本发明专利技术提供不仅在常温环境下，而且在高温环境下也能够经过长时间地维持良好的电压保持率，且可抑制残影的产生的液晶显示装置。本发明专利技术的液晶显示装置具有一对基板、夹持于上述一对基板之间的含有液晶分子的液晶层、配置于上述一对基板的至少一个与上述液晶层之间的取向膜，上述取向膜含有量子点，优选上述量子点在表面具有有机链。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶显示装置及取向膜
本专利技术涉及一种液晶显示装置及取向膜。
技术介绍
液晶显示装置是利用液晶组合物进行显示的显示装置，其代表性的显示方式是从配置于背面侧的背光源，对在一对基板之间封入了液晶组合物的液晶面板照射光的方式。背光源使用发光二极管(LED)、冷阴极荧光管(CCFL)等。对液晶组合物施加电压而使液晶分子的取向变化，由此来控制透过液晶面板的光量。此种液晶显示装置具有薄型、轻量及低功耗的优点，因此用于智能手机、平板电脑、汽车导航等电子设备中。在专利文献1中揭示一种彩色液晶显示装置组装体，其在面状光源装置的光源中使用第一原色光，在前面板的第一基板的第一面侧具有第二及第三原色发光区域、以及使透过第一子像素的第一原色光扩散的扩散区域，所述第二及第三原色发光区域具有受通过了第二及第三子像素的第一原色光激发而发出第二及第三原色光的第二及第三原色发光粒子层。而且，构成第二原色发光区域、第三原色发光区域的材料可列举应用了零维量子阱结构(量子点)等量子阱结构的发光粒子。量子点的制造方法例如可列举专利文献2及3中所揭示的方法等。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2010-134270号公报专利文献2：日本专利特开2003-225900号公报专利文献3：国际公开第2005/023704号
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题液晶显示装置的背光源广泛使用伪白色发光二极管(以下也称为伪白色LED)，该伪白色LED使用蓝色发光二极管和荧光体(例如YAG：钇铝石榴石(YttriumAluminumGarnet)等)而获得白色。在使用伪白色LED作为背光源的液晶显示装置中存在如下现象：由于长时间使用而产生残影(imagesticking)，可靠性降低。而且，如果在高温环境下长时间使用，则残影的产生更显著。本专利技术是鉴于上述现状而成者，其目的在于提供不仅在常温环境下，而且在高温环境下也能够经过长时间地维持良好的电压保持率，且可抑制残影的产生的液晶显示装置。解决问题的手段本专利技术者等人关于液晶面板的显示画面中的残影的产生原因进行了研究，发现由于从背光源射出的光(以下也称为背光源光)，构成液晶面板的取向膜、液晶材料等的一部分自由基化，进一步变化为离子性杂质，溶出至液晶层中，从而引起液晶面板的电压保持率的降低，其结果产生残影。更发现在使用伪白色LED作为背光源的情况下，荧光体的发光效率低，在从伪白色LED射出的光中包含高能量的近紫外线，因此容易由于长时间使用而产生残影。本专利技术者等人对减低射入至液晶面板的近紫外线的方法进行了研究，结果发现通过在取向膜中添加量子点，可减低近紫外线向液晶面板射入。图1是表示在取向膜中未添加量子点的情况下的发射光谱的图表，图2是表示在取向膜中添加了量子点的情况下的发射光谱的图表。在图1及图2中，均是使用伪白色LED作为背光源，测定通过液晶面板而射出至观察者侧的光的光谱。图1及图2中所示的图表的纵轴是发光强度。将图1与图2加以比较，可知通过在取向膜中添加量子点，可将近紫外～蓝色光谱转换为绿～红光谱。想到由此可令人满意地解决上述课题，从而完成本专利技术。即，本专利技术的一形态是一种液晶显示装置，其具有一对基板、夹持于上述一对基板之间的含有液晶分子的液晶层、配置于上述一对基板的至少一个与上述液晶层之间的取向膜，上述取向膜含有量子点。而且，本专利技术的另一形态是一种取向膜，其是用以控制液晶显示装置的液晶的初始取向的取向膜，其含有量子点。如上所述，通过使用量子点作为波长转换材料，可将背光源光中所含的高能量的短波长成分有效率地转换为低能量的长波长，从而可改善由于照射短波长成分而引起的液晶显示装置的品质、可靠性的降低。另外，在上述专利文献1中揭示了并不使用彩色滤光片，而是使用三原色(RGB)中的一种颜色(第一原色光)作为背光源，通过原色发光层对将其他两种颜色进行颜色转换，由此获得三原色而进行彩色显示。通过此种构成而使第一原色光的有效利用效率提高。但是，在上述专利文献1中，关于作为本专利技术的课题，即残影的产生等液晶面板的品质、可靠性，并无任何涉及。而且，在液晶面板的内部设置“原色发光层”的情况下，需要在每个子像素上形成原色发光层的追加工序，但在本专利技术中，在取向膜材料中预先添加了量子点，因此无需追加工序，可应用通常的面板制作工艺。专利技术效果根据本专利技术的液晶显示装置，由于具有上述构成，因此可将从背光源射入至液晶面板的短波长成分有效率地转换为长波长，且可防止由于短波长成分所引起的电压保持率降低。由此可维持良好的电压保持率，且可抑制显示画面中的残影的产生。根据本专利技术的取向膜，可将经由取向膜而射入的短波长成分有效率地转换为长波长。附图说明图1是表示在取向膜中未添加量子点的情况下的发射光谱的图表。图2是表示在取向膜中添加了量子点的情况下的发射光谱的图表。图3是示意性表示第一实施方式的液晶显示装置的截面图。图4是IPS模式、4D-RTN模式、MVA模式液晶显示装置中所使用的TFT基板的截面示意图。图5是FFS模式液晶显示装置中所使用的TFT基板的截面示意图。图6是表示CdSe的吸收光谱分布的图表。图7是表示CdSe的发射光谱分布的图表。图8是表示CdS的吸收光谱分布的图表。图9是表示CdS的发射光谱分布的图表。图10是表示取向膜的吸收光谱分布的图表。图11是说明量子点的结构的示意图。图12是表示构成取向膜的高分子与量子点(QD)的键合方式的一例的示意图。图13是表示构成取向膜的高分子与量子点(QD)的键合方式的一例的示意图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式加以说明。本专利技术并不限定于以下实施方式中所记载的内容，可以在充分满足本专利技术的构成的范围内适宜地进行设计变更。<第一实施方式>图3是示意性表示本实施方式的液晶显示装置的截面图。本实施方式的液晶显示装置具有液晶面板20及背光源10，液晶面板20具有一对基板21、夹持于一对基板21之间的液晶层23、配置于一对基板21与液晶层23之间的取向膜22。液晶层23含有液晶分子。取向膜22含有量子点。作为液晶面板20，只要具有一对基板21、夹持于一对基板21之间的液晶层23、配置于一对基板21与液晶层23之间的取向膜22即可，可使用采用有源矩阵型显示方式的通常的液晶面板。在有源矩阵型的显示方式中，通常在设于各像素中的薄膜晶体管(TFT)等有源元件导通时，信号电压通过TFT而施加到电极上，在有源元件断开的期间保持此时像素中所充电的电荷。电压保持率(VHR：VoltageHoldingRatio)表示在一帧的时间(例如16.7ms)内所保持的充电的电荷的比例。即，VHR低表示施加于液晶层的电压容易随着时间经过而衰减，在有源矩阵型显示方式中要求使VHR提高。一对基板21例如可列举有源矩阵基板(TFT基板)及彩色滤光片(CF)基板的组合。有源矩阵基板可使用在液晶显示装置的领域中所通常使用者。作为俯视有源矩阵基板时的构成，可列举在透明基板上设有如下构件的构成：多根平行的栅极信号线；在相对于栅极信号线而正交的方向上延伸、且相互平行地形成的多根源极信号线；与栅极信号线和源极信号线的交点对应地配置的TFT等有源元件；在由栅极信号线和源极信号线划分的区域配置为矩阵状的像素电极等。在水平取向本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，其特征在于：具有一对基板、夹持于所述一对基板之间的含有液晶分子的液晶层、配置于所述一对基板的至少一个与所述液晶层之间的取向膜，所述取向膜含有量子点。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.10 JP 2016-0474051.一种液晶显示装置，其特征在于：具有一对基板、夹持于所述一对基板之间的含有液晶分子的液晶层、配置于所述一对基板的至少一个与所述液晶层之间的取向膜，所述取向膜含有量子点。2.如权利要求1的液晶显示装置，其特征在于：所述量子点在表面具有有机链。3.如权利要求2的液晶显示装置，其特征在于：所述量子点与构成取向膜的高分子化学键合。4.如权利要求1至3中任一项的液晶显示装置，其特征在于：所述量子点的发光峰值波长是比400nm长的波长。5.如权利要求1至4中任一项的液晶显示装置，其特征在于：所述量子点含有选自由硒化镉、碲化镉、硫化镉、及磷化铟所组成的群的至少一种化合物。6.如权利要求1至5中任一项的液晶显示装置，其特征在于：所述取向膜使与所述取向膜相邻的所述液晶分子相对于所述取向膜表面而水平地取向。7.如权利要求6的液晶显示装置，其特征在于：所述取向膜包含含有水平取向官能基的单元和含有量子点的单元。8.如权利要求1至5中任一项的液晶显示装置，其特征在于：所述取向膜使与所述取向膜相邻的所述液晶分子相对于所述取向膜表...
【专利技术属性】
技术研发人员：土屋博司，水崎真伸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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