【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶显示装置及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示装置及其制造方法。本专利技术,更详细地,涉及适用于头戴式显示器(HMD)的液晶显示装置及其制造方法。
技术介绍
近年来,液晶显示装置迅速普及,不仅在电视机用途,而且在电子书、相框、工业设备(IndustrialAppliance:)、PC(PersonalComputer:个人计算机)、平板PC、智能手机、HMD用途等中被广泛采用。在这些用途中,要求各种性能,开发了各种液晶显示模式。作为液晶显示模式,可以列举面内开关(In-PlaneSwitching)模式和边缘场开关(FringeFieldSwitching)模式等使液晶分子在没有电压施加时在相对于基板的主面大致水平的方向上取向的模式(以下,也称为水平取向模式。)。或者,VA(VerticalAlignment,垂直取向)模式等使液晶分子在没有电压施加时在相对于基板的主面大致垂直的方向上取向的模式(以下,也称为垂直取向模式。)。为了实现这种液晶分子的取向控制,提出了利用了取向膜的液晶显示装置。例如,公开了以下液晶显示面板(例如,参照专利文献1):具有在一对基板之间夹持有包含液晶分子的液晶层的构成,在至少一个基板的液晶层侧表面具有光取向膜的液晶显示面板,该光取向膜为利用光照射对使用取向膜材料而形成的膜实施取向处理的光取向膜,该取向膜材料包含将通过光照射而展现出对液晶分子进行取向控制的特性的第一构成单位作为必需结构单位的聚合体,该第一构成单位展现出通过光交联反应和光异构化反应的至少一种光化学反应对液晶分子进行取向控制的特性,该聚合体中,在将该第一构成单元以及第 ...
【技术保护点】
1.一种液晶显示装置,其特征在于,其包含一对基板、及该一对基板之间的液晶层,该一对基板的至少一个的液晶层侧的表面具有光取向膜,该液晶层为由向列相‑各向同性相的相变点在75℃以下,且表现出向列向的温度范围小于100℃的液晶材料构成,该光取向膜包含聚合体,该聚合体和/或该光取向膜的其他成分具有疏水性官能团。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.24 JP 2016-0335411.一种液晶显示装置,其特征在于,其包含一对基板、及该一对基板之间的液晶层,该一对基板的至少一个的液晶层侧的表面具有光取向膜,该液晶层为由向列相-各向同性相的相变点在75℃以下,且表现出向列向的温度范围小于100℃的液晶材料构成,该光取向膜包含聚合体,该聚合体和/或该光取向膜的其他成分具有疏水性官能团。2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该聚合体的主链具有聚酰胺酸构造或者聚硅氧烷构造。3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置,其特征在于,所述聚合体具有偶氮苯构造或者肉桂酸酯基。4.如权利要求1~3中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于,所述聚合体具有所述疏水性官能团。5.如权利要求1~4中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于,所述光取向膜包含具有所述疏水官能团的化合物。6.如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于,所述化合物由所述式(10-1)所表示。[化1-1]S-A2-Z4-L3(10-1)式中,S相同或者不同,以下述式(10-2)~(10-6)的任意一个表示。A2表示二价烃基或者直接键合。-Z4-基表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、-NHCO-基、-CONH-基或者直接键合。L3表示碳数4以上的烷基、烯基或者芳烷基、或者碳数4以上、一价单环式或多环式烃基。该烷基以及该烯基可以为直链状的也可以为支链状。该芳烷基,该一价单环式或多环式烃基具有的一个以上氢原子,可以置换为碳数1~8的直链状或支链状烷基或者烯基。另外,烷基、烯基、一价的单环式或者多环式烃基具有的-CH2-基可以为只要不与氧原子相邻就被-O-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基所取代的构造。[化1-2]式中,Me表示甲基。Et表示乙基。7.如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于,所述化合物由所述式(11-1)所表示。[化2-1]式中,S相同或者不同,以下述式(11-2)~(11-6)的任意一个表示。A3表示三价烃基。A4表示亚苯基。A3以及A4具有的-CH2-基,可以是只要不相邻,就被-O-基或者-S-基取代的构造。A3以及A4具有的-CH=基,可以是只要不相邻,就被-N=基取代的构造。A3以及A4具有的氢原子可以被氟原子、氯原子、CN基、或者碳数1~12的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基取代,进一步还可以是这些碳原子的一个以上被硅原子取代的构造。烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基可以是直链状也可以是支链状。-Z3-基以及-Z4-基相同或不同,表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、-NHCO-基、-CONH-基或者直接键合。L3表示碳数4以上的烷基、烯基或者芳烷基、或者碳数4以上、一价单环式或多环式烃基。该烷基以及该烯基可以为直链状的也可以为支链状。该芳烷基、该一价单环式或多环式烃基具有的一个以上氢原...
【专利技术属性】
技术研发人员:水崎真伸,土屋博司,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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