固态成像元件和电子设备制造技术

提出了一种成像器件和包括该成像器件的电子装置。成像器件包括基板和布置在基板上的光电转换膜。第一像素包括：第一光电转换膜区域；形成在基板中的第一和第二光电转换区域；和用于第一光电转换元件的垂直晶体管。第二像素包括：第二光电转换膜区域；形成在基板中的第一和第二光电转换区域；和用于第一光电转换元件的垂直晶体管。成像器件还包括第一浮动扩散部。第一浮动扩散部由第一像素的第一光电转换区域和第二像素的第一光电转换区域共享。各像素的第一光电转换区域的一部分位于基板的光入射面与相应像素的垂直晶体管之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像元件和电子设备
本专利技术涉及固态成像元件和电子设备，特别地，涉及能够从一个像素区域产生红(R)、绿(G)和蓝(B)各颜色信号的垂直光谱型(verticalspectraltype)固态成像元件以及电子设备。相关申请的交叉参考本申请主张享有于2016年3月31日提交的JP2016-070060号日本专利申请的优先权权益，并将该日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术介绍
能够通过在基板的深度方向上层叠多个光电转换部(光电二极管(PD)等)而从一个像素区域产生多个颜色信号的垂直光谱型固态成像元件已经被提出。因为不需要去马赛克处理，所以垂直光谱型固态成像元件具有例如不容易产生伪色等优点，且光利用效率高于相关领域中的从一个像素区域产生R、G和B中的一种颜色信号的固态成像元件。截至目前，已经存在固态成像元件中的多个像素共享用于实现像素的精细处理的浮动扩散(FD)的技术，也提出将用于使多个像素共享FD的构造应用于垂直光谱型固态成像元件(例如，参见专利文献1)。图1示出了由多个像素共享FD的垂直光谱型固态成像元件的构造例。固态成像元件10是背面照射型的，即光从背面侧(图中的下侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成像器件，其包括：基板；布置在所述基板上的光电转换膜；第一像素，所述第一像素包括：第一光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第二光电转换区域形成在所述基板中；用于所述第一光电转换元件的垂直晶体管；第二像素，其包括：第二光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第二像素的所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第二像素的所述第二光电转换区域形成在所述基板中；用于所述第二像素的所述第一光电转换区域的垂直晶体管；第一浮动扩散部，其中，所述第一像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的光入射...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0700601.一种成像器件，其包括：基板；布置在所述基板上的光电转换膜；第一像素，所述第一像素包括：第一光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第二光电转换区域形成在所述基板中；用于所述第一光电转换元件的垂直晶体管；第二像素，其包括：第二光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第二像素的所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第二像素的所述第二光电转换区域形成在所述基板中；用于所述第二像素的所述第一光电转换区域的垂直晶体管；第一浮动扩散部，其中，所述第一像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的光入射面与用于所述第一像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间，其中，所述第二像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的所述光入射面与用于所述第二像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间，且其中，所述第一浮动扩散部由所述第一像素的所述第一光电转换区域和所述第二像素的所述第一光电转换区域共享。2.如权利要求1所述的成像器件，其中，在横截面图中，所述第一浮动扩散部位于所述第一像素的所述垂直晶体管和所述第二像素的所述垂直晶体管之间。3.如权利要求1所述的成像器件，其中，所述第一像素的所述第二光电转换区域布置在所述第一像素的所述第一光电转换区域下方，且所述第二像素的所述第二光电转换区域布置在所述第二像素的所述第一光电转换区域下方。4.如权利要求2所述的成像器件，还包括：第三像素，其包括：第三光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第三像素的所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第三像素的所述第二光电转换区域形成在所述基板中；用于所述第三像素的所述第一光电转换区域的垂直晶体管；第二浮动扩散部，其中，所述第二浮动扩散部位于所述第二像素的所述第二光电转换区域与所述第三像素的所述第二光电转换区域之间，且其中，所述第二浮动扩散部由所述第二像素的所述第二光电转换区域和所述第三像素的所述第二光电转换区域共享。5.如权利要求4所述的成像器件，其中，所述第三像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的光入射面与用于所述第三像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间。6.如权利要求4所述的成像器件，还包括：第四像素，其包括：第四光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第四像素的所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第四像素的所述第二光电转换区域形成在所述基板中；用于所述第四像素的所述第一光电转换区域的垂直晶体管；第五像素，其包括：第五光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第五像素的所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第五像素的所述第二光电转换区域形成在所述基板中；用于所述第五像素的所述第一光电转换区域的垂直晶体管，其中，所述第一浮动扩散部额外地由所述第四像素的所述第一光电转换区域和所述第五像素的所述第一光电转换区域共享。7.如权利要求6所述的成像器件，其中，所述第三像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的光入射面与用于所述第三像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间，其中，所述第四像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的光入射面与用于所述第四像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间，且其中，所述第五像素的所述第一光电转换区域的一部分形成在所述基板的光入射面与用于所述第五像素的所述第一光电转换区域的所述垂直晶体管之间。8.如权利要求6所述的成像器件，还包括：第六像素，其包括：第六光电转换膜区域；第一光电转换区域，其中，所述第六像素的所述第一光电转换区域形成在所述基板中；第二光电转换区域，其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊东恭佑，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP