图像拾取装置和电子设备制造方法及图纸

本公开涉及一种能够抑制基板的翘曲的图像拾取装置和电子设备。根据本公开，第一结构体和第二结构体被层叠，第一结构体包括像素阵列单元，第二结构体包括从装置的外部输入预定信号和将从所述像素输出的像素信号输出到装置的外部的输入/输出电路单元和信号处理电路。经由贯通第二结构体内的半导体基板的第一贯通孔连接到外部的信号输出用外部端子和连接到所述输入电路单元并经由贯通所述半导体基板的第二贯通孔连接到外部的信号输入用外部端子配置在第一结构体的像素阵列单元的下方。所述信号输出用外部端子经由第一再配线电气连接到第一贯通孔，所述信号输入用外部端子经由第二再配线电气连接到第二贯通孔，和电气独立的第三再配线配置在配置有第一再配线和第二再配线的层中。本公开可以适用于例如图像拾取装置等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像拾取装置和电子设备
本公开涉及一种图像拾取装置和电子设备，具体地涉及能够使装置尺寸进一步小型化的图像拾取装置和电子设备。
技术介绍
诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器等图像拾取装置已经进一步小型化，例如，通过设计其中多个半导体基板层叠的构成(例如，参见专利文献1)。引用文献列表专利文献专利文献1：日本专利申请特开No.2014-72294
技术实现思路
专利技术要解决的问题随着图像拾取装置进一步小型化，取出输出信号的端子部占据的面积相对于装置的平面尺寸增加，并且小型化变得困难。鉴于这种情况做出了本公开，本公开旨在能够使装置尺寸进一步小型化。解决问题的方案本技术的一个方面的图像拾取装置包括：层叠的第一结构体和第二结构体，第一结构体包括其中执行光电转换的像素二维排列的像素阵列单元，第二结构体位于第一结构体的下方，第二结构体包括从装置的外部输入预定信号的输入电路单元、将从所述像素输出的像素信号输出到装置的外部的输出电路单元和信号处理电路；和配置在第一结构体的像素阵列单元的下方的输出单元和输入单元，所述输出单元包括所述输出电路单元、连接到所述输出电路单元并贯通构成第二结构体的一部分的半导体基板的第一贯通孔和经由第一贯通孔将所述输出电路单元连接到所述装置的外部的信号输出用外部端子，所述输入单元包括所述输入电路单元、连接到所述输入电路单元并贯通所述半导体基板的第二贯通孔和经由第二贯通孔将所述输入电路单元连接到所述装置的外部的信号输入用外部端子，其中所述信号输出用外部端子经由第一再配线电气连接到第一贯通孔，所述信号输入用外部端子经由第二再配线电气连接到第二贯通孔，和电气独立的第三再配线配置在配置有第一再配线和第二再配线的层中。本技术的一个方面的电子设备包括图像拾取装置，所述图像拾取装置包括：层叠的第一结构体和第二结构体，第一结构体包括其中执行光电转换的像素二维排列的像素阵列单元，第二结构体位于第一结构体的下方，第二结构体包括从装置的外部输入预定信号的输入电路单元、将从所述像素输出的像素信号输出到装置的外部的输出电路单元和信号处理电路；和配置在第一结构体的像素阵列单元的下方的输出单元和输入单元，所述输出单元包括所述输出电路单元、连接到所述输出电路单元并贯通构成第二结构体的一部分的半导体基板的第一贯通孔和经由第一贯通孔将所述输出电路单元连接到所述装置的外部的信号输出用外部端子，所述输入单元包括所述输入电路单元、连接到所述输入电路单元并贯通所述半导体基板的第二贯通孔和经由第二贯通孔将所述输入电路单元连接到所述装置的外部的信号输入用外部端子，其中所述信号输出用外部端子经由第一再配线电气连接到第一贯通孔，所述信号输入用外部端子经由第二再配线电气连接到第二贯通孔，和电气独立的第三再配线配置在配置有第一再配线和第二再配线的层中。在本技术的一个方面的图像拾取装置中，第一结构体和第二结构体被层叠，第一结构体包括其中执行光电转换的像素二维排列的像素阵列单元，第二结构体位于第一结构体的下方，第二结构体包括从装置的外部输入预定信号的输入电路单元、将从所述像素输出的像素信号输出到装置的外部的输出电路单元和信号处理电路；和配置在第一结构体的像素阵列单元的下方的输出单元和输入单元，所述输出单元包括所述输出电路单元、连接到所述输出电路单元并贯通构成第二结构体的一部分的半导体基板的第一贯通孔和经由第一贯通孔将所述输出电路单元连接到所述装置的外部的信号输出用外部端子，所述输入单元包括所述输入电路单元、连接到所述输入电路单元并贯通所述半导体基板的第二贯通孔和经由第二贯通孔将所述输入电路单元连接到所述装置的外部的信号输入用外部端子。所述信号输出用外部端子经由第一再配线电气连接到第一贯通孔，所述信号输入用外部端子经由第二再配线电气连接到第二贯通孔，和电气独立的第三再配线配置在配置有第一再配线和第二再配线的层中。本技术的一个方面的电子设备是包括所述图像拾取装置的设备。专利技术效果根据本技术的一个方面，可以使装置尺寸进一步小型化。请注意，这里记载的效果不必需受到限制，并且可以是本公开中记载的任何效果。附图说明图1是示出采用本技术的图像拾取装置的示意性结构的图。图2是示出图像拾取装置的系统构成例的框图。图3是示出像素的电路配置构成例的图。图4是示出输入电路单元和输出电路单元的构成例的图。图5是示出图像拾取装置中的电路配置的第一电路配置构成例的图。图6是示出沿着图5的线A-A'的断面结构的图。图7是示出图像拾取装置中的电路配置的第二电路配置构成例的图。图8是示出沿着图7的线B-B'的断面结构的图。图9是示出作为比较例1的图像拾取装置的最终形状的断面的图。图10是示出作为比较例2的图像拾取装置的最终形状的断面的图。图11是示出作为比较例3的图像拾取装置的最终形状的断面的图。图12是示出图像拾取装置中的电路配置的第三电路配置构成例的图。图13是示出图像拾取装置中的电路配置的第四电路配置构成例的图。图14是示出沿着图13的线C-C'的断面结构的图。图15是示出图像拾取装置中的电路配置的第五电路配置构成例的图。图16是示出图像拾取装置中的电路配置的第六电路配置构成例的图。图17是示出图像拾取装置中的电路配置的第七电路配置构成例的图。图18是示出图像拾取装置中的电路配置的第八电路配置构成例的图。图19是示出图像拾取装置中的电路配置的第九电路配置构成例的图。图20是示出图像拾取装置中的电路配置的第十电路配置构成例的图。图21是示出沿着图20的线D-D'的断面结构的图。图22是示出图像拾取装置中的电路配置的第十一电路配置构成例的图。图23是图像拾取装置1的外周附近的放大断面图。图24是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图25是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图26是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图27是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图28是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图29是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图30是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图31是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图32是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图33是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图34是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图35是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图36是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图37是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图38是用于说明制造具有双接触结构的图像拾取装置的方法的图。图39是用于说明制造具有Cu-Cu直接接合结构的图5的图像拾取装置的方法的图。图40是用于说明制造具有Cu-Cu直接接合结构的图5的图像拾取装置的方法的图。图41是用于说明制造具有Cu-Cu直接接合结构的图5的图像拾取装置的方法的图。图42是用于说明制造具有Cu-Cu直接接合结构的图5的图像拾取装置的方法的图。图43是用于说明制造具有Cu-Cu直接接合结构的图5的图像拾取装置的方法的图。图44是用于说明图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像拾取装置，包括：层叠的第一结构体和第二结构体，第一结构体包括其中执行光电转换的像素二维排列的像素阵列单元，第二结构体位于第一结构体的下方，第二结构体包括从装置的外部输入预定信号的输入电路单元、将从所述像素输出的像素信号输出到装置的外部的输出电路单元和信号处理电路；和配置在第一结构体的像素阵列单元的下方的输出单元和输入单元，所述输出单元包括所述输出电路单元、连接到所述输出电路单元并贯通构成第二结构体的一部分的半导体基板的第一贯通孔和经由第一贯通孔将所述输出电路单元连接到所述装置的外部的信号输出用外部端子，所述输入单元包括所述输入电路单元、连接到所述输入电路单元并贯通所述半导体基板的第二贯通孔和经由第二贯通孔将所述输入电路单元连接到所述装置的外部的信号输入用外部端子，其中所述信号输出用外部端子经由第一再配线电气连接到第一贯通孔，所述信号输入用外部端子经由第二再配线电气连接到第二贯通孔，和电气独立的第三再配线配置在配置有第一再配线和第二再配线的层中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.24 JP 2016-0599781.一种图像拾取装置，包括：层叠的第一结构体和第二结构体，第一结构体包括其中执行光电转换的像素二维排列的像素阵列单元，第二结构体位于第一结构体的下方，第二结构体包括从装置的外部输入预定信号的输入电路单元、将从所述像素输出的像素信号输出到装置的外部的输出电路单元和信号处理电路；和配置在第一结构体的像素阵列单元的下方的输出单元和输入单元，所述输出单元包括所述输出电路单元、连接到所述输出电路单元并贯通构成第二结构体的一部分的半导体基板的第一贯通孔和经由第一贯通孔将所述输出电路单元连接到所述装置的外部的信号输出用外部端子，所述输入单元包括所述输入电路单元、连接到所述输入电路单元并贯通所述半导体基板的第二贯通孔和经由第二贯通孔将所述输入电路单元连接到所述装置的外部的信号输入用外部端子，其中所述信号输出用外部端子经由第一再配线电气连接到第一贯通孔，所述信号输入用外部端子经由第二再配线电气连接到第二贯通孔，和电气独立的第三再配线配置在配置有第一再配线和第二再配线的层中。2.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中第三再配线配置在未配置第一再配线、第二再配线、所述信号输出用外部端子、所述信号输入用外部端子、第一贯通孔和第二贯通孔的区域中。3.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中第三再配线以抑制装置的翘曲的形状和位置形成。4.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中第三再配线以用于减小由于形成保护膜时的热处理引起的所述保护膜的收缩而施加到装置上的应力的形状和位置形成，所述保护膜保护第一再配线和第二再配线。5.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中第三再配线以用于细划分保护第一再配线和第二再配线的保护膜的形状和位置形成。6.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中第三再配线在第二结构体的表面上形成为大面积或大周边长。...

【专利技术属性】
技术研发人员：石渡宏明，田中晴美，安藤厚博，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP