的...

【专利技术属性】
技术研发人员：城户英男，多田正裕，丰岛隆宽，馆下八州志，岩田晃，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP