基板处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种基板处理设备，用于喷射源气体和反应气体，所述设备包括：第一排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第一废气；第二排放管路，排出相比于源气体包含更多的反应气体的第二废气；捕获装置，安装在第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排出穿过捕获装置的第一废气和穿过第二排放管路的第二废气。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理设备
本专利技术涉及一种用于在基板上沉积薄膜的基板处理设备。
技术介绍
通常，应该在基板表面上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案，以制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等。为此，执行半导体制造工艺，并且半导体制造工艺的示例包括：在基板上沉积包括特定材料的薄膜的薄膜沉积工艺；通过使用光敏材料选择性地曝光一部分薄膜的光学工艺；去除与选择性曝光部分相对应的薄膜以形成图案的蚀刻工艺等。半导体制造工艺在基板处理设备内执行，该基板处理设备基于用于相应工艺的最佳环境而设计，近来，用于基于等离子体执行沉积或蚀刻工艺的基板处理设备被广泛使用。基于等离子体的基板处理设备的示例包括用于通过使用等离子体形成薄膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、用于蚀刻和将薄膜图案化的等离子体蚀刻设备等。图1是现有技术的基板处理设备的示意性侧视剖视图。参照图1，现有技术的基板处理设备包括腔室10、等离子体电极20、基座30和气体分配装置40。腔室10为基板处理工艺提供处理空间。在这种情况下，腔室10的两个底面均与泵送口12连通以排放处理空间。等离子体电极20安装在腔室10上以密封处理空间。等离子体电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备，源气体和反应气体被分配到所述基板处理设备，所述基板处理设备包括：第一排放管路，排放包括所述反应气体和多于所述反应气体的所述源气体的第一废气；第二排放管路，排放包括所述源气体和多于所述源气体的所述反应气体的第二废气；捕获装置，安装在所述第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排放流经所述捕获装置的所述第一废气和流经所述第二排放管路的所述第二废气，其中，所述捕获装置捕获流入所述第一排放管路的所述源气体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.26 KR 10-2016-0009527;2017.01.13 KR 10-2011.一种基板处理设备，源气体和反应气体被分配到所述基板处理设备，所述基板处理设备包括：第一排放管路，排放包括所述反应气体和多于所述反应气体的所述源气体的第一废气；第二排放管路，排放包括所述源气体和多于所述源气体的所述反应气体的第二废气；捕获装置，安装在所述第一排放管路中；以及第三排放管路，连接到排放泵以排放流经所述捕获装置的所述第一废气和流经所述第二排放管路的所述第二废气，其中，所述捕获装置捕获流入所述第一排放管路的所述源气体。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述捕获装置包括用于防止颗粒产生的等离子体捕获器。3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，所述反应气体是氢气(H2)、氮气(N2)、氧气(O2)、二氧化氮(NO2)、氨(NH3)、水(H2O)和臭氧(O3)中的至少一种。4.根据权利要求1所述的基板处理设备，包括基板处理单元，所述基板处理单元执行薄膜沉积工艺以在基板上沉积薄膜，所述薄膜沉积工艺将所述源气体和所述反应气体分别分配到在空间上彼此分离的源气体分配区域和反应气体分配区域。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述基板处理单元包括：处理室，提供处理空间；基板支撑部，安装在所述处理室中用以支撑至少一个基板；以及吹扫气体分配单元，将吹扫气体分配到所述源气体分配区域与所述反应气体分配区域之间的空间，以在空间上分离所述源气体分配区域和所述反应气体分配区域，所述吹扫气体分配单元还将所述吹扫气体分配到所述处理室的内周表面与所述基板支撑部的外周表面之间的气体排出区域，以将所述气体排出区域在空间上分离成第一气体排出区域和第二气体排出区域，所述第一排放管路耦接到所述处理室并连接到所述第一气体排出区域，并且所述第二排放管路耦接到所述处理室并连接到所述第二气体排出区域。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述处理室包括设置在所述第一气体排出区域中的第一排放口和设置在所述第二气体排出区域中的第二排放口，所述第一排放管路经由所述第一排放口连接到所述第一气体排出区域，并且所述第二排放管路经由所述第二排放口连接到所述第二气体排出区域。7.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述基板处理单元包括分隔构件，所述分隔构件设置成在从所述处理室的内周表面到所述基板支撑部的外周表面的方向上突出，并且所述分隔构件设置在所述气体排出区域中，并且所述吹扫气体分配单元将所述吹扫气体分配到所述基板支撑部的外周表面与所述分隔构件之间的空间，以在空间上分离所述第一气体排出区域和所述第二气体排出区域。8.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述吹扫气体分配单元以比所述源气体和所述反应气体的分配压力高的分配压力分配所述吹扫气体。9.一种基板处理设备，其中，被分配源气体的腔室的区域不同于被分配...

【专利技术属性】
技术研发人员：金世英，权秀泳，刘真赫，赵炳夏，千珉镐，黄喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR